“翁宸毅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310732103.6在审
发明人：王慧琳;许家彰;翁宸毅;谢晋阳;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于金属间介电层内，形成一下电极层于金属间介电层上，其中下电极层包含一浓度梯度，形成一自由层于下电极层上，形成一上电极层于自由层上，再图案化该上电极层、该自由层以及该下电极层以形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310732298.4在审
发明人：王慧琳;侯泰成;高苇昕;蔡馥郁;谢晋阳;翁宸毅;张境尹;蔡滨祥;李昆儒;李志岳;吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;赖育聪;黄伟豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一超低介电常数介电层于第一MTJ上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第一超低介电常数介电层并形成一受损层于第一超低介电常数介电层上，再形成一第二超低介电常数介电层于该受损层上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201910418706.2有效
发明人：王慧琳;翁宸毅;曾译苇;谢晋阳;张境尹;李怡慧;刘盈成;施易安;曾奕铭;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一衬垫层于该MTJ上，形成一第二衬垫层于该第一衬垫层上，形成一金属间介电层于该MTJ上，形成一金属内连线于该金属间介电层、该第二衬垫层以及该第一衬垫层内并电连接该MTJ，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含不同材料。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器及其制作方法-CN201910634906.1有效
发明人：王慧琳;翁宸毅;谢晋阳;李怡慧;刘盈成;施易安;张境尹;曾奕铭;王裕平;林建廷;何坤展;邹宜勋;李昌珉;曾译苇;赖育聪;谢军 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存储器包括下电极层，位于一基底上方、磁隧穿结叠层，位于该下电极层上方、以及上电极层，位于该磁隧穿结叠层上方，其中该上电极层的材料为氮化钛，该氮化钛中氮成分的比例从该上电极层的顶面往底面递减。
磁阻随机存取存储器及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN201910827096.1有效
发明人：王慧琳;王裕平;翁宸毅;谢晋阳;蔡锡翰;张哲维;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底包含一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域；一第一MTJ设于该MTJ区域上；一第一金属内连线设于该逻辑区域上；以及一遮盖层由该第一MTJ一侧壁延伸至该第一金属内连线的一侧壁，其中设于该MTJ区域的该遮盖层以及设于该逻辑区域的该遮盖层包含不同厚度。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202310561422.5在审
发明人： 翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在连接结构与盖层上形成磁性隧穿结堆叠。对磁性隧穿结堆叠进行图案化制作工艺，以于连接结构上形成磁性隧穿结结构并移除盖层。在第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。第二金属间介电层围绕磁性隧穿结结构。一种半导体装置包括基底、连接结构、第一金属间介电层、磁性隧穿结结构与第二金属间介电层。第一金属间介电层的介电常数低于第二金属间介电层的介电常数。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811267036.0有效
发明人：王慧琳;许家彰;翁宸毅;谢晋阳;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成一金属内连线于金属间介电层内，形成一下电极层于金属间介电层上，其中下电极层包含一浓度梯度，形成一自由层于下电极层上，形成一上电极层于自由层上，再图案化该上电极层、该自由层以及该下电极层以形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811612412.5有效
发明人：王慧琳;侯泰成;高苇昕;蔡馥郁;谢晋阳;翁宸毅;张境尹;蔡滨祥;李昆儒;李志岳;吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;赖育聪;黄伟豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一超低介电常数介电层于第一MTJ上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分第一超低介电常数介电层并形成一受损层于第一超低介电常数介电层上，再形成一第二超低介电常数介电层于该受损层上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811044897.2有效
发明人： 翁宸毅;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法主要先形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一衬垫层于该MTJ上，去除部分衬垫层以形成一开口暴露该MTJ，之后再形成一导电层于开口内，其中导电层上表面切齐衬垫层上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201811306131.7有效
发明人： 翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，该半导体装置的制作方法包括下列步骤，在基底上形成第一金属间介电层。在第一金属间介电层上形成盖层。在基底上形成连接结构贯穿盖层与第一金属间介电层。在连接结构与盖层上形成磁性隧穿结堆叠。对磁性隧穿结堆叠进行图案化制作工艺，以于连接结构上形成磁性隧穿结结构并移除盖层。在第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。第二金属间介电层围绕磁性隧穿结结构。一种半导体装置包括基底、连接结构、第一金属间介电层、磁性隧穿结结构与第二金属间介电层。第一金属间介电层的介电常数低于第二金属间介电层的介电常数。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]磁阻随机存取存储单元-CN201910030820.8有效
发明人：王慧琳;曾译苇;王明俊;翁宸毅;谢晋阳;张境尹;王裕平;林建廷;刘盈成;施易安;李怡慧;曾奕铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻随机存取存储单元，其包含：一基底，其上具有一介电层；一导孔，设于该介电层中；一柱状堆叠，设于该导孔上，该柱状堆叠包含一底电极、一磁隧穿结层，设于该底电极上，以及一顶电极，设于该磁隧穿结层上；以及一间隙壁层，设于该柱状堆叠的侧壁上，其中该顶电极凸出于该间隙壁的一顶面。
磁阻随机存取存储单元

[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法-CN201811451705.X有效
发明人：王慧琳;许家彰;翁宸毅;林宏展;张境尹;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，该半导体存储器元件包含基底，具有存储单元区域和对准标记区域、介电层，覆盖存储单元区域和对准标记区域、导电通孔，位于存储单元区域内的介电层中、对准标记沟槽，位于对准标记区域的介电层中、存储结构，位于导电通孔上。存储结构包含从底电极金属层定义而来的底电极、从磁性隧穿接面层定义而来的磁性隧穿接面结构，以及上电极。对准标记沟槽中包含一残余金属堆叠，包含部分的底电极金属层及部分的磁性隧穿接面层。
半导体存储器元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法-CN202110613064.9在审
发明人：王慧琳;蔡锡翰;许清桦;翁宸毅;许博凯;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器元件的方法为首先形成第一磁性隧穿结(magnetictunneling junction,MTJ)于基底上，然后形成一第一上电极于该第一MTJ上，再形成一保护层环绕第一MTJ，其中保护层包含V形且该V形的谷点高于第一上电极顶表面。
磁阻随机存取存储器元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN202110533886.6在审
发明人：王慧琳;蔡锡翰;吴东明;翁宸毅;许清桦;范儒钧;林奕佑;张哲维;许博凯;张境尹 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一阵列区域以及第二阵列区域设于基底上，第一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于第一阵列区域，第一上电极设于该第一MTJ上，第二MTJ设于该第二阵列区域以及第二上电极设于该第二MTJ上，其中第一上电极与第二上电极包含不同氮对碳比例。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构-CN202110311963.3在审
发明人：王慧琳;许清桦;蔡锡翰;黄舜渔;翁宸毅;范儒钧;张哲维;林奕佑;许博凯;张境尹;洪雅娟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构，包括一基底、多个磁阻式随机存取存储器单元位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于一存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接、以及一超低介电系数层覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中该超低介电系数层的表面部位有掺杂氟，且位于该存储器区与该逻辑区交界处的该超低介电系数层的表面具有凹痕。
磁阻随机存取存储器结构

1
2
下一页»
尾页
共 22 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top