专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于薄膜结晶的系统和方法-CN200980145194.1无效
  • J·S·艾姆 - 纽约市哥伦比亚大学理事会
  • 2009-11-13 - 2011-11-02 - H01L21/02
  • 本发明描述了采用在基板表面上连续前进的长窄束形的脉冲辐射来使薄膜结晶的系统和方法。该方法提供结晶薄膜,其中结晶区域的质量和性能变化减少。一方面,该方法包括在第一扫描沿薄膜的x方向采用多个线束激光脉冲连续辐射具有x轴和y轴的薄膜,以形成第一组辐射区域;将薄膜沿y方向平移一定距离,其中该距离小于线束的长度;并且第二扫描中沿薄膜x方向的反方向采用线束激光脉冲序列连续地对薄膜进行辐射来形成第二组辐射区域,其中每个第二组辐射区域与第一组辐射区域的一部分重叠,并且其中每个第一和第二组辐射区域在冷却时形成一个或者多个结晶区域
  • 用于薄膜结晶系统方法
  • [发明专利]发光装置-CN200810137904.3有效
  • 山崎舜平;铃木幸惠;桑原秀明 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2008-07-03 - 2009-01-07 - H01L29/786
  • 本发明的目的在于提出批量生产性高地制造包括电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的发光装置的方法。本发明的要旨在于:在包括反交错型薄膜晶体管的发光装置的反交错型薄膜晶体管中,在栅电极上形成栅极绝缘膜,在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜,在微晶半导体膜上形成缓冲层,在缓冲层上形成一对源区域及漏区域,以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。
  • 发光装置
  • [发明专利]光学元件-CN201910484598.9有效
  • 柯俊民 - 睿亚光电股份有限公司
  • 2019-06-05 - 2022-10-14 - G02F1/13357
  • 本发明揭示一种光学元件,其包含波长转换薄膜、透明下阻气薄膜、透明上阻气薄膜以及透光薄膜。波长转换薄膜包含透明基材以及多个量子点。多个量子点均匀地分布于透明基材内。透明下阻气薄膜接合于波长转换薄膜的下表面上。透明上阻气薄膜接合于波长转换薄膜的上表面。透明上阻气薄膜的顶表面其上定义显示区域以及边缘区域。边缘区域围绕显示区域。透光薄膜形成于透明上阻气薄膜的顶表面上,并且仅覆盖边缘区域。透光薄膜的反射率的范围为40%~80%。
  • 光学元件
  • [发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910077347.5有效
  • 刘翔 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2009-02-18 - 2010-08-18 - H01L27/12
  • 阵列基板包括限定像素区域的栅线和数据线,像素区域内设置有薄膜晶体管、形成在基板上的像素电极和与像素电极一起构成存储电容的透明结构的存储电极。制造方法包括:沉积遮光金属薄膜、第一绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜形成有源层图形;沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜形成数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和像素电极图形;沉积第二绝缘层和栅金属薄膜形成栅电极和栅线图形;沉积第三绝缘层和透明导电薄膜形成存储电极、栅线接口过孔和数据线接口过孔图形。本发明通过形成透明结构的存储电极,可以有效地减少跳变电压ΔVp,还可以有效提高开口率和显示亮度。
  • tftlcd阵列及其制造方法
  • [发明专利]阵列基板及其制造方法和有源显示器-CN201010540705.4有效
  • 李文波;王刚;张卓;武延兵 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2010-11-10 - 2012-05-23 - H01L21/77
  • 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和有源显示器,该方法包括:在第一衬底基板上依次形成栅金属薄膜、栅绝缘层和有源层薄膜;在有源层薄膜上涂覆光刻胶,曝光显影;刻蚀掉光刻胶完全去除区域对应的栅金属薄膜、栅绝缘层和有源层薄膜形成包括栅线和栅电极的图案;刻蚀掉光刻胶部分保留区域对应的栅绝缘层和有源层薄膜形成包括栅线和公共电极线的图案;在形成上述图案的第一衬底基板上形成第一绝缘层薄膜;将光刻胶完全保留区域的光刻胶及其上的第一绝缘层薄膜剥离;接着形成源电极、漏电极、数据线、像素电极、有源层沟道及钝化层。
  • 阵列及其制造方法有源显示器
  • [发明专利]低温多晶硅层及制备方法、显示基板和显示装置-CN201710258068.3在审
  • 张慧娟;李栋;李小龙 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2017-04-19 - 2017-06-30 - H01L27/12
  • 一种制备低温多晶硅层的方法,包括提供衬底基板,衬底基板包括驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域;在衬底基板上沉积非晶硅层;并且利用激光束照射非晶硅层,使非晶硅层结晶形成多晶硅层,其中激光束照射驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数不同于照射非驱动薄膜晶体管区域中的非晶硅层时的扫描参数通过差异化处理驱动薄膜晶体管区域和非驱动薄膜晶体管区域,在不显著影响设备产能的情况下,驱动薄膜晶体管区域的非晶硅层在晶化过程中形成较大晶粒尺寸,载流子迁移率提高,并且后续形成的驱动薄膜晶体管的电气性能改善
  • 低温多晶制备方法显示显示装置
  • [发明专利]制造偏振衍射薄膜的方法-CN00133127.2有效
  • 西村凉 - 日石三菱株式会社
  • 2000-08-25 - 2001-03-28 - G02F1/1337
  • 根据本发明,提供一种生产偏振衍射薄膜的方法,其中包括如下步骤形成由含有液晶聚合物和可交联物质的液晶材料制成的薄膜,固定由该液晶材料形成的胆甾醇排列,交联该液晶材料以形成液晶薄膜和在液晶薄膜或偏振衍射薄膜的至少一部分上形成呈现衍射性能的区域,或者包括下面的步骤形成由含有液晶聚合物和可交联物质的液晶材料制成的薄膜,交联该胆甾醇排列状态的液晶材料以形成具有固定胆甾醇排列的液晶薄膜,和在所述液晶薄膜至少一部分上形成呈现衍射性能的区域
  • 制造偏振衍射薄膜方法

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