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[发明专利]磁性存储器及坏点标记方法-CN202310263858.6在审
发明人：金辉;李朋宾;王昭昊;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种磁性存储器及坏点标记方法，包括磁性存储单元阵列、行标记器和列标记器；所述磁性存储单元阵列包括阵列排布的多个磁性存储单元；所述行标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每行磁性存储单元分别对应的多个行标记单元，用于标记对应行的磁性存储单元的可用状态；所述列标记器包括与所述磁性存储单元阵列的每列磁性存储单元分别对应的多个列标记单元，用于标记对应列的磁性存储单元的可用状态。本申请以行或列的磁性存储单元为单位进行坏点屏蔽，大大的节约了存储空间。
磁性存储器标记方法

[发明专利]磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法-CN200510126142.3有效
发明人：林文钦;邓端理;赖理学;王昭雄;赖逢时 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，具体涉及一种对于磁性存储单元的写入与读取的非破坏性方法，包括对于对应于受选取的磁性存储单元的受选取的读取线进行取样以获得第一信号，施加磁场至该受选取的磁性存储单元，对于该受选取的读取线进行取样以获得第二信号，比较该第一信号与第二信号以辨别该受选取的磁性存储单元的逻辑状态。本发明所述磁性存储单元的阵列和辨别磁性存储单元逻辑状态的方法，于读取之后无需再度将原先数据写入受读取的存储单元中，故可避免消耗额外的时间与电源。
磁性存储单元阵列辨别逻辑状态方法

[发明专利]一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备-CN201910842365.1有效
发明人：吕飞;叶力 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。
一种磁性存储单元加工方法随机存储器设备

[发明专利]包括可逆和单次可编程磁隧道结的半导体器件-CN201610900064.6有效
发明人：徐辅永;李龙圭;高宽协;李重在 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列进一步包括第一磁性存储单元的阵列和第二磁性存储单元的阵列。第一磁性存储单元中的每一个包括具有可逆阻抗状态的第一磁隧道结结构，而第二磁性存储单元中的每一个包括具有单次可编程(OTP)阻抗状态的第二磁隧道结结构。
包括可逆可编程隧道半导体器件

[发明专利]一种基于纳米环状磁性多层膜的查找表-CN201010234523.4有效
发明人：于国强;倪景华;吴金刚;季明华;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提出一种基于纳米环状磁性多层膜的查找表，包括输入端和输出端，还包括译码器、多个纳米环状磁性多层膜存储单元和多个数据配置线，其中：所述译码器与所述多个纳米环状磁性多层膜存储单元相连接，用于接收来自输入端的信息，并选择相应的纳米环状磁性多层膜存储单元进行读取；所述多个数据配置线与所述多个纳米环状磁性多层膜存储单元相连接，用于将数据配置到所述多个纳米环状磁性多层膜存储单元中；所述输出端与所述纳米环状磁性多层膜存储单元相连接，用于输出从所述多个纳米环状磁性多层膜存储单元读取的数据。采用纳米环状磁性多层膜作为存储单元使配置信息具有非易失性，同时降低功耗，提高储密度。
一种基于纳米环状磁性多层查找

[发明专利]磁性移位寄存存储器以及数据存取方法-CN200810182395.6有效
发明人：洪建中;沈桂弘 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C19/02 文献下载
摘要：本发明关于磁性移位寄存存储器以及数据存取方法。其中磁性移位寄存存储器，包括至少一条磁性存储轨，有多个磁壁分隔出多个磁域构成多个磁性存储单元。一定数量的磁性存储单元构成一存储单元，储存一丛数据(burst data)。一读取/写入元件设置在所述存储单元之间，以读取或写入经过读取/写入元件的所述磁性存储单元的该丛数据。一标记单元记录每一个磁性存储轨或是每一个存储单元的一标记值，以标示丛数据是位于该读取/写入元件的一第一边或是一第二边。一电流单元，根据标记值提供一操作电流给所述条磁性存储轨，使所述磁壁移位经过读取/写入元件。于读取/写入元件读取或写入丛数据后更新标记值。
磁性移位寄存存储器以及数据存取方法

[发明专利]磁性存储阵列结构及存储器-CN202210806669.4在审
发明人：刘晓阳;王晓光 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种磁性存储阵列结构及存储器，包括：多个磁性存储单元呈阵列排布，每一磁性存储单元连接第一控制线、第二控制线、第一信号线和第二信号线；在第一方向上，多个磁性存储单元连接同一第一控制线，多个磁性存储单元连接同一第二控制线；在第二方向上，多个磁性存储单元连接同一第一信号线；在第三方向上，多个磁性存储单元连接同一第二信号线；其中，第三方向与第一方向互不平行，以提高磁性存储阵列结构的排布密度
磁性存储阵列结构存储器

[发明专利]磁性随机存储器及其读写方法-CN202010335021.4在审
发明人：吴巍;徐征 -专利权人：吴巍;徐征
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性随机存储器及其读写方法，所述磁性随机存储器包括：主要由多个存储单元排列成的存储阵列，所述存储阵列由多条字线、多条位线以及多条源线控制，每个存储单元均具有磁性隧道结；所述磁性随机存储器在进行读或写操作时，所述存储阵列中与需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元所连接的位线和源线等电位。由此，就算相应的字线将与需要读或写的存储单元相邻的非读写存储单元的MOS管开启，由于非读写存储单元的MOS管的源极区与漏极区等电位，该MOS管也不会有电流流过，所以不会有误读与误写的问题。
磁性随机存储器及其读写方法

[发明专利]磁性随机存储器及其形成方法-CN201910284664.8在审
发明人：平尔萱;朱一明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器及其形成方法，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照菱形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。上述磁性随机存储器具有较高的性能。
磁性随机存储器及其形成方法

[发明专利]磁性随机存储器及其形成方法-CN201910285077.0在审
发明人：平尔萱;朱一明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器及其形成方法，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照矩形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。上述磁性随机存储器具有较高的性能。
磁性随机存储器及其形成方法

[实用新型]磁性随机存储器-CN201920478174.7有效
发明人：平尔萱;朱一明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照矩形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。上述磁性随机存储器具有较高的性能。
磁性随机存储器磁性存储单元磁性存储层基底表面存储层磁性隧道结导电接触垂直贯穿矩形阵列阵列形式堆叠基底两层排布

[实用新型]磁性随机存储器-CN201920478175.1有效
发明人：平尔萱;朱一明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照菱形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结。上述磁性随机存储器具有较高的性能。
磁性随机存储器磁性存储单元磁性存储层基底表面存储层磁性隧道结导电接触垂直贯穿菱形阵列阵列形式堆叠基底两层排布

[发明专利]MRAM存储阵列-CN201910229001.6有效
发明人：杨保林;熊保玉;承祎琳;何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种MRAM存储阵列，包括：按矩形阵列形式排布的多个存储单元，所述存储单元包括MTJ单元，所述MTJ单元的磁化方向为沿MTJ薄膜生长方向，阵列中相邻两个所述存储单元中的MTJ单元的的顶部设有共用的磁性电极，阵列中全部磁性电极的排列方向相同，所述磁性电极用于为相邻两个所述存储单元中的MTJ单元提供一个磁矩以辅助所述MTJ单元的自由层实现翻转；其中，所述存储单元中的MTJ单元的截面形状为圆形形状，相邻两个所述存储单元共用的所述磁性电极的截面形状为具有长轴和短轴的几何形状本发明能够提高存储阵列的密度。
mram 存储阵列

[发明专利]磁性存储单元以及制造磁性存储单元的方法-CN200510059171.2有效
发明人：迈克尔·C·加蒂斯;菲利普·L·特罗伊鲁德;希瓦南达·K·卡纳卡萨巴帕西;戴维·W·亚伯拉罕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：在MRAM单元中，写入电流嵌入在低磁阻材料中，该低磁阻材料以几种方法中的一种来处理，以使得最接近存储元件的材料不能承载磁通，从而建立朝向存储元件集中磁通的马蹄形横截面。
磁性存储单元以及制造方法

[发明专利]磁性随机存储器及其形成方法-CN201910285050.1在审
发明人：平尔萱;朱一明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性随机存储器及其形成方法，所述磁性随机存储器包括：基底，所述基底表面形成有导电接触垫；位于所述基底表面的磁性存储层，所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层，所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元，所述多个磁性存储单元按照矩形阵列单元的阵列形式排布，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结；所述基底内形成有多个存取晶体管，与所述磁性存储单元一一对应，所述存取晶体管的栅极环绕沟道区设置上述磁性随机存储器具有较高的性能。
磁性随机存储器及其形成方法

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