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[发明专利]集成电路装置-CN201811583019.8在审
发明人：金桐*;李基硕;尹灿植;朴济民;安佑松 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：其具有包括第一有源区的单元阵列区域和包括第二有源区的外围电路区域；直接接触件，其连接至单元阵列区域中的第一有源区；位线结构，其连接至单元阵列区域中的直接接触件；以及外围电路区域中的第二有源区上的外围电路栅极结构，其中，外围电路栅极结构包括各自掺杂有彼此掺杂浓度不同的载流子杂质的两个掺杂的半导体层
源区单元阵列区域外围电路区域外围电路栅极结构掺杂载流子集成电路装置半导体层位线结构掺杂的衬底

[发明专利]一种中温区具有优异热电性能的碲化铋材料及其制备方法-CN201510051468.8有效
发明人：史迅;郝峰;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明中碲化铋材料通过自掺杂及Cu掺杂有效提高了材料的载流子浓度，使得材料电性能得到显著优化，同时本征激发受到抑制。优化后的材料在550K附近温区的热电性能得到大幅提升。
一种中温区具有优异热电性能碲化铋材料及其制备方法

[发明专利]一种超级电容器用黑色Ti-P-O纳米管阵列电极材料的制备方法-CN202210469761.6在审
发明人：董振标;张伟业;付泽民;刘旭辉;董安平;翟长生;韩生 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明通过一步气相磷化处理的方式，在钛氧化物纳米管中进行P5+掺杂的同时在其表面自掺杂Ti3+/氧空位。体相P5+掺杂协同表面Ti3+/氧空位自掺杂可大大提升导电性并促进电荷传输效率，表现出优秀的面电容特性。
一种超级电容器用黑色 ti 纳米阵列电极材料制备方法

[其他]线内处理系统-CN201190000982.4有效
发明人： M·P·斯图尔特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：向硅基板涂覆掺杂剂材料。之后使用激光来驱使来自掺杂剂材料的掺杂剂原子深入基板，从而形成高度掺杂的区域。随后对基板进行热处理，以在基板的剩余场区形成轻掺杂发射极区与浅p-n结。之后将导电触点沉积在高掺杂区上。所得场区具有高阻抗发射极区，所述高阻抗发射极区可吸收最少的光，使得有增量的光到达p-n结以转化成为电流。所得太阳能电池的高掺杂区具有非常低的电阻，以在发射极区与导电触点之间提供高传导路径。
处理系统

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片-CN200980144749.0有效
发明人：安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;文森特·格罗利尔;卢茨·赫佩尔;汉斯-于尔根·卢高尔;马丁·斯特拉斯伯格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出了一种用于制造光电子半导体芯片的方法，包括以下步骤：A)构建带有至少一个被掺杂的功能层(7)的半导体层序列(200)，其具有带有至少一种掺杂材料和至少一种共同掺杂材料的连接复合体，其中选自掺杂材料和共同掺杂材料的一个是电子受主B)通过借助引入能量(14，15)断开连接复合体来激活掺杂材料，其中共同掺杂材料至少部分地保留在半导体层序列(200)中并且至少部分地并不与掺杂材料形成连接复合体。此外，提出了一种光电子半导体芯片。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]一种以ZnO/煤沥青为原料的氮掺杂多级孔炭纳米花材料、其制备方法及应用-CN202210537127.1在审
发明人：常彬彬;刘会利;石微微;王衡;杨保成 -专利权人：黄河科技学院
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B32/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种以ZnO/煤沥青为原料的氮掺杂多级孔炭纳米花材料、其制备方法及应用，以工业废料沥青为碳源，以ZnO为模板剂和原位活化剂前驱物，利用ZnO模板‑原位活化的串联功效制备合成表面氮自掺杂的多级孔炭纳米花
一种 zno 沥青原料掺杂多级纳米材料制备方法应用

[发明专利]热敏打印头和热敏打印机-CN202211481372.1在审
发明人：仲谷吾郎;中西雅寿 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B41J2/335 文献下载
摘要：电阻体层(4)包含选自掺杂有杂质的掺杂硅和碳化硅中的材料。
热敏打印头打印机

[发明专利]氮自掺杂多孔石墨碳MFCs空气阴极催化剂的制备方法-CN202011028985.0有效
发明人：张智;查正太;张媛;姚娟娟;付国楷;周远航;石雪平;陈诗浩;蔡芳芳;周顺;常瑞庭 -专利权人：重庆大学
申请日： 2020-09-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了氮自掺杂多孔石墨碳MFCs空气阴极催化剂的制备方法。本发明利用废弃的山竹果皮生物质来制备多孔石墨生物质碳，利用了生物质材料中本身含有的氮元素进行掺杂而不需要外加氮源，结合KOH的活化和Co2+催化石墨化，制备过程简单
掺杂多孔石墨 mfcs 空气阴极催化剂制备方法

[发明专利]一种高效碳自掺杂石墨相氮化碳可见光催化剂及其制备方法和应用-CN201710169639.6在审
发明人：孙建华;刘奉;曹鑫;牟志刚 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于材料制备及光催化技术领域，涉及一种高效碳自掺杂石墨相氮化碳可见光催化剂及其制备方法和应用。该可见光催化剂以三聚氰胺为前驱物，以不同碳氮比的有机小分子(氨基和/或羟基取代嘧啶)为自掺杂碳源，充分混合后经真空热处理和热共聚而制得。制备工艺简单、环保、成本低。
一种高效掺杂石墨氮化可见光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种空心自掺杂结构双金属光催化剂的合成方法及应用-CN201710942518.0在审
发明人：李维尊;陈昱;鞠美庭;候其东;王雁南;黄访 -专利权人：南开大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：一种空心自掺杂结构双金属光催化剂的合成方法包括将冰乙酸、去离子水和离子液体[Bmim][BF4]与钛酸四丁酯在搅拌状态下混合，直至变成澄清透明状态后，转移至70毫升特氟龙内衬水热反应釜中微波反应；经洗涤干燥后与尿素混合并煅烧，经引入金属前驱体混合溶液反应，洗涤干燥并煅烧后获得空心自掺杂结构双金属的AuPt/N‑TiO2光催化剂。
一种空心掺杂结构双金属光催化剂合成方法应用

[发明专利]梯度自掺杂多元金属氧化物半导体薄膜的喷雾热解制备方法-CN201910245436.X在审
发明人：汪福宪;郭鹏然;张芳;梁维新 -专利权人：广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自掺杂多元金属氧化物A_xB_yO_z半导体薄膜的喷雾热解制备方法，利用给液流速渐控制器变精确控制A、B前驱体溶液的给液速率通过调节起始给液速率和给液流速渐变速率，在镀膜过程中调控金属离子的比例，在抑制A或B的一元金属氧化物杂相析出的前提下，实现不同厚度薄膜底部至顶部之间金属离子A/B比例梯度的可控调节，制备从薄膜底部至顶部A/B比例梯度、厚度皆可控的梯度自掺杂多元金属氧化物
比例梯度给液多元金属氧化物半导体薄膜金属离子自掺杂制备喷雾热解一元金属可控高温热扩散喷雾热解法前驱体溶液析出镀膜过程分离问题厚度薄膜氧化物相控制器可控的热辅助速率和氧化物渐变薄膜调控

[发明专利]一种利用木质素磺酸盐制备自掺杂硫荧光碳纳米点的方法-CN201910460277.5在审
发明人：胡敬平;徐继坤;刘冰川;侯慧杰;杨家宽 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用木质素磺酸盐制备自掺杂硫荧光碳纳米点的方法，属于生物质纳米材料领域。然后加入少量含乙酰磺酸基阴离子的离子液体，并置于反应釜中；对所述反应釜进行加热，使所述含有乙酰磺酸基阴离子的离子液体催化裂解所述木质素磺酸盐，然后进行离心，去沉淀取上清液；将所述上清液通过水系滤膜进行过滤，即得到自掺杂硫荧光碳纳米点
木质素磺酸盐乙酰磺酸碳纳米荧光制备阴离子自掺杂离子液体反应釜优选离子液体催化纳米材料领域制浆造纸过程生物相容性荧光稳定性传感性能甲基咪唑取上清液副产物上清液生物质丁基裂解滤膜水中加热沉淀过滤水系

[发明专利]一种硫自掺杂硬碳超级电容器电极材料及制备方法-CN201910862533.3在审
发明人：王庆;闫绳学;周萌;高成林;罗绍华;刘延国;张亚辉;王志远;郝爱民 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫自掺杂硬碳超级电容器电极材料及制备方法，该方法将低阶煤粉化，制备出碳材料，引入KOH活化，考察引入不同质量的KOH对其制备出的碳材料的形貌与孔结构等对电化学性能的影响，制备出高比容量超级电容器电极材料，解决了传统碳材料制备过程复杂耗时，成本昂贵，解决了环境污染问题，通过碱活化扩大生物炭孔径，提高离子传输率，增大比容量，硫元素原位自掺杂于材料的表面和碳基体中，增加生物炭表面官能团，进一步扩大比容量，弥补了生物质炭材料不利用离子的传输的缺陷
比容量碳材料制备超级电容器电极生物炭自掺杂离子形貌环境污染问题表面官能团超级电容器电化学性能生物质炭制备过程综合性能比电容传输率低阶煤碱活化孔结构硫元素碳基体电极引入粉化构建活化硬碳耗时传输应用考察

[发明专利]一种富氧氮自掺杂木质素基多孔碳纳米片制备方法及其锌离子储能应用-CN202210949532.4在审
发明人：张以河;张韩方;刘嫣然;孙黎 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B32/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种富氧氮自掺杂木质素基多孔碳纳米片及其制备方法和应用，纳米片的长宽尺寸在1‑2μm范围的片状结构，比表面积在900‑1100m2g3溶液，得到混合溶液；混合溶液历经干燥、煅烧、盐酸洗涤、蒸馏水过滤洗涤、干燥、研磨、得到木质素基多孔碳纳米片，最后将产物与硝酸混合，在水热反应釜中氧化处理，得到富氧氮自掺杂木质素基多孔碳纳米片
一种富氧氮掺杂木质素基多纳米制备方法及其离子应用

[发明专利]一种降低外延片自掺杂的方法-CN202211502896.4在审
发明人：刘奇;李明达;居斌;边娜;刘云;翟玥 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延片自掺杂的方法。该方法在保证有小流量氯化氢气体刻蚀和高温烘焙的前提下，通过在衬底上先后设计生长两层本征，将外延片电阻率不均匀性由大于5%降低到1%以内，从而满足产品使用要求。该方法将第一层生长时间设定为40~80秒，第二层生长时间设定为20~60秒，中间间隔氢气吹扫时间为3~10 min，基座转速为30 r/min；采用开发双本征层抑制衬底的自掺杂效应，通过双本征层的生长，
一种降低外延掺杂方法

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