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[发明专利]一种磁性随机存储器及其制造方法-CN202010849181.0在审
发明人：杨美音;高建峰;崔岩;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明提供的一种磁随机存储器及其制造方法，包括自旋轨道耦合层，自旋轨道耦合层的材料为钨合金材料，自旋轨道耦合层上的堆叠层，堆叠层包括依次层叠的磁性自由层、遂穿层和磁性固定层，自旋轨道耦合层控制磁性自由层的磁化方向这样，选择钨合金材料作为自旋轨道耦合层，电流通入自旋轨道耦合层后，由于钨合金材料的自旋霍尔角大，电流与自旋流之间的转化效率较高，产生的垂直于电流方向的自旋流较高，使得能够自旋轨道耦合层能够更快的翻转磁性自由层的磁化方向
一种磁性随机存储器及其制造方法

[发明专利]一种纳米环的量子纠缠态获取方法及其装置-CN201711384946.2有效
发明人：刘羽;朱红;任丹琴;陈俊;崔坤磊 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：该方法，包括：获取纳米环；对所述纳米环输入电场和磁场，调控第一自旋轨道耦合和第二自旋轨道耦合，以产生量子纠缠态，所述第一自旋轨道耦合包括对所述纳米环输入所述电场获取的自旋轨道耦合，所述第二自旋轨道耦合包括对所述纳米环输入磁场获取的自旋轨道耦合
纳米环自旋轨道耦合量子纠缠态电场磁场输入磁场调控

[发明专利]基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元-CN202110611143.6在审
发明人：王开友;刘雄华;佐拉.阿贝贝.贝克拉;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于合金中相反自旋流控制的磁随机存储单元，包括：衬底、缓冲层、自旋轨道耦合层和磁隧道结层；自旋轨道耦合层的材料为产生相反自旋流的包含重金属元素的二元或多元合金材料；磁隧道结层形成于自旋轨道耦合层上；磁隧道结层包括磁自由层，所述磁自由层形成于所述自旋轨道耦合层上；在所述自旋轨道耦合层施加脉冲电流，所述自旋轨道耦合层产生相反自旋流，通过所述相反自旋流诱导所述磁隧道结中的所述磁自由层的磁矩发生180°本公开不再使用高密度电流通入隧穿结实现磁自由层磁化翻转的方式，通过自旋轨道耦合层中产生的相反自旋流，由自旋轨道矩诱导磁自由层磁矩发生定向翻转。
基于合金相反自旋控制随机存储单元

[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及制备方法-CN201910292848.9有效
发明人：王开友;杨美音;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，该存取器包括：一楔形自旋轨道耦合层；一磁阻隧道结，位于所述楔形自旋轨道耦合层上，包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法，将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上，当在自旋轨道耦合层中通入电流源时，会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度，自旋流密度梯度引起一个自旋矩，导致磁矩在电流的作用下定向翻转，翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制，实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
一种自旋轨道磁阻随机存储器制备方法

[发明专利]一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法-CN201910940252.5有效
发明人：刘桐汐;王昭昊;周浩昌;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法，所述磁性存储器包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入电极和第一输出电极；所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角，本发明的磁性存储器无需外加磁场，并简化了存储器的控制电路，提高了存储密度
一种磁性存储器数据存储装置控制方法

[发明专利]自旋波器件及存储器-CN202111271197.9在审
发明人：王译;李文波;冯莹;罗时江;赵俊峰;闫鑫 -专利权人：华为技术有限公司;大连理工大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种自旋波器件及存储器，该自旋波器件包括：强自旋轨道耦合材料层，第一磁性层，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述第一磁性层之间的自旋波通道层；设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述自旋波通道层之间的至少一个插层；其中，所述强自旋轨道耦合材料层受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。
自旋器件存储器

[发明专利]自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置-CN201811333178.2在审
发明人：杨美音;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及写入方法、装置，在自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，当在自旋轨道耦合层中通入电流时，自旋轨道耦合层中产生自旋流，使得磁阻隧道结中的磁矩导向自旋轨道耦合层的平面内
自旋轨道耦合磁阻隧道结翻转温度差磁矩自旋磁阻式随机存储器转矩写入电流方向轨道

[发明专利]多功能磁性随机存储单元、存储器及设备-CN202011636695.4有效
发明人：王旻;王昭昊;王朝;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种多功能磁性随机存储单元、存储器及设备，多功能磁性随机存储单元包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，其中，所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变，本发明可使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转
多功能磁性随机存储单元存储器设备

[发明专利]激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件-CN201910496207.5有效
发明人：王开友;刘雄华;盛宇;曹易 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光加热控制磁随机的存储单元、存储器和逻辑器件，存储单元包括：衬底；自旋轨道耦合层，通过在所述自旋轨道耦合层施加电流产生垂直于所述自旋轨道耦合层表面方向的自旋流；磁性自由层，激光对所述磁性自由层照射加热产生所述磁性自由层磁性的梯度变化，并联合所述自旋流使所述磁性自由层的磁矩发生定向翻转；保护层。本发明通过激光对磁性自由层的照射加热产生磁性的梯度变化，以及在自旋轨道耦合层施加电流后，通过自旋轨道耦合层与磁性自由层界面产生的自旋流诱导梯度变化磁性薄膜的磁矩定向翻转，即可实现无外磁场下调控磁化的翻转
激光加热控制随机存储单元存储器逻辑器件

[发明专利]磁性随机存储单元、存储器及设备-CN202110210410.9有效
发明人：刘桐汐;王昭昊;王旻;王朝;吴比;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储单元、存储器及设备，包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场，所述磁隧道结自由层的磁矩受到类场矩的作用；当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态发生改变；当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时，所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应，所述第一自旋轨道矩电流的电流密度小于所述第二自旋轨道矩电流，本发明可通过结合外加磁场和类场矩对自由层磁矩的作用，使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。
磁性随机存储单元存储器设备

[发明专利]磁性随机存储单元、存储器及存储单元制作方法-CN202310954549.3在审
发明人：史书园;黄信豪;赵雅茹;王馨苒;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性随机存储单元、存储器及存储单元制作方法，磁性随机存储单元包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的磁隧道结；其中，所述磁隧道结包括自上而下依次设置的固定层、势垒层和自由层，所述自由层的底面与所述自旋轨道耦合层的顶面固定设置；所述自旋轨道耦合层为由重金属和轻金属形成的成分梯度合金层。本申请利用成分梯度合金的自旋电流梯度引导面内等效磁场，实现无辅助外加磁场的自由层磁矩的翻转。
磁性随机存储单元存储器制作方法

[发明专利]一种磁性存储单元及其数据写入方法-CN201811403215.2在审
发明人：王昭昊;赵巍胜;朱道乾 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性存储单元及其数据写入方法，具有垂直磁各向异性的磁隧道结被制造在强自旋轨道耦合层上方，在强自旋轨道耦合层的四个端口处分别镀有电极。磁隧道结的表面被制成长短轴不相等的形状，磁隧道结的表面形状的长轴与强自旋轨道耦合层的纵轴既不互相重合，也不互相垂直，而是互相倾斜，倾斜夹角既不等于0度，也不等于90度，而是介于0度和90度之间。为利用自旋轨道矩实现数据写入操作，需在强自旋轨道耦合层施加电流，电流的路径可以沿着强自旋轨道耦合层的纵轴或横轴，共有两种选择。磁隧道结的最终电阻态只取决于所施加的电流的路径，与电流的正负方向无关。
自旋轨道耦合磁隧道结磁性存储单元写入垂直磁各向异性数据写入操作互相垂直倾斜夹角施加电流正负方向不相等长短轴低功耗电阻态端口处电极重合长轴横轴自旋磁场施加轨道制造

[发明专利]一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法-CN202111546492.0有效
发明人：何聪丽;王守国;申世鹏;高阳;郭雅琴;张琦琦 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维材料的自旋轨道矩神经形态器件及制备方法，器件包括依次设置的衬底、自旋轨道耦合层、磁性层和电极层，自旋轨道耦合层或/和磁性层为二维材料，二维材料的层数为1~10层；磁性层具有垂直各向异性，自旋轨道耦合层用于当电流通过时产生自旋流，对临近的磁性层施加自旋矩，翻转临近磁性层的磁矩方向。
一种基于二维材料自旋轨道神经形态器件制备方法

[发明专利]电压控制磁随机存储单元、存储器及其构成的逻辑器件-CN201611213900.X有效
发明人：王开友;杨美音;蔡凯明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：其中，存储单元包括：铁电层，可在其上施加正向或负向的第一电压，以控制磁化的定向翻转；位于铁电层之上的自旋轨道耦合层，可在该层上施加第二电压，导致自旋轨道耦合层产生自旋流。位于自旋轨道耦合层之上的第一磁性层，所述自旋流可诱导该第一磁性层的磁性随机上下翻转。联合铁电层施加的第一电压，所述自旋流可以诱导第一磁层发生定向翻转。本发明通过对铁电层两端施加电压产生铁电极化，产生非均匀自旋轨道耦合效应，可调制电流诱导磁性薄膜磁性翻转的方向。
电压控制随机存储单元存储器及其构成逻辑器件

[发明专利]自旋电子器件和递归神经网络-CN202310845125.3在审
发明人：邢国忠;赵雪峰;林淮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋电子器件和递归神经网络。该自旋电子器件包括：衬底；自旋轨道耦合层，设置在衬底的顶面；磁性层，设置在自旋轨道耦合层的顶面，其中，在自旋轨道耦合层和磁性层的反对称交换作用以及偶极相互作用的共同作用下，能够形成稳定的周期性交替的磁畴结构；势垒层，设置在磁性自由层的顶面；至少两个电极，分别设置在衬底的顶面的两侧，且电极分别与自旋轨道耦合层、磁性层和势垒层连接，电极用于施加输入电信号；其中，在电极上施加输入电信号的情况下，输入电信号流入自旋电子器件使得自旋电子器件产生随输入电信号焦耳热，进而使得自旋电子器件的阻值具有动态波动特性。
自旋电子器件递归神经网络

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