“衬底平面”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果890846个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种改善硅衬底的方法及得到的硅衬底-CN201010502043.1有效
发明人：骆志炯;尹海洲;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种改善硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成硅酸盐，其中，所述硅酸盐中的金属离子在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；刻蚀所述硅酸盐并停止在所述预定深度所在平面或接近所述预定深度所在平面。本发明还提供了由上述方法形成的硅衬底。本发明的实施例适用于半导体器件制造中的衬底工艺。
一种改善衬底方法得到

[发明专利]像素、相关的图像传感器和方法-CN202010947336.4在审
发明人：臧辉;杨存宇;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素，包括半导体衬底、低κ电介质和半导体衬底中的光电二极管区域。半导体衬底具有形成沟槽的衬底顶表面。沟槽延伸到半导体衬底中并且具有相对于围绕沟槽的衬底顶表面的平面区域的沟槽深度。低κ电介质在沟槽深度与相对于平面区域的低κ深度之间的沟槽中。低κ深度小于沟槽深度。光电二极管区域在半导体衬底中并且包括(i)在沟槽下方的底部光电二极管部分和(ii)与沟槽相邻的顶部光电二极管部分。顶部光电二极管部分在相对于平面区域小于低κ深度的光电二极管深度处开始，并且朝向底部光电二极管部分延伸并且邻接底部光电二极管部分。
像素相关图像传感器方法

[发明专利]一种基于微通道次级衬底的半导体激光器-CN202210931310.X在审
发明人：陈琅;李特;刘嘉辰;王贞福;于学成 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于微通道次级衬底的半导体激光器，以解决激光芯片与现有热沉材料因热膨胀系数不同，引起的界面热应力导致光源芯片的光束质量劣化问题，及在激光芯片的衬底直接设置冷却通道易导致芯片损坏、污染且衬底材料选择受限的技术问题该半导体激光器包括由上至下依次设置的半导体激光芯片、焊料层及微通道次级衬底；半导体激光芯片所用材料与微通道次级衬底所用材料的热膨胀系数比值为1：（0.5～1.5）；微通道次级衬底包括由上至下一体设置的平面层和流道层，平面层与焊料层连接；流道层内开设有多条冷却流道，多条冷却流道与平面层形成次级衬底的微通道结构。
一种基于通道次级衬底半导体激光器

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202310245277.X在审
发明人：古春笑 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10K59/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括：衬底；发光功能层，设于衬底一侧，沿平行于衬底所在平面的方向上，发光功能层包括多个通过拉伸部间隔设置的发光组，在沿垂直于衬底所在平面的方向上，发光组包括层叠设置的至少三个发光单元；在发光组内，至少两个发光单元可沿平行于衬底所在平面的方向移动，且至少两个发光单元的移动方向不同，以使移动后的各发光单元在衬底上的正投影不重合。在显示面板进行拉伸时，能带动在发光组内的发光单元分别向不同的方向移动，移动后的各发光单元在衬底上的正投影不重合，保证了拉伸后的显示面板的发光单元分布密度，进而保证了显示面板在拉伸后的显示效果，提高用户的使用体验
显示面板显示装置

[实用新型]一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器-CN201220403091.X有效
发明人：高超群;焦斌斌;刘瑞文;尚海平;陈大鹏;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个单层可动微梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明本实用新型实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，对目标物体进行检测时，由于衬底透明，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空
一种制冷红外成像平面阵列探测器

[发明专利]具有止挡弹簧结构的微机械设备-CN202110400162.4在审
发明人： C·纳格尔;J·克拉森;R·舍本;R·艾德 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械设备，具有衬底、可运动质量和止挡弹簧结构，该止挡弹簧结构具有止挡，其中，衬底具有平行于主延伸平面的衬底表面并且可运动质量相对于衬底可运动地布置在衬底表面上方，其中，止挡弹簧结构与可运动质量连接并且止挡构型成，在可运动质量沿z方向垂直于所述主延伸平面偏移时碰撞在所述衬底表面上。本发明的核心在于，止挡弹簧结构在止挡的位置处在z方向上具有第一弹簧常数Kz，在平行于主延伸平面的x方向上具有第二弹簧常数Kx，并且在平行于所述主延伸平面并且垂直于x方向的y方向上具有第三弹簧常数Ky，其中
具有弹簧结构微机设备

[发明专利]一种背照式光电探测器及其阵列-CN202111552011.7在审
发明人：卞剑涛;董自勇;汪斌;施鑫 -专利权人：江苏尚飞光电科技股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式光电探测器及其阵列，该背照式光电探测器包括第一导电类型衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区及凹槽结构，第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区均位于衬底的上表层并在水平方向上间隔设置，凹槽结构自衬底的下表面开口，并往衬底的上表面方向延伸，凹槽结构的底面在水平面上的垂直投影与第二导电类型掺杂区在水平面上的垂直投影有重叠部分，凹槽结构的底面在水平面上的垂直投影与第一导电类型掺杂区在水平面上的垂直投影没有重叠部分本发明的背照式光电探测器中，凹槽结构所在区域的衬底厚度较薄，而其余位置衬底厚度较厚，可以在降低串扰的同时，保证器件结构的机械强度，减少碎片的概率。
一种背照式光电探测器及其阵列

[发明专利]一种MEMS加速度计及其形成方法-CN202210464281.0在审
发明人：李森科·伊戈尔·叶夫根耶维奇;徐宝;吴刚;徐元 -专利权人：苏州米洛微纳电子科技有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS加速度计及其形成方法，其MEMS加速度计包括：衬底；第一检验质量块以及第二检验质量块，分别弹性悬设于衬底上，第一检验质量块包括主部以及次部；感测梳，设有四组，每组感测梳包括移动梳和固定梳，固定梳与移动梳相互交叉形成叉指结构，且沿着平行于其所在侧对应的第二检验质量块边长的方向延伸，固定梳固定设置于衬底上，各移动梳与第二检验质量块的对应各侧面弹性连接，移动梳弹性连接于衬底上；第一固定平面电极和第二固定平面电极，分别固定设置于衬底上，第一固定平面电极位于主部下方，第二固定平面电极位于次部下方。本发明技术方案仅需一个衬底即可实现使用差分电容测量三轴加速度，从而降低了制造成本和难度。
一种 mems 加速度计及其形成方法

[发明专利]一种LED外延结构及其制作方法-CN201710720209.9有效
发明人：王爱民;程伟;尧刚;崔晓慧;黄金堆 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种LED外延结构及其制作方法，所述LED外延结构制作方法包括：提供图形化衬底，图形化衬底包括平面区域和相对于平面区域凸起的凸起结构；在图形化衬底的平面区域外延形成缓冲层，缓冲层与凸起结构之间具有间隙仅在图形化衬底的平面区域制作缓冲层，而图形化衬底的凸起结构上不设置缓冲层，从而避免图形化衬底的凸起结构上的缓冲层作为后续LED外延材料的成核中心，只保留沿一个方向生长的组分，避免了其他方向生长的成分，从而避免了后续晶核联接及二维生长时
一种 led 外延结构及其制作方法

[发明专利]一种硅晶片的加工方法-CN201910370674.3有效
发明人：吕丽英;吴伟昌;黎家健 -专利权人：瑞声科技（新加坡）有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅晶片的加工方法，包括如下步骤：制备由硅衬底和硬掩膜层叠形成的硅晶片基材；在所述硬掩膜上形成开口；对暴露于所述开口的所述硅衬底进行氧化反应，消耗所述硅衬底氧化生成底部嵌于所述硅衬底内、顶部凸露于所述硬掩膜外的氧化层；将所述氧化层之凸出于所述硬掩膜外的部分去除，使得所述硬掩膜和氧化层形成的表面为第一水平面，在所述第一水平面上沉积结构层，去除所述氧化层以在所述硅衬底上形成腔体。本发明使得氧化层与硬掩膜形成的平面平坦，即使是大型结构也没有凹陷缺陷，简化了腔体形成的平面化方法，且可基于特定硅衬底上的氧化速率精确控制腔体的形状和深度。
一种晶片加工方法

[发明专利]大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法-CN201810474244.1有效
发明人：程春;王伟军;王经纬;石润;付阳;王国良;张海超;耿派;蔡念铎;陈鹏程;孔德俊 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：所述制备方法包括：将经过抛光平整处理的衬底置于支撑平面上，并使所述衬底与所述支撑平面形成0.5～15.0μm的间隙；将放置有所述衬底的所述支撑平面置于低压化学气相沉积腔室内，在缓冲气体保护氛围下对所述衬底进行退火处理；向所述低压化学气相沉积腔室中通入六方氮化硼前躯体，以低压化学气相沉积法使所述六方氮化硼前躯体在所述衬底与所述支撑平面正相对的表面发生反应生长成六方氮化硼单晶或薄膜。本发明方法获得的单层六方氮化硼薄膜尺寸大、具有原子级的平整度、晶界密度低、无悬挂键，是一种理想的二维材料衬底材料，在电子工业领域具有广泛地应用前景。
尺寸单层氮化硼单晶薄膜制备方法

[发明专利]三维闪存结构和电子设备-CN202110276362.3在审
发明人：黄尧 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维闪存结构和电子设备，其中，三维闪存结构包括：衬底结构；介质堆叠层，设于衬底结构的一侧，介质堆叠层上设有多个存储单元以及第一选择开关，第一选择开关设于存储单元远离衬底结构的一侧，其中，衬底结构靠近介质堆叠层的一侧设有平面场效晶体管，第一选择开关和/或平面场效晶体管用于选择多个存储单元中的至少一个。本申请中，在生产过程中，仅需在介质堆叠层上设置存储单元和作为上选择开关的第一选择开关即可，将作为下选择开关的平面场效晶体管设置在衬底结构的平面位置，由于平面场效晶体管的开关特性较好，可在不影响三维闪存结构整体的架构的基础上
三维闪存结构电子设备

[发明专利]制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法-CN202210279387.3在审
发明人：保罗·詹森;J·H·克洛特韦克;W·T·A·J·范登艾登;A·N·兹德拉夫科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：在一个布置中，堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成；围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成；所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成。
制造用于紫外线光刻隔膜组件方法设备器件

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202210926348.8在审
发明人：朱家柱;袁勤文 -专利权人：湖北长江新型显示产业创新中心有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及显示装置，通过将像素电路中至少部分薄膜晶体管设置在与衬底所在平面具有大于0°夹角的斜面上，使得显示面板受到的外界冲击力被分解为垂直于斜面的径向力和平行于斜面的切向力，而径向力是导致显示面板出现裂纹等损伤的主要因素，从而减小斜面径向上受到的冲击力，保护至少部分薄膜晶体管不受外界冲击力的影响，提升显示面板的强度，并且，由于像素电路中驱动晶体管较敏感，且受到工艺制程的要求，因此，设置驱动晶体管所在表面与衬底所在平面的夹角小于至少一个开关晶体管所在表面与衬底所在平面的夹角，使得驱动晶体管所在表面与衬底所在平面的夹角较小，或直接与衬底所在平面平行，保证驱动晶体管的稳定性。
一种显示面板显示装置

[发明专利]制造用于极紫外线光刻的隔膜组件的方法、隔膜组件、光刻设备及器件制造方法-CN201680082147.7有效
发明人：保罗·詹森;J·H·克洛特韦克;W·T·A·J·范登艾登;A·N·兹德拉夫科夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在一个布置中，堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔膜组件包括：由所述至少一个隔膜层形成的隔膜；保持所述隔膜的边界，所述边界由所述平面衬底的所述边界区形成；围绕所述边界的边缘区段，所述边缘区段由所述平面衬底的所述边缘区形成；所述边界与所述边缘区段之间的桥接件，所述桥接件由所述至少一个隔膜层及所述平面衬底的所述桥接区的第二部分形成。
制造用于紫外线光刻隔膜组件方法设备器件

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条