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[发明专利]一步制备迭孔金属层的方法-CN201410306943.7在审
发明人：傅海林;吴敏;王一 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一步制备迭孔金属层的方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上依次沉积一介电层和一顶层；选择性刻蚀所述顶层和所述介电层，在所述介电层中形成浅沟槽；选择性刻蚀，在所述浅沟槽中形成一通孔；对所述浅沟槽和所述通孔同时进行刻蚀，所述浅沟槽的深度增加，所述通孔的深度增加，所述通孔贯穿所述介电层；在所述浅沟槽和所述通孔中填充金属层，形成所述迭孔金属层。
一步制备金属方法

[发明专利]一种氮－氧－氮SAC结构的COB－DRAM位线制作方法-CN200610026589.8有效
发明人：颜进甫;肖德元;黄晓橹;罗飞;陶波;赵永康 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法的硬掩模采用氮－氧－氮型，即在氮化硅硬掩模中插入一氧化铝层，此插入的氧化铝层以取代相同厚度的氮化硅硬掩模，在同样的SAC刻蚀过程中，氧化硅对氧化铝的选择性高于氧化硅对氮化硅的选择性，因此该方法降低了在SAC刻蚀过程中氮化硅硬掩模的损失，提高SAC刻蚀过程的工艺容许度，避免产生位线金属与SAC孔中填充的多晶硅之间的桥接问题。
一种 sac 结构 cob dram 制作方法

[发明专利]一种选择性刻蚀硅纳米线的方法-CN200810036672.2无效
发明人：万丽娟;龚文莉;陶伯睿;蒋珂玮;李辉麟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明针对现有技术所存在的缺陷和市场需求，公开了一种选择性刻蚀硅纳米线的方法，其包括以下顺序步骤：a)采用“自上而下”的标准微电子加工工艺在硅片表面开窗口；b)采用“自下而上”的非电镀化学沉积的方法在开窗口的硅片表面刻蚀硅纳米线与现有技术相比，本发明的选择性刻蚀硅纳米线的方法既能够制作出任何想要的图形，又能够获得尺寸规则、排布均匀的硅纳米线阵列，而且工艺简单可靠、成本低、可批量生产，实现了工业化制作硅纳米线电极的目的，为制备多种以硅纳米线为基础的纳机电器件奠定了基础
一种选择性刻蚀纳米方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN202010296746.7在审
发明人：张显;刘金营;平延磊;吴莊莊 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，通过选择性生长法或阻挡沉积法，可在栅极区上形成牺牲层，以在刻蚀形成栅极区沟槽及有源区沟槽时，通过牺牲层补偿栅极区及有源区之间的高度差，从而可避免由于栅极区的过刻蚀所造成的栅极区的损坏，以及由于有源区的刻蚀不够所造成的电连接的问题。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种H2S选择性催化氧化催化剂的制备方法-CN201711373982.9在审
发明人：刘福建;陈孝平;沈丽娟;曹彦宁;江莉龙 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种H2S选择性催化氧化催化剂的制备方法。该催化剂以F127为模板剂，3‑氨基酚和六次甲基四胺为前驱体，在氮气气氛中快速碳化，经KOH刻蚀后得到。本发明所制备的催化剂具有大的比表面积，N掺杂量高，并将本发明制备的样品作为催化剂应用于H2S选择性催化反应中。与普通的H2S选择性催化剂相比，本发明所制备催化剂展现出超强的H2S选择性催化性能。
一种 h2s 选择性催化氧化催化剂制备方法

[发明专利]一种提升光伏电池片并联电阻的方法-CN201310260236.4有效
发明人：熊震;邓伟伟;卫志敏;祁宏山 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：根据本发明的一种选择性发射结电池的制备工艺，包括：制备含发射结的硅片；在所述硅片正面设置掩模，所述掩模保护所述硅片正面的待金属化区域以及所述硅片正面的边缘部分；对所述硅片进行正面刻蚀；去除所述掩模；以及对所述硅片进行背面和正面边缘刻蚀本发明还公开了通过上述制备工艺制得的选择性发射结电池。
一种提升电池并联电阻方法

[发明专利]N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法-CN201410275382.9有效
发明人：盛赟;袁声召;王伟;蔡文浩;盛健;张淳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法，该方法的步骤如下：a）运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结，并且在硼原子推进扩散后，进行氧气气氛的高温处理，其中，氧气流量和炉腔的体积比为0.01~0.15slm/L，温度为800℃~1100℃，时间为5min~60min；b）通过刻蚀方法刻蚀预设的发射结金属化区域，直至高扩散浓度位置，从而形成选择性发射结结构。本发明能够保证N型太阳能选择性发射结结构的金属化区域具有较高的掺杂浓度和非金属化区域具有较低的掺杂浓度，获得良好的发射结钝化和电学接触效果。
晶体太阳能电池选择性发射结构实现方法

[发明专利]半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法-CN201310300403.3有效
发明人：赵静 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-07-17 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层；以所述第一外延层为掩膜采用各向异性刻蚀方法去除所述第一掩膜层及其底部的部分所述衬底，以在所述第一外延层底部形成鳍条。通过上述方案，采用选择性外延生长与各向异性刻蚀工艺相结合的方式，无需采用光刻技术，能够保证半导体鳍条与栅氧化层的表面相互垂直，并且降低了半导体鳍条表面的粗糙度、形成侧面光滑的鳍条。
半导体制作方法 finfet 器件

[发明专利]一种亚微米栅长GaNHEMT器件及其制备方法-CN201410486993.8有效
发明人：裴轶;张乃千;邓光敏 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法，该制备方法是通过光学光刻和选择性刻蚀确定栅长，然后采用氟基等离子体和氯基等离子体多次选择性刻蚀得到深亚微米栅足。本发明的制备方法具有工艺简单、成本低、效率高的优点，同时可避免氯基等离子体刻蚀铝镓氮引入刻蚀损伤，导致电流崩塌和二维电子气浓度降低等问题。
一种微米 gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]打开多晶硅栅极的方法-CN201410174482.2有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括对硅片表面的金属前介质膜进行处理，使硅片上的金属前介质膜平坦化；根据设定的刻蚀工艺参数，对平坦化处理后的所述金属前介质膜与所述硅片中的多晶硅栅极之间的多层介质膜进行选择性刻蚀，以打开所述硅片中的所述多晶硅栅极选择性刻蚀工艺可以有效地控制刻蚀量，在实现多晶硅栅极被充分打开的同时保证一定的表面平整度，并不影响后续的薄膜沉积工艺，因此，解决了现有技术中单纯使用化学机械研磨抛光工艺打开栅极导致的晶片表面缺陷、切应力对栅极栈堆的负面影响
打开多晶栅极方法

[发明专利]一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法-CN201210014964.2无效
发明人：张亮;姬峰;胡友存;李磊;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用上掩膜实现高性能铜互连的方法，包括一存在金属互连层的半导体基底，其中，于半导体基底的金属互连层上形成一复合结构，由下到上依次是刻蚀停止层、介质层、上覆层、刻蚀调整层和掩膜层，刻蚀调整层为氧化硅薄膜本发明的有益效果是：通过本发明的工艺流程和方法，利用添加的氧化硅刻蚀深度调整层，对铜互连线沟槽的深度进行选择性改变，从而使符合条件的特定区域的铜互连线方块电阻降低，从而实现选择性降低芯片互连电阻的目的。
一种利用上掩膜实现性能互连方法

[发明专利]非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元-CN202110636393.5在审
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛 -专利权人：波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元，包括以下步骤；在晶圆上沉积介质层1，并通过刻蚀方法在介质层1中形成深槽；在深槽内填充介质层2，并进行平坦化处理；通过刻蚀方法在介质层1和介质层2中形成磁性纳米线赛道模板；通过选择性原子层沉积的方法在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道；完成读器件和写器件的制备，本发明通过刻蚀和沉积工艺形成沉积纳米线赛道所需的介质模板，然后通过选择性的原子层沉积方法形成磁性纳米线赛道，从而实现高深宽比，且不对磁性纳米线赛道的材料特性造成破坏,能制备具有高深宽比的磁性纳米线赛道，且制备过程中不需要对磁性纳米线赛道的磁性材料进行刻蚀，避免了刻蚀工艺引起的性能退化。
非易失磁性存储器制作方法单元

[发明专利]基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法-CN201310732868.6有效
发明人：钱林茂;郭剑;余丙军;王晓东;宋晨飞 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法，其操作是：将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，将氮化硅膜/硅固定在样品台上，给探针施加不低于临界载荷的法向载荷，并使探针沿着设定的轨迹，进行刻划；刻划后置于HF溶液中刻蚀一定的时间，使得刻划区硅基底暴露，然后使用KOH溶液及异丙醇的混合溶液进行刻蚀，即可加工出所需的微纳米结构。该方法通过摩擦诱导刻划改变材料刻蚀特性，进而形成特定溶液的选择性刻蚀。
基于摩擦诱导选择性刻蚀氮化纳米加工方法

[发明专利]一种氧化镱光子晶体选择性辐射器-CN201610836245.7有效
发明人：李秀东;谭永胜;方泽波 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镱光子晶体选择性辐射器，属于热辐射技术领域，包括基体材料和沉积在基体材料上的氧化镱薄膜，基体材料为碳化硅，氧化镱薄膜表面通过光刻刻蚀出周期性孔洞整列，形成二维光子晶体。本发明具有优异的选择性红外辐射特性，可以大幅提高热光伏系统的光电转换效率。
一种氧化镱光子晶体选择性辐射器

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210490480.5有效
发明人：殷华湘;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极绝缘层和假栅极层，其中假栅极层在鳍片上方具有突起；在假栅极层上形成盖层；选择性刻蚀，去除假栅极层的突起依照本发明的半导体器件制造方法，沉积假栅极层之后增添了盖层，通过选择性刻蚀来平坦化假栅极层，有效提高了假栅极的平坦性以及栅极线条的均匀性和重复性，最终有效提高了器件的性能和可靠性。
半导体器件制造方法

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