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[发明专利]刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台-CN201710567416.5有效
发明人：冯宇培;仓凌盛;张传民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀管控系统及其管控方法和刻蚀机台。该刻蚀管控系统包括：依次通讯连接的测量模块、处理模块、转换模块以及采集模块。该刻蚀管控方法包括：获取半导体制品上表面膜的初始厚度信息，以及刻蚀液的浓度信息；根据所述刻蚀液的浓度与刻蚀速率之间的映射关系，获取所述刻蚀液的浓度信息对应的刻蚀速率信息；根据所述刻蚀速率信息、所述初始厚度信息，以及所述表面膜的目标厚度信息，获得刻蚀时间，并按所述刻蚀时间对所述半导体制品进行刻蚀。本发明通过设置转换模块和采集模块，并建立刻蚀速率与刻蚀液浓度之间的函数关系，使得刻蚀速率可直接通过测量刻蚀液浓度的方式获得，从而使获得的刻蚀时间更准确，提高了工艺稳定性。
刻蚀系统及其方法机台

[发明专利]槽式湿法清洗机台-CN201711178278.8有效
发明人：王春伟;仓凌盛;张传民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种槽式湿法清洗机台，其包括清洗槽、主设备电脑、硅片托架、第一驱动机构；硅片托架包括纵向相对布置的左托架及右托架；左托架及右托架，其中一个的顶部设置有纵向的主动轴，另一个的顶部设置有纵向的从动轴；硅片托架置于所述清洗槽内，待清洗硅片放置到硅片托架上后，下部周缘分别压靠到主动轴及从动轴，并且主动轴及从动轴平行于待清洗硅片的轴线；第一驱动机构用于驱动主动轴旋转；主设备电脑包括硅片角度设置模块；主设备电脑，根据用户通过硅片角度设置模块输入的硅片角度，控制第一驱动机构驱动主动轴旋转相应角度。本发明的槽式湿法清洗机台，能提升清洗效果，降低硅片表面颗粒污染。
湿法清洗机台

[发明专利]一种水洗槽出水管-CN201811458562.5在审
发明人：吴军;仓凌盛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种水洗槽出水管，包括第一出水管和包覆于所述第一出水管的外壁的外围的第二出水管，所述第一出水管的管壁上分布有第一出水孔，所述第二出水管的管壁上分布有第二出水孔，所述第一出水孔沿其轴线方向在所述第二出水管上的投影位于所述第二出水管的内腔壁上，使得所述第一出水管和所述第二出水管之间形成一供水流通的流水间隙区，所述水洗槽出水管结构简单，通过降低水流速度以缓和水流对硅片边缘造成的冲击，提高产品良率，节约生产成本。
出水管出水孔水洗槽管壁节约生产成本出水管结构产品良率供水流通硅片边缘流水间隙轴线方向内腔壁包覆外壁投影外围缓和

[发明专利]一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置-CN201810576581.1在审
发明人：俞力洋;仓凌盛;张传民;陈建维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置，干燥槽包括干燥腔与水清洗槽，干燥腔用以晶圆进行干燥工艺；水清洗腔设置于干燥腔的下方，与干燥腔设定预定距离，水清洗槽用以晶圆进行水清洗工艺；挡板可拆卸地设置于干燥腔与水清洗槽之间，用以隔离上方干燥腔和下方水清洗槽；搁置槽设置于干燥槽的一侧，且开设开口以连通干燥槽，挡板放置于搁置槽内搁置；搁置槽的上方设置水管与氮气管；搁置槽的下方设置与水管和氮气管对应的排水管与排气管。有益效果在于：在搁置槽的上方增加水管和氮气管，在搁置槽的下方增加排水管和排气管，对挡板进行清洗，有效改善挡板引起的颗粒杂质的问题，提高晶圆的清洗工艺。
干燥腔搁置槽水清洗干燥槽挡板颗粒杂质氮气管晶圆水管排水管排气管干燥工艺清洗工艺预定距离可拆卸连通搁置清洗开口隔离

[发明专利]一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法-CN201710494811.5在审
发明人： 仓凌盛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提出一种磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，包括下列步骤搜集每批硅片上需要控制的氧化膜厚度；在产品开始处理前抓取实时磷酸中的硅浓度；根据预设的对应关系计算得到氧化膜预设腐蚀速率；使用前层厚度、预设腐蚀速率和目标厚度，自动计算出该批产品所需要的工艺时间；按照计算所得的工艺时间在湿法磷酸设备中进行处理；根据结果对计算预设腐蚀速率的参数进行修正。本发明提出的磷酸刻蚀工艺中精确控制氧化膜厚度的方法，通过采集实时的磷酸状况(腐蚀速率)和硅片前层氧化膜厚度，使用系统来计算出所需工艺时间，从而对磷酸腐蚀后氧化膜厚度进行较精确的控制，降低厚度波动，达到先进制程的要求。
一种磷酸刻蚀工艺精确控制氧化厚度方法

[发明专利]一种具有增强腔体排气效果的排气装置的单片清洗机台-CN201610884311.8在审
发明人：吴军;仓凌盛;张传民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有增强腔体排气效果的排气装置的单片清洗机台，在腔体内设有旋转平台，用于放置硅片并带动其旋转进行清洗工艺，所述腔体设有排气装置，排气装置包括分设于腔体内底部和侧部的第一、第二排气口，第二排气口按不低于硅片表面的高度设置；通过在腔体侧部增设排气口，可以改善腔体的排气效果，使得硅片上方的酸气、碱气及水汽等杂质气体可以尽快通过腔体侧部的排气口排出，从而减少杂质气体在硅片上方的滞留时间及掉落到硅片表面形成缺陷的可能性，因此提高了产品品质。
一种具有增强排气效果排气装置单片清洗机台

[实用新型]硅片背面化学处理装置-CN200920214854.4无效
发明人： 仓凌盛 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅片背面化学处理装置，包括药液槽、药液处理泵、气动控制阀、喷嘴、处理腔；药液处理泵、气动控制阀依次串联于处理管路上；处理管路的一端连接药液槽，另一端连接喷嘴；喷嘴设置于处理腔上方；所述气动控制阀设有回吸控制单元。本实用新型能够完全解决药液滴落的问题，减少由此造成的硅片损失。本实用新型可以将残留在喷嘴与气动控制阀之间管路内的药液抽回药液槽中，使得硅片在进行纯水清洗和干燥的过程中不会发生药液滴落的问题，能够完全避免在整个处理过程中由于喷嘴的动作造成的药液滴落到硅片背面的现象，减少由此造成的硅片损失。
硅片背面化学处理装置

[发明专利]湿法槽式机台液体槽中液体温度的检知监控系统-CN200710094179.1有效
发明人：赵晓亮;仓凌盛;顾华平 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G05D23/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法槽式机台液体槽中液体温度的检知监控系统，包括温度检知热电偶、过热检知热电偶、第一温度控制器、第二温度控制器、温度检知报警系统和过热检知报警系统，还包括：差值运算器和漂移检知报警系统，所述差值运算器，其一端与第一温度控制器连接，另一端与第二温度控制器连接，用于对温度检知热电偶和过热检知热电偶的温度检测结果进行差值运算；所述漂移检知报警系统，与差值运算器连接，用于对差值运算结果进行判断并报警控制。本发明的检知监控系统，在温度检知热电偶发生故障或漂移时，能及时检知报警，有效避免因未检知液体温度异常而造成的大量产品异常，保证湿法工艺的正常进行。
湿法机台液体温度监控系统

[发明专利]改善背面研削时产生硅屑沾污的方法-CN200610030397.4有效
发明人： 仓凌盛;施灵峰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-25 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背面研削时产生硅屑沾污的方法，它可以在不增加成本和工艺步骤的情况下，实现对研削沾污起到明显改善作用。它包括：改善在研削前的聚酰亚胺光刻工序，即在聚酰亚胺光刻时，通过精确对准曝光对容易发生硅屑沾污的对准缺口周围区域不进行曝光，以保留该区域的聚酰亚胺。
改善背面研削时产生沾污方法

[发明专利]去除硅片背面氮化硅膜的方法-CN200610029618.6无效
发明人：刘须电;荣毅;仓凌盛;王明琪 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法，包括以下步骤：第一步，将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中；第二步，将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中；第三步，将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面；第四步，用去离子水对硅片进行水洗；第五步，在背面旋转刻蚀装置中通入N₂，对硅片进行干燥。本发明通过将硅片放置于背面旋转刻蚀装置中，在浓氢氟酸进行处理，可以在硅片正面不允许淀积额外的氧化膜保护层的情况下方便的去除硅片背面的Si₃N₄薄膜。
去除硅片背面氮化方法

[发明专利]湿法去除硅片背面钴沾污的方法-CN200510111040.4有效
发明人：刘须电;仓凌盛 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法去除硅片背面钴(Co)沾污的方法，其在背面旋转刻蚀装置上使用混酸来进行硅片背面钴沾污洗净，包括如下步骤：第一步，混酸药液处理5－10秒，药液温度为25－35℃；第二步，用去离子水进行水洗；第三步，N₂干燥。该方法能够快速、有效地去除硅片背面的钴(Co)沾污，可以将硅片背面金属沾污水平从3000×10¹⁰atoms/cm²以上降低至0.02×10¹⁰atoms/cm²以下，避免造成工艺生产线的金属钴污染，且该方法对硅片正面无影响。
湿法去除硅片背面沾污方法

[发明专利]利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法-CN200510111288.0有效
发明人： 仓凌盛;荣毅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用湿法腐蚀设备处理硅片的方法，该方法利用设备的搬入口或搬出口作为空片盒承载台，使设备的处理槽能同时进行更多硅片的处理，本发明的方法不需要进行任何硬件改造，就能使湿法腐蚀设备的使用效率提高了20％。
利用湿法腐蚀设备处理硅片方法

[发明专利]一种选择性氮氧化硅湿法刻蚀液-CN200410084265.0有效
发明人：张擎雪;荣毅;仓凌盛;刘须电;王明琪 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-17 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性氮氧化硅(SiON)湿法刻蚀液，属于集成电路生产制造领域，所述刻蚀液组成为：0.40－1.00vol％的氢氟酸，55.00－65.00vol％的双氧水，34.00－45.60vol％的去离子水，并且所述氢氟酸浓度为49％，双氧水浓度为31％。本发明的氮氧化硅选择性刻蚀液，对SiON的刻蚀速率高，大于150/min；选择性好，SiON与SiO₂的选择比大于10∶1，SiON与Si₃N₄的选择比大于35∶1，SiON/POLY－Si的选择比大于30∶1。该刻蚀液对氧化硅，氮化硅及多晶硅均具有良好的刻蚀选择性，可广泛应用于集成电路制造工艺。
一种选择性氧化湿法刻蚀

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