专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202310429525.6在审
  • 郑俊义;许培育;江丽贞;张昊;陈炫彤;张许阳 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-08-18 - H01L23/48
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法,属于半导体器技术领域,所述半导体器件包括衬底、第一衬垫、第二衬垫及连接层。第一衬垫与第二衬垫在垂直方向上堆叠设置在衬底上。连接层的至少一部分设置在第一衬垫与第二衬垫之间,其中,第一衬垫、第二衬垫、与连接层中至少一个具有波浪形侧壁。所述制作方法,包括:提供衬底,在所述衬底形成第一衬垫与第二衬垫,所述第一衬垫与所述第二衬垫在垂直方向上堆叠设置。形成连接层,至少部分形成在所述第一衬垫与所述第二衬垫之间。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]晶体管的形成方法-CN201210299790.9在审
  • 涂火金;何有丰;金兰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-08-21 - 2014-03-12 - H01L21/336
  • 种晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有栅极结构;在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口;在所述开口的侧壁和底部表面形成第一衬垫,所述第一衬垫的材料为硅锗或碳化硅,所述第一衬垫内具掺杂离子,所述掺杂离子为P型离子或N型离子;在所述第一衬垫表面形成填充满所述开口的第二衬垫,所述第二衬垫的材料与第一衬垫一致,且所述第二衬垫内的锗或碳的原子百分比浓度比第一衬垫高,所述第二衬垫内具有与第一衬垫内相同的掺杂离子,且第二衬垫内的掺杂离子浓度比第一衬垫高。
  • 晶体管形成方法
  • [发明专利]沟槽隔离结构的形成方法-CN201310158820.9有效
  • 邓浩 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-04-28 - 2014-10-29 - H01L21/762
  • 一种沟槽隔离结构的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有开口;在所述开口的侧壁表面形成第一绝缘衬垫;在所述开口的底部表面形成第二绝缘衬垫;在形成第一绝缘衬垫和第二绝缘衬垫之后,进行表面处理工艺,使所述开口内的第一绝缘衬垫和第二绝缘衬垫表面具有氢氧键,且所述第二绝缘衬垫表面的氢氧键密度大于第一绝缘衬垫表面的氢氧键密度;在表面处理工艺之后,在所述开口内的第一绝缘衬垫和第二绝缘衬垫表面形成填充满所述开口的绝缘层
  • 沟槽隔离结构形成方法
  • [发明专利]一种优化衬垫质量的方法-CN202011061130.8在审
  • 鲍宇;徐建华 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-09-30 - 2021-01-08 - H01L21/768
  • 本发明提供一种优化衬垫质量的方法,提供具有凹槽结构的介电层,在凹槽结构内依次沉积一层扩散阻挡层和薄层衬垫;使用金属材料对薄层衬垫进行物理气相沉积,去除薄层衬垫内的杂质以致密化薄层衬垫,同时在薄层衬垫上形成一层金属薄层本发明针对铜互连工艺进行改进,通过对介电层的凹槽中的薄层衬垫利用金属材料进行物理气相沉积,利用高偏压的条件轰击薄层衬垫,以去除其内部杂质,使得薄层衬垫更加致密化,有效提高了薄层衬垫的成膜质量,降低接触孔的接触电阻
  • 一种优化衬垫质量方法
  • [发明专利]接触孔的制作方法-CN202111226189.2在审
  • 鲍宇;曾招钦 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-10-21 - 2022-02-11 - H01L21/768
  • 本申请公开了一种接触孔的制作方法,包括:在介质层中形成沟槽,介质层形成于衬底上方,衬底表面形成有半导体器件;在介质层和沟槽表面形成扩散阻挡层;通过CVD工艺在扩散阻挡层表面形成线性衬垫;通过PVD工艺在线性衬垫表面沉积形成衬垫;在衬垫表面形成铜种籽层;在铜种籽层上形成铜层,铜层填充沟槽;进行平坦化处理,去除沟槽外的扩散阻挡层、线性衬垫衬垫、铜种籽层和铜层,使沟槽外的介质层暴露。本申请通过在接触孔的制作过程中,通过CVD工艺形成线性衬垫后,通过PVD工艺在线性衬垫表面生成衬垫从而改善线性衬垫的成膜质量,降低其电阻,从而提高了器件的电学性能,进而提高其可靠性。
  • 接触制作方法
  • [实用新型]覆盖有衬垫的隔板穿线结构及车辆-CN202220039961.3有效
  • 朱博然;党程;马利 - 长城汽车股份有限公司
  • 2022-01-07 - 2022-07-12 - H02G3/22
  • 本实用新型提供了一种覆盖有衬垫的隔板穿线结构及车辆,本实用新型的覆盖有衬垫的隔板穿线结构包括隔板、以及覆盖于隔板上的衬垫,其中,隔板上设有穿线孔,对应穿线孔,衬垫上设有过线孔;并且,衬垫上设有开缝,开缝由衬垫的边缘延伸至过线孔中。本实用新型的覆盖有衬垫的隔板穿线结构,通过设置一条由衬垫的边缘延伸到过线孔中的开缝,在安装线束过孔胶套时,可通过由开缝处掀起衬垫的方式方便地将线束过孔胶套设置在过线孔中,并固定在穿线孔内;从而可避免在过线孔的周围加工多条豁口,并可有效缩减过线孔的开孔尺寸,利于改善隔板及其衬垫的整体隔声性能。
  • 覆盖衬垫隔板穿线结构车辆
  • [发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910870889.1在审
  • 蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-09-16 - 2020-04-03 - H01L21/8234
  • 公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫的集成电路装置与相关的制作方法。形成氧化物衬垫于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫于第一区与第二区中的氧化物衬垫上。在自第一区移除氮化物衬垫之后,形成隔离材料于氧化物衬垫与氮化物衬垫上,以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫、与氮化物衬垫凹陷,以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫、与氧化物衬垫)。
  • 集成电路装置形成方法
  • [发明专利]超声波探头-CN201280004853.1有效
  • 佐光晓史;竹中智子;石田一成 - 株式会社日立医疗器械
  • 2012-01-05 - 2013-09-11 - A61B8/00
  • 本发明提供一种超声波探头,具备将超声波与电信号相互转换的CMUT元件(13)、在表面形成多个CMUT元件(13)的半导体基板(15)、设在CMUT元件(13)的表面侧的声透镜(3)、以及设在半导体基板(15)的背面侧的衬垫(5),衬垫(5)由与半导体基板接触的第一衬垫(27)、以及设在衬垫(27)的背面侧的第二衬垫(29)形成,第一衬垫(27)根据半导体基板(15)的板厚设定声阻抗,衬垫(29)由能使透过衬垫(27)的超声波衰减的衰减材料形成,声阻抗与衬垫(27)的声阻抗一致地设定,从而抑制反射回波的多重反射。
  • 超声波探头

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