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[发明专利]一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法-CN201810671407.5在审
发明人：汤乃云 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二碲化钼制备二维热电器件的方法，包括以下步骤：在衬底材料上生长一层绝缘介质层；在绝缘介质层上转移一层二碲化钼薄膜；在二碲化钼薄膜表面部分区域覆盖一层光刻胶，形成掩膜，二碲化钼薄膜表面另一部分区域裸露；对二碲化钼薄膜进行辐照，辐照完成后去除光刻胶；分别在经过辐照的二碲化钼薄膜和未经过辐照的二碲化钼薄膜的两端制作第一金属电极和第二金属电极。与现有技术相比，本发明基于二碲化钼材料在辐照后发生半导体—金属相变的特性来构建二维热电器件，具备制作方法简单，体积小，集成度高等优点。
碲化钼薄膜辐照热电器件二维金属电极光刻胶制备绝缘介质层衬底材料金属相变区域覆盖集成度层绝缘介质层体积小钼材料构建去除掩膜制作半导体裸露生长

[发明专利]具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI-LIGBT功率器件-CN202211543544.3在审
发明人：路玉;王立 -专利权人：河南大学
申请日： 2022-12-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI‑LIGBT功率器件，属于功率器件领域，具有低关断损耗的新型耐高压抗辐照SOI‑LIGBT功率器件，包括SOI‑LIGBT功率器件本体，SOI‑LIGBT功率器件本体包括衬底，衬底上端设有绝缘层,绝缘层上端设有上层硅薄膜，且上层硅薄膜为漂移区，上层硅薄膜与绝缘层之间设有低掺杂PBL区，上层硅薄膜上端左右两侧分别设有发射器和收集器，可以实现通过采用绝缘体上硅衬底技术和运用工艺辐照加固设计，使上层硅薄膜与衬底全介质隔离，有效的解决器件关断损耗和导通电阻之间存在的问题，并且具有700V左右的耐压特性，也具备抗空间辐照能力，从而使其在辐照环境下任然能够正常工作。
具有低关断损耗新型高压辐照 soi ligbt 功率器件

[发明专利]一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法-CN201510970191.9有效
发明人：张东平;杨凯;朱茂东;秦晓楠;关天锐;范平;蔡兴民;罗景庭;钟爱华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供一种增强二氧化钒薄膜相变性能的方法，包括步骤：首先，将采用物理或化学方法在清洁后的基底上沉积二氧化钒薄膜；对所制备的二氧化钒薄膜进行光电性能和微结构表征，得到薄膜的化学计量比和微结构信息；将上述制备得到的二氧化钒薄膜放入等离子体中进行辐照，根据上述表征所得二氧化钒薄膜的化学计量比和微结构信息，确定等离子体辐照工艺参数后，按照确定的工艺参数进行等离子体辐照处理。本发明的方法通过等离子体辐照后二氧化钒薄膜相变性能得到明显提高，相比退火等其他后处理方法，具有简单易行、效率高和成本低廉的特点。
一种增强氧化薄膜相变性能方法

[发明专利]防伪商标或标志的制造方法-CN94104555.2无效
发明人：黄正德;刘永辉;侯龙;杨毅 -专利权人：黄正德;刘永辉;侯龙;杨毅
申请日： 1994-05-03 - 公布日： 1996-10-30 - 主分类号： G09F3/10 文献下载
摘要：使高能重离子或裂变碎片通过成像模具后辐照在透明塑料薄膜上，辐照后可在薄膜上形成具有鲜明对比度的乳白色图案。该图案可作为商标或商品标志使用。由于薄膜上经过辐照的区域具有很多微孔，可以透气透水，故消费者易于鉴别真伪。这样制成的商标或标志不易仿造，而且制造成本低廉。
防伪商标标志制造方法

[发明专利]一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法-CN201410378095.0有效
发明人：黄立静;任乃飞;李保家;周明 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法，首先以TCO玻璃为基板，采用高真空直流磁控溅射仪溅射金属M层，获得M/TCO透明导电薄膜；然后，将M/TCO透明导电薄膜放置在磁场中，利用超短脉冲激光器，对M/TCO透明导电薄膜表面进行激光辐照处理。本发明激光辐照的热效应对M/TCO透明导电薄膜表面产生了退火作用，使得所述薄膜中晶粒尺寸增大，进而提高薄膜的光电性能。在激光辐照处理过程中引入磁场，磁场对金属M层的吸引作用，使得所述薄膜表面的晶体在重结晶的同时变得更加致密、均匀，可以有效的提高透明导电薄膜的透光率和导电性。
一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜方法

[发明专利]激光辐照装置和激光辐照方法-CN01143297.7有效
发明人：田中幸一郎;中嶋节男;八木武人;石井干人;西田健一郎;河口纪仁;正木美由纪;芳之内淳 -专利权人：株式会社半导体能源研究所;石川岛播磨重工业株式会社
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2002-08-07 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。
激光辐照装置方法

[发明专利]增强储能特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器-CN202310525023.3在审
发明人：肖萌;崔惠泽;郭少玮;杜伯学;张翀;邢照亮;倪祺;孟夏卿;王媚 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司;天津大学;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强储能特性的聚丙烯薄膜、方法、应用及薄膜电容器，其技术特点是：制备过硫酸铵水溶液；将过硫酸铵水溶液充分浸润聚丙烯薄膜，用两块玻璃板固定住聚丙烯薄膜，并放置在紫外光灯下进行辐照；将紫外光辐照后的聚丙烯薄膜取出，进行冲洗、加热、干燥处理后得到表面羟基修饰的聚丙烯薄膜；将羟基修饰后的聚丙烯薄膜放入硅烷偶联剂溶液中进行化学接枝反应，得到增强储能特性的的聚丙烯薄膜。本发明采用紫外辐照和溶液化学反应方法接枝极性基团，优化了薄膜表面深陷阱密度和能级，提升薄膜的绝缘和储能性能，具有提升效果明显、操作简易且成本低廉等优点。
增强特性聚丙烯薄膜方法应用电容器

[发明专利]基于辐照改性的PBAT复合薄膜及其制备方法-CN201510471302.1在审
发明人：徐友利;张伟阳 -专利权人：上海弘睿化工产品有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于辐照改性的PBAT复合薄膜及其制备方法；所述复合薄膜包括如下组分及重量份数：PBAT100份，其余生物可降解材料0～100份，相容剂0.1～7份，辐照敏化剂0.1～6份，抗氧剂0.1与现有技术相比，辐照改性PBAT复合薄膜不仅保持了材料可生物降解性，而且具有优异的力学强度、阻隔性能和耐老化性等，拓展了生物可降解薄膜的应用。
基于辐照改性 pbat 复合薄膜及其制备方法

[发明专利]耐辐照高粘结强度聚酰亚胺薄膜绝缘电缆及其制备方法-CN200910247433.6有效
发明人：王新营;严波;黄一钊;张敬平 -专利权人：上海电缆研究所
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的耐辐照、高粘结强度的聚酰亚胺薄膜绝缘电缆及其制备方法。本发明的聚酰亚胺薄膜绝缘电缆采用耐辐照、耐高温的聚酰亚胺作为粘结剂，涂敷在绕包聚酰亚胺薄膜上并进行半亚胺化，再绕包第二层薄膜，进行后固化处理形成连续的绝缘层，从而使得电缆具有更高的耐温性能和耐辐照性能，
辐照粘结强度聚酰亚胺薄膜绝缘电缆及其制备方法

[其他]质子束辐照聚丙烯的方法及设备-CN87100899无效
发明人：王广厚;俞瑞鑫;李象晋;朱以漳;窦烈 -专利权人：南京大学
申请日： 1987-02-21 - 公布日： 1988-08-31 - 主分类号： C08J3/28 文献下载
摘要：利用质子束辐照聚丙烯薄膜材料的方法及设备，用于提高聚丙烯材料的性能。质子的辐射剂量在20Mrad～60Mrad，剂量率为6～7.104rad/sec，辐照设备包括质子注入机、静电扫描设备及薄膜卷动机构或送样系统，使薄膜材料的受辐照的剂量及剂量率满足一定范围，控制不同能量的质子流
质子辐照聚丙烯方法设备

[发明专利]一种柔性磁屏蔽和抗辐照薄膜-CN201610073900.8在审
发明人：李辉辉;左正笏;陈志刚;徐庶;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性磁屏蔽和抗辐照薄膜，本薄膜由柔性胶体与功能性掺杂材料组成，掺杂材料均匀地分散于柔性胶体中，具有拉伸、弯折等柔性。使用该薄膜对保护对象进行封装处理后，可以降低外磁场及辐照对封装薄膜内部保护对象的干扰。该柔性薄膜不受限于保护对象外形和功能性掺杂材料种类，简单灵活、成本低、适用面广，可用于CPU和微处理器等逻辑器件、Flash和MRAM等存储器件、传感器件、高频器件以及导线等各种电子器件的电磁屏蔽及抗辐照强化，也可用于对集成电路进行整体磁屏蔽及抗辐照强化，还可用于对人体等生命体的防辐射保护。
一种柔性屏蔽辐照薄膜

[发明专利]一种抗辐照高熵合金/陶瓷多层薄膜及其制备方法-CN202210839902.9有效
发明人：魏东博;刘建华;张平则;胡玉锦;李逢昆;杨凯;党博 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜，包括交替沉积的TaWTiVMo高熵合金层和氧化铝层；高熵合金层包括以下质量百分数的元素：28％～32％Ta，30％～36％W，15％～20％Ti，8％～13本发明还公开了一种抗辐照的高熵合金/陶瓷多层薄膜的制备方法。本发明利用高熵合金薄膜和Al2O3薄膜，制备纳米尺度的多层薄膜，二者形成的多层复合材料增加了晶界密度，显著提升辐照环境下工作的电子设备元件的抗辐照性能
一种辐照合金陶瓷多层薄膜及其制备方法

[发明专利]一种增强纳米银薄膜光催化性能的方法-CN201410188692.7有效
发明人：方应翠;洪流;张冰;张宽翔;何金俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-05-06 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强纳米银薄膜光催化性能的方法，其特征在于：通过氧等离子体辐照纳米银薄膜。本发明通过氧等离子体辐照增强了纳米银薄膜光催化性能，方法简单、易于实现，拓展了纳米银薄膜在水质净化处理方面的应用。
一种增强纳米薄膜光催化性能方法

[发明专利]超声换能耦合激光辐照优化透明导电薄膜性能的方法-CN201610240708.3有效
发明人：李保家;曹海迪;黄立静;祖伟;任乃飞 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及激光表面处理及薄膜材料制备领域，特指一种利用超声换能和超短脉冲激光辐照相互配合实现透明导电薄膜性能优化的一种方法。将透明导电薄膜置于超声换能器表面，在对透明导电薄膜进行激光辐照的同时，超声换能器在垂直于激光辐照的方向上振动，使得透明导电薄膜沿表面法向高频小振幅振动，使得薄膜样品表面与激光焦点的距离作周期性微小变化，扩大使得透明导电薄膜性能优化的激光参数范围，薄膜表面更容易获得退火作用；透明导电薄膜表面吸收激光能量熔化的同时，振动输入的能量能保证薄膜表面熔化区域在凝固过程中提前形核并增加结晶核心，细化晶粒，从而提高薄膜的致密度，改善薄膜的表面微观结构，最终实现薄膜性能的优化。
超声耦合激光辐照优化透明导电薄膜性能方法

[实用新型]高温环境下激光辐照光学薄膜损伤阈值测量装置-CN201220113289.4有效
发明人：许程;杨帅;义鹏;郭立童;张含卓;李大伟;强颖怀;刘炯天 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种高温环境下激光辐照光学薄膜损伤阈值测量装置，包括计算机、第一激光器、反射镜、第二激光器、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、能量衰减器、分光镜、能量计、聚焦透镜、在线显微镜判断装置、耐高温可移动平台和温控箱，通过温控箱设定不同的温度和保温时间，对薄膜的即时损伤阈值和损伤耐久性进行评价。解决了现有技术只能测量常温环境下激光辐照光学薄膜损伤阈值的问题，提供了一种可以测量高温环境下激光辐照薄膜损伤阈值的装置。其结构简单易行，可进行高温环境下激光辐照光学薄膜即时损伤阈值的测量，还可对保温不同时间样品的损伤阈值进行测量，评价薄膜在高温环境下激光损伤的耐久性。
高温环境激光辐照光学薄膜损伤阈值测量装置