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[发明专利]制造电子照相显影剂用载体的方法、电子照相显影剂用载体、电子照相显影剂和成像方法-CN200880127114.5有效
发明人：大谷伸二;井上竜太;法兼义浩 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2008-12-18 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03G9/107 文献下载
摘要：制造载体的方法，包括：使用具有薄膜和位于所述薄膜的可变形区域中的环形振动发生单元的液滴形成单元，从所述薄膜中形成的多个喷嘴中周期性地形成和排出载体芯组合物液体的液滴的步骤，所述环形振动发生单元沿着所述区域的周边并且使所述薄膜振动的步骤；通过使排出的液滴固化而形成载体芯颗粒的步骤；和用树脂层涂覆所述载体芯颗粒的步骤。
制造电子照相显影剂载体方法成像

[发明专利]微透镜的制造方法及其制造装置-CN03146486.6无效
发明人：陈锦泰 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G02B3/08 文献下载
摘要：一种微透镜的制造方法及其制造装置，特别是有关于一种利用微流体布着制造微透镜及微透镜数组的方法及其制造装置，包括提供一媒介基底；接着，形成一薄膜于媒介基底上，并图案化该薄膜，以形成具有微透镜图案的一无或有薄膜区域在媒介基底上；然后，进行微流体布着步骤，将一微流体布着于无或有薄膜区域，以形成一微透镜。
透镜制造方法及其装置

[发明专利]掩模坯、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN202180020424.2在审
发明人：野泽顺;穐山圭司;T.L.何;H.J.唐 -专利权人：豪雅株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种掩模坯，该掩模坯容易目视辨认形成有薄膜的区域与未形成有薄膜的区域的边界，使得设置于形成薄膜的溅射装置上的掩模板的位置调整变得容易。一种掩模坯，具备基板和薄膜，其特征在于，所述基板具有两个主表面和侧面，在所述两个主表面与所述侧面之间设有倒角面，所述两个主表面中的一个主表面具有：包含该主表面的中心的内侧区域和该内侧区域的外侧的外周区域，在所述主表面的内侧区域上设有所述薄膜，所述外周区域对波长400nm～700nm的光的表面反射率Rs为10％以下，将所述薄膜的膜厚为9nm～10nm范围内的部位中的一个部位对波长400nm～700nm的光的表面反射率设为
掩模坯转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、基板、光感电路和显示面板-CN202211318316.6在审
发明人：袁广才;李海旭 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种薄膜晶体管、基板、电路及显示面板。该基板包括：有源层，其与薄膜晶体管的源电极部分交叠形成第一交叠区域，且与所述第一薄膜晶体管的漏电极部分交叠形成第二交叠区域；以及栅电极，其正投影覆盖所述第一交叠区域和所述第二交叠区域的任意一个交叠区域，且所述任意一个交叠区域的正投影在所述栅电极的正投影范围内。本公开实施例，可以提高光感薄膜晶体管的感光能力且结构简单。
薄膜晶体管基板感电显示面板

[发明专利]泵-CN201980035219.6在审
发明人：藤崎雅章;田中伸拓 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： F04B45/04 文献下载
摘要：泵(10)具备振动板(11)、流路形成部件(15)、泵室(101)以及薄膜阀(13)。振动板(11)配置有压电元件(12)，通过该压电元件(12)的形变来振动，且在外周配置有空隙(114)。流路形成部件(15)与振动板(11)对置配置，且在与振动板(11)对置的区域具有孔(151)。泵室(101)由振动板(11)和流路形成部件(15)围起，且具有与孔(151)连通的中央区域和与空隙(114)连通的外缘区域。薄膜阀(13)配置于泵室(101)内。在中央区域的压力低于外缘区域的压力时，薄膜阀(13)与振动板(11)、流路形成部件(15)抵接。
泵

[发明专利]泵-CN202211631545.3在审
发明人：藤崎雅章;田中伸拓 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F04B43/04 文献下载
摘要：泵(10)具备振动板(11)、流路形成部件(15)、泵室(101)以及薄膜阀(13)。振动板(11)配置有压电元件(12)，通过该压电元件(12)的形变来振动，且在外周配置有空隙(114)。流路形成部件(15)与振动板(11)对置配置，且在与振动板(11)对置的区域具有孔(151)。泵室(101)由振动板(11)和流路形成部件(15)围起，且具有与孔(151)连通的中央区域和与空隙(114)连通的外缘区域。薄膜阀(13)配置于泵室(101)内。在中央区域的压力低于外缘区域的压力时，薄膜阀(13)与振动板(11)、流路形成部件(15)抵接。

[发明专利]液晶显示装置-CN200510084666.0有效
发明人：邱俊昌;徐文义;李冠仪 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2005-07-14 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G02F1/135 文献下载
摘要：基板定义有一薄膜晶体管区域以及一像素区域。门极线形成于基板上，门极介电层形成于门极线及基板上，主动层形成于门极介电层上，掺杂层形成于主动层上，金属层形成于掺杂层上。门极线、门极介电层、主动层、掺杂层及金属层于薄膜晶体管区域构成一薄膜晶体管，且金属层在像素区域构成一接触部及一金属部，金属部的厚度大小足以使入射的光线部分穿透部分反射而形成一半穿半反区。钝化层覆盖薄膜晶体管区域及像素区域，像素电极层形成于钝化层上。通过金属层形成于像素的下方，使入射的光线无须通过基板，而直接由金属层反射以避免象差。
液晶显示装置

[发明专利]薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置-CN201180004127.5无效
发明人：尾田智彦;川岛孝启 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜半导体器件的制造方法、薄膜半导体阵列基板的制造方法、结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置，包括：准备基板(10)的工序；形成栅电极(11)的工序；形成栅极绝缘膜(12)的工序；形成源电极(19)和漏电极(20)的工序；形成硅薄膜(13)的工序；以及一边使激光对硅薄膜进行相对扫描，一边将激光照射到硅薄膜，使硅薄膜结晶化而形成结晶硅薄膜(15)的工序。激光为连续振荡型的激光，激光的强度分布在第一区域(R1)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧对称的强度分布，在第二区域(R2)中为相对扫描方向的前方侧与后方侧非对称的强度分布。并且，在第二区域(R2)中，相对扫描方向的后方侧的激光强度分布的积分强度值(S2)大于相对扫描方向的前方侧的激光强度分布的积分强度值(S1)。
薄膜半导体器件制造方法半导体阵列结晶形成以及装置

[发明专利]基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法-CN202210920080.7在审
发明人：陈琳;王思维;孟佳琳;王天宇;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器及其制备方法。该基于超薄ITO薄膜的SONOS存储器包括：衬底，其为具有SiO2层的Si片，所述SiO2层中形成有凹槽，作为栅极区域；栅极，形成在所述栅极区域；阻挡层/电荷俘获层叠层结构，覆盖所述栅极；隧穿层，形成在所述电荷俘获层上；超薄ITO薄膜，形成在所述隧穿层上，作为沟道；源极和漏极，形成在所述ITO薄膜两侧。
基于超薄 ito 薄膜 sonos 存储器及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202111587575.4在审
发明人：张诗豪;李绿周 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括设置在衬底上的二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜，所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成异质结，所述二硫化钼薄膜与所述外尔半金属薄膜不重叠的两端分别设置金属电极。通过在衬底上制备二硫化钼薄膜和外尔半金属薄膜，并使二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜之间的部分重叠区域形成混合维度的异质结，实现了高响应性、高探测率的光电探测器；同时利用异质结中二硫化钼薄膜与外尔半金属薄膜的电势差形成内建电场
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备-CN201811322852.7有效
发明人：刘川;陈昌东;郑集文;李恭檀;李敏敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备，薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅极绝缘层以及沟道层；在沟道层上形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置形成间隙，源极和漏极为具有吸氢性质的金属电极；使用含氢原子的反应气体沉积形成钝化层，以使得钝化层掺杂有氢离子，钝化层覆盖沟道层、源极和漏极；退火处理，以使得钝化层中的氢离子扩散到沟道层，并在沟道层中源极和漏极所对应的区域均形成未被氢掺杂的区域，沟道层的其余区域形成含氢的掺杂区域，从而减小本征半导体沟道的长度，即相当于增大薄膜晶体管的等效宽长比，提高了薄膜晶体管的开态电流，增大了薄膜晶体管的开关比，改善了薄膜晶体管的驱动能力。
薄膜晶体管及其制备方法显示器设备

[发明专利]TFT-LCD像素结构及其制造方法-CN200710176465.2有效
发明人：彭志龙 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：像素结构包括薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，所述薄膜晶体管中沟道区域的上方形成有遮挡来自液晶层光线的遮光结构层。制造方法包括：在基板上形成栅电极和栅线；连续沉积栅绝缘层、非晶硅薄膜和n⁺非晶硅薄膜，形成非晶硅层和n⁺非晶硅层；形成数据线和源漏电极层；沉积钝化层；通过半曝光、湿刻后灰化处理工艺在形成像素电极的同时在沟道区域的上方形成遮挡来自液晶层光线的遮光结构层。本发明通过在薄膜晶体管的沟道区域上方构建遮光结构层，实现对薄膜晶体管中沟道区域的遮盖，从而有效地减小了来自液晶层光线对非晶硅层的影响，降低了漏电流，改善了转移特性，提高了画面品质。
tft lcd 像素结构及其制造方法

[发明专利]用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法-CN201911150214.6在审
发明人：郭凯;赵剑;张传升;韩青树 -专利权人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司;中国节能减排有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： H01L31/0463 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于BIPV的透光薄膜电池及其制作方法，利用激光刻线工艺对所述CIGS薄膜太阳能电池的钼背电极进行刻划，确定透光区域，并在组件完成后，将透光区域上的所有薄膜刻蚀形成透光区域。
用于 bipv 透光薄膜电池及其制作方法

[其他]位移检测传感器和柔性设备-CN201990000376.9有效
发明人：长森栞 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：位移检测传感器具备：位移检测薄膜(10)，其在能够在折叠位置(L)折叠的壳体(102)，跨折叠位置(L)地配置；第1电极(11)，其形成于位移检测薄膜(10)的第1主面(14)；以及第2电极(12)，其形成于位移检测薄膜第1电极(11)配置于位移检测薄膜(10)的在壳体(102)的折叠位置(L)分割形成的第1区域(3)，第2电极(12)配置于壳体(102)中的位移检测薄膜(10)的与第1区域(3)不同的第2区域(4)。
位移检测传感器柔性设备

[发明专利]一种具有可动镜面的可调法珀腔器件及其制造方法-CN202080102174.2在审
发明人：郭斌;黄锦标 -专利权人：深圳市海谱纳米光学科技有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：一种具有可动镜面的可调法珀腔器件，所述可动镜面与另一镜面相对设置，所述可动镜面与所述另一镜面在外围相互键合以在所述镜面之间形成法珀腔体，所述可动镜面包括镶嵌有玻璃(12)的硅薄膜(10)，所述硅薄膜的中部区域被镶嵌有玻璃以形成透光区域，并且所述透光区域面对所述腔体的表面形成有镜面材料，所述硅薄膜的被键合的外围区域与所述中部区域之间的过渡区域被镶嵌有玻璃以形成弹性结构。由于硅的杨氏硬度远高于玻璃，镶嵌有玻璃的硅薄膜可以具有良好的机械强度和稳定的弹性系数，而且不受应力影响，使得可动镜面具有良好的可控性和稳定性，并且玻璃与硅的镶嵌结合可以增加器件设计的灵活性。
一种具有可动镜面可调法珀腔器件及其制造方法