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[发明专利]存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路-CN201310257034.4有效
发明人：龙翔澜;李明修;吴昭谊;施彦豪;王典彦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集成电路相变化存储器被安装在衬底上，然后通过感测第一及第二电阻态，数据组可被读取，并将第一电阻态的结构单元转变成第三电阻态，将第二电阻态转变成第四电阻态。在焊接或其它热循环程序之后，第一及第二电阻态仍保持在感测限度内。使用适用于电路任务功能的高速率及低功率，第三及第四电阻态具有导致过渡态的能力。
存储器结构单元操作方法数据读取方法集成电路

[发明专利]存储器结构单元的操作方法、数据读取方法及集成电路-CN201010574083.7有效
发明人：龙翔澜;李明修;吴昭谊;施彦豪;王典彦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：该集成电路相变化存储器可以通过引入第一电阻态于一些结构单元及存储器中，及第二电阻态于一些其它的结构单元及存储器中，来被预编码，以代表一数据组。在编码数据组之后，此集成电路相变化存储器被安装在衬底上，然后通过感测第一及第二电阻态，数据组可被读取，并将第一电阻态的结构单元转变成第三电阻态，将第二电阻态转变成第四电阻态。在焊接或其它热循环程序之后，第一及第二电阻态仍保持在感测限度内。使用适用于电路任务功能的高速率及低功率，第三及第四电阻态具有导致过渡态的能力。
存储器结构单元操作方法数据读取方法集成电路

[发明专利]电阻式存储装置及其制作方法-CN201310538954.3有效
发明人：曾俊元;黄骏扬;黄崇祐;蔡宗霖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储装置及其制作方法，电阻式存储装置包括：一基板；一下电极，位于基板上方；一下电阻转态层，位于下电极上；一界面层，位于下电阻转态层与下电极间；一上电阻转态层，位于下电阻转态层上；及一上电极，位于上电阻转态层上通过本发明所提供的电阻式存储装置及其制作方法，可使电阻式存储器具有较少的高电阻及低电阻状态的变动程度，可有效改善电阻式存储器的耐久度。
电阻存储装置及其制作方法

[发明专利]控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器-CN201910819096.7有效
发明人：竹敏;熊保玉;何世坤 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该控制方法包括：采集存储单元所在环境的温度；获取第一关系、第二关系和第三关系，至少根据采集的温度、第一关系、第二关系以及第三关系调整第一开关单元的电阻和/或参考电阻，得到最终高阻态电阻、最终低阻态电阻和最终参考电阻，最终参考电阻与最终低阻态电阻之间的差值为第一预定差值，使得最终参考电阻与最终高阻态电阻之间的差值为第二预定差值。在存储单元的电阻和/或参考电阻随着环境温度的变化而发生变化的情况下，最终参考电阻与最终高阻态电阻之间的差值和最终参考电阻与最终低阻态电阻之间的差值接近或者相等，从而保证了对存储单元的读取的结果错误率最低
控制方法装置读取存储介质处理器

[发明专利]能够快速测量绕组热态电阻值的绕组温升试验方法-CN202110084767.7有效
发明人：姚磊;宋家汉;刘波;冯皓;梁鹤鸣;朱珈;张传甲;陈宇军 -专利权人：威凯检测技术有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够快速测量绕组热态电阻值的绕组温升试验方法，能够实现对被测绕组Lr的冷态电阻值和热态电阻值的测量；通过步骤S4和步骤S5，在将被测绕组Lr断电后，先利用释放电阻R1加速被测绕组Lr两端电压的下降，待被测绕组Lr的两端电压快速下降到安全电压以下时，再接入绕组电阻测量设备测得被测绕组Lr的热态电阻值，因而，能够防止被测绕组Lr断电时的高压残余电压烧坏绕组电阻测量设备，能够缩短被测绕组Lr断电到绕组电阻测量设备测量热态电阻值之间的时间，使得绕组电阻测量设备测得的热态电阻值更接近于被测绕组Lr在断电时刻的真实热态电阻值，提高了测试结果的准确性；并且，步骤S4至步骤S5的整个过程中，无需人工操作。
能够快速测量绕组热态电阻值试验方法

[发明专利]非挥发性存储器-CN201210574551.X有效
发明人：张文岳 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：上述非挥发性存储器包括一底电极，其具有一第一晶格常数；一电阻转态层，设置于上述底电极上方，其具有一第二晶格常数；一顶电极，设置于上述电阻转态层上；一分隔层，设置于上述底电极和上述电阻转态层之间，其具有不同于上述第一晶格常数和上述第二晶格常数的一第三晶格常数本发明可降低在同一晶圆不同晶片上的电阻转态层的晶粒尺寸变异量，大幅提升元件的电阻转换阻值、高电阻态对低电阻态的比值、元件耐久度等特性。
挥发性存储器

[发明专利]电阻式随机存取存储器装置-CN201510988007.3在审
发明人：陈达;廖绍憬;王炳琨 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器装置，包括底电极；电阻转态层，设置于底电极上；可氧化层，设置于电阻转态层上；第一氧扩散阻障层，位于可氧化层与电阻转态层之间；以及第二氧扩散阻障层，位于可氧化层上。本发明实施例的电阻式随机存取存储器装置，可以克服现有技术中的在施加写入电压至RRAM装置时，电阻转态层中的氧原子可能回扩散至电阻转态层，甚至逃逸出顶电极而造成RRAM装置失效的问题。
电阻随机存取存储器装置

[发明专利]存储器元件与其工艺-CN201310164409.2在审
发明人：曾俊元;黄骏扬;江政鸿 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件，至少包括一叠层结构，所述叠层结构具有上电极/上电阻转态层/氧电浆处理后的下电阻转态层/下电极的结构。本发明通过氧电浆处理来提升氧离子含量于电阻转态层中，而增加的氧离子数目可有效提升电阻转态的次数。此外，氧电浆处理与电阻转态层薄膜的沉积皆由同一台原子层沉积系统来达成，此方式减少了因工艺腔体破真空后所可能造成的薄膜品质变质或进而影响电阻转态特性等问题，因此所述工艺方法可改善薄膜品质且便于大量量产制造本发明的工艺方法相当适合应用于高效能电阻式非易失性存储器元件的量产制作。
存储器元件与其工艺

[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法-CN201810927758.8在审
发明人：王超鸿;李岱萤;蒋光浩;林榆瑄;陈宗铭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻式存储器元件及其制作方法，该电阻式存储器元件包括：第一电极层、电阻转态层以及第二电极层。电阻转态层位于第一电极层上，且包括三元过渡金属氧化物。第二电极层，位于该电阻转态层上。
电阻存储器元件及其制作方法

[发明专利]检测可变电阻材料的方法-CN200810203219.6有效
发明人：黄晓辉;季明华;宋立军;吴金刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：一种检测检测可变电阻材料的方法，包括，对可变电阻材料提供第一应力条件，使得所述可变电阻材料的阻值态跳变仅与热效应相关；保持第一应力条件，分别测量在多个温度下，所述可变电阻材料在单位时间内的阻值态跳变次数；根据所测量的多个单位时间内的阻值态跳变次数，检测所述可变电阻材料的热学稳定性；对所述可变电阻材料提供第二应力条件，使得所述可变电阻材料的阻值态跳变仅与电效应相关；保持第二应力条件，分别测量多个温度下，所述可变电阻材料达至阻值态切换所需的时间；根据所测量的多个达至阻值态切换所需的时间，检测所述可变电阻材料的陷阱能级情况。
检测可变电阻材料方法

[发明专利]一种一次性可编程存储器和电子设备-CN202210415932.7在审
发明人：何世坤;张楠;黄张英 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请公开了一次性可编程存储器和电子设备，属于磁旋存储领域，包括比较器、参考电阻、至少一个存储单元，存储单元包括磁性随机存储器和晶体管；磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与晶体管的第一端连接，磁隧道结的第二端与位线连接；晶体管的第二端分别与源极线、比较器的第一端连接，比较器的第一端与源极线连接；磁隧道结的读电压由源极线处施加，读电压大于磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。磁隧道结的读电压由源极线处施加，且大于由平行态翻转到反平行态的电压，所以读取的电阻为击穿态电阻或反平行态电阻，参考电阻的窗口即为反平行态电阻和击穿态电阻间的距离，窗口增大，且无需对磁隧道结的生产工艺做任何调整
一种一次性可编程存储器电子设备

[发明专利]一种非局域电阻式核磁共振测量方法-CN202011028664.0有效
发明人：刘洪武;杨凯锋 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G01N24/08 文献下载
摘要：本发明的一种非局域电阻式核磁共振测量方法属于自旋电子学技术领域，主要步骤包括：将非局域测量用二维电子气霍尔条形样品置于带有试样旋转台的低温恒温器中，形成具有磁畴结构的量子霍尔铁磁态；针对量子霍尔铁磁态进行非局域电阻测量、据获得的量子霍尔铁磁态电阻峰与倾角关系图谱对该量子态进行电阻式核磁共振测量、依据所获核磁共振图谱对量子霍尔铁磁态进行核自旋弛豫时间T1和核自旋退相干时间T态始终处于平衡态，所测量子态非局域电阻比正常测量电阻小2个数量级，将电阻式核磁共振测量精度提高了1个数量级。
一种局域电阻核磁共振测量方法

[发明专利]SOI基板的评估方法-CN201580024451.1有效
发明人：大槻刚 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的界面态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将界面态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的界面态密度而求取界面态密度，或是求取基于界面态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的界面态密度，基于预先求取界面态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的界面态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。
soi 评估方法

[发明专利]用以感测一存储单元阻态的电路及其方法-CN200710000116.5有效
发明人：廖忠志;邓端理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，一存储单元具有高阻态及低阻态。一高参考单元位于高阻态，及一低参考单元位于低阻态。该高参考单元的高阻态电阻值，与该存储单元位于高阻态时的电阻值之间，具有一第一差异幅度。该低参考单元的低阻态电阻值，与该存储单元位于低阻态时的电阻值之间，具有一第二差异幅度。差动放大器耦接该存储单元、该高参考单元及该低参考单元，提供一数字输出以表示该存储单元的阻态。本发明所述的用以感测一存储单元阻态的电路及其方法，能可靠地感测MRAM装置中存储单元的阻态，及改进读取MRAM数据的速度。
用以感测一存储单元电路及其方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910279365.5有效
发明人：吴伯伦;蔡世宁;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含第一电极、电阻转态层、盖层、保护层以及第二电极。电阻转态层设置于第一电极上方。盖层设置于电阻转态层上方，其中盖层的底表面小于电阻转态层的顶表面。保护层设置于电阻转态层上方且环绕盖层。第二电极的至少一部分设置于盖层上方且覆盖保护层。
存储器装置及其制造方法

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