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- [发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202011414106.8有效
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朱中良;王裕平;陈昱瑞
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联华电子股份有限公司
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2018-07-19
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2023-09-12
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H10B61/00
- 本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL),以及一第一导电通孔(via),直接接触该MTJ元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。
- 磁性随机存取存储器结构
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