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[发明专利]一种降低外延自掺杂效应的装置和方法-CN201910433135.X在审
发明人：曾绍海;王俊丰;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低外延自掺杂效应的装置，包括半导体反应腔，以及设于所述半导体反应腔内的基座，所述基座设有贯通其上下表面的多个通孔，所述基座的底部设有聚气罐，并将所述通孔包覆在内，所述聚气罐连接抽气泵，本发明能有效解决外延淀积工艺期间的硅片正面不希望的自掺杂，装置结构简单，成本较低。本发明还公开了一种降低外延自掺杂效应的方法。
自掺杂气罐抽气泵反应腔通孔半导体外延淀积工艺硅片正面密闭容器上下表面有效解决装置结构包覆贯通

[发明专利]一种聚3-己基噻吩/自掺杂富缺陷氧化锡异质结纳米复合光催化材料的制备方法-CN201811093206.8在审
发明人：杨柳青 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： B01J31/26 文献下载
摘要：一种聚3‑己基噻吩/自掺杂富缺陷氧化锡异质结纳米复合光催化材料的制备方法。将自掺杂富缺陷氧化锡异质结材料通过化学键络合的形式负载分散于P3HT而得到的纳米复合材料；自掺杂富缺陷氧化锡选自Sn掺杂的非化学计量比或混合价态锡氧化物组成的富缺陷氧化锡SnO_2‑x；本发明利用自掺杂富缺陷氧化锡的可见光光催化氧化还原特性、聚‑3己基噻吩的导电性和可见光催化能力，以及不同组分间具有化学键合的异质结结构，来充分抑制其光催化反应中的光生电子‑空穴复合，从而有利于提高其光催化氧化还原降解污染物和光催化分解水产氢的性能
氧化锡自掺杂聚3 -己基噻吩己基噻吩复合光催化材料异质结制备非化学计量比纳米复合材料导电性化学键光催化反应光催化分解光催化氧化降解污染物可见光催化异质结材料异质结结构催化氧化粉体材料光生电子化学键合还原特性混合价态空穴复合困难问题锡氧化物形式负载掺杂的络合塑型还原水产回收

[发明专利]一种自掺杂生物基碳材料及其制备方法和用途-CN201910400786.9在审
发明人：徐常威;张婵娟;吴凯燕;黄舒平;李巧贤 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种自掺杂生物基碳材料的制备方法，(1)将生物基碳材料清洗、烘干并研磨成粒径为100‑500目的粉末；(2)将生物基碳材料的粉末和金属化合物溶液混合得到混合物A；(3)将所述混合物A进行碳化，得到材料B；(4)将材料B用洗涤剂清洗，然后烘干，即得所述自掺杂生物基碳材料。该材料可用于醇类燃料电解水、超级电容器、全解水催化剂的自掺杂生物基碳材料，在Pd的负载量相同的条件下，充分利用生物基碳材料本身的特点，除了自掺杂一些非金属杂原子以外，再掺入的少量的过渡金属后，析氧反应的过电位明显降低
生物基碳自掺杂制备烘干金属化合物溶液非金属杂原子超级电容器得到混合物材料清洗醇类燃料过渡金属析氧反应研磨成粒洗涤剂电解水负载量过电位混合物催化剂掺入电阻减小可用碳化清洗

[发明专利]一种静电自掺杂二极管及其制备方法-CN202210429697.9有效
发明人：张跃;卫孝福;张铮;张先坤;于慧慧;高丽;汤文辉;洪孟羽;都娴 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电自掺杂二极管及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述静电自掺杂二极管的结构包括：依次堆叠的绝缘衬底、漏极、介电层、二维半导体层和源极，其中，二维半导体层需要与漏极接触。本发明制备的静电自掺杂二极管具有服役稳定性好、普适性好等优异性能，同时，加工工艺简单。本发明提供的制备方法旨在避免化学掺杂，物理掺杂，缺陷调控等手段带来的材料极性不稳定的问题，提出一种简便可行，无损可逆的二极管构筑新途径。
一种静电掺杂二极管及其制备方法

[发明专利]一种三价钛自掺杂二氧化钛纳米颗粒‑部分还原氧化石墨烯纳米片复合材料及其制备方法-CN201711055812.6在审
发明人：赖跃坤;王姗迟;王晓沁;黄剑莹 -专利权人：南通纺织丝绸产业技术研究院
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种三价钛自掺杂二氧化钛纳米颗粒‑部分还原氧化石墨烯纳米片复合材料及其制备方法，复合材料呈粉末状，其粉末颗粒包括作为基底的部分还原氧化石墨烯纳米片和作为负载物的三价钛自掺杂二氧化钛纳米颗粒，三价钛自掺杂二氧化钛纳米颗粒均匀沉积于部分还原氧化石墨烯纳米片上。本发明制备的复合材料光电性能显著提高，同时具备良好的化学稳定性能和重复利用性，采用一步水热法实现了二氧化钛纳米颗粒在氧化石墨烯纳米片上的负载同时实现了三价钛的自掺杂以及氧化石墨烯的部分还原，获得的三价钛掺杂二氧化钛纳米颗粒尺寸分布均匀
一种三价钛掺杂氧化纳米颗粒部分还原石墨复合材料及其制备方法

[发明专利]一种基于LSPR效应金属修饰自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合材料的制备方法-CN201811093204.9有效
发明人：杨柳青;白青;高航 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B01J23/66 文献下载
摘要：一种基于LSPR效应金属修饰自掺杂富缺陷氧化锡纳米复合材料的制备方法，该纳米复合材料通过化学键络合将具有等离子共振效应的纳米金属颗粒修饰在自掺杂富缺陷氧化锡上的纳米复合光催化剂材料；自掺杂富缺陷氧化锡选自Sn掺杂的非化学计量比或混合价态富氧缺陷的氧化锡(SnO2‑x)；具有等离子共振效应的纳米金属选自Pt、Au、Ag、Cu等具有等离子共振效应的单组分金属或多组分合金的金属纳米粒子本发明利用自掺杂富缺陷氧化锡的可见光光催化氧化还原特性和金属纳米粒子的等离子共振效应以及两个组分之间具有化学键合的异质结结构，来充分提高其光催化反应中的光生电子‑空穴分离率，从而有利于提高其光催化氧化还原降解污染物和光催化分解水产氢的性能
一种基于 lspr 效应金属修饰掺杂缺陷氧化纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种自掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用-CN202211005339.1在审
发明人：郭玉鹏;康晓婷;原徐娜;葛晓豪;李雅洁 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明属于电极材料技术领域，具体涉及一种自掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用。本发明提供的自掺杂多孔碳材料的制备方法：将豆粕加热进行炭化，得到豆粕炭化产物；将所述豆粕炭化产物和活化剂混合后加热，在保护气体氛围中进行热解反应，得到所述自掺杂多孔碳材料；所述活化剂为碱金属碳酸盐。本发明提供的制备方法将含氮物料豆粕通过作为氮源碳源，将豆粕的炭化产物和碱金属碳酸盐活化剂直接混合加热进行热解反应，得到的自掺杂多孔碳材料孔隙结构发达，孔容量大、比表面积高、比电容高，电化学性能稳定，在恒电流充放电测试中
一种掺杂多孔材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮硫自掺杂荧光碳量子点及其制备方法和应用-CN202010425719.5有效
发明人：杜芳芳;成哲;王光辉;双少敏;董川 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮硫自掺杂荧光碳量子点及其制备方法和应用。本发明以甲基蓝为单一前驱体，以乙醇为溶剂，超声溶解后，通过高温反应得到淡黄色溶液，旋蒸掉乙醇溶剂得到粘稠固体，加水溶解，在二次水中用透析袋透析提纯，得到氮硫自掺杂的荧光碳量子点水溶液。本发明的制备方法简单，成本低，制备的碳量子点通过原位碳化富含氮硫双原子的前体进行自掺杂是非常必要的，并且可以减少复杂的后处理程序。所制备的氮硫自掺杂碳量子点，荧光量子产率高达60％，光学性质稳定，生物毒性低。
一种掺杂荧光量子及其制备方法应用

[发明专利]氮原子自掺杂近红外发射碳量子点的制备方法-CN202010845500.0有效
发明人：胡月芳;陈盛余;汤泉 -专利权人：贺州学院
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮原子自掺杂近红外发射碳量子点的制备方法，该方法包括如下步骤：a、将新鲜的枇杷叶置于无水乙醇中，搅拌2～6小时，得到提取液；b、将提取液进行离心分离，得到透明的上层清液；c、对上层清液进行过滤浓缩至出现浆体；d、将浆体进行微波处理，得到棕色残渣；e、将棕色残渣分散于无水乙醇中，得到分散液，再将分散液进行过滤，即得到所述的氮原子自掺杂近红外发射碳量子点。本发明通过以枇杷叶为前体，经一步微波法处理制备得到的氮原子自掺杂近红外发射碳量子点最大发射峰为682nm，量子产率为19.34％，且该氮原子自掺杂近红外发射碳量子点具有良好的水溶性、光稳定性、相容性及较低的毒性
原子掺杂红外发射量子制备方法

[发明专利]一种N自掺杂碳量子点的制备及其对农产品中镉和汞的检测方法-CN202210713364.9有效
发明人：沈国清;谭棋仁;王鲁梅;邓云;孙鹏;阳沁言;沈慧琳 -专利权人：上海交通大学云南（大理）研究院;上海交通大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明涉及食品检测技术领域，尤其是涉及一种N自掺杂碳量子点的制备及其对农产品中镉和汞的检测方法。本发明首先将氨基酸(尤其是L‑精氨酸)溶解后转移至聚四氟乙烯的反应釜中，水热反应后处理得到N自掺杂碳量子点；然后采用湿式消解法对农产品样品进行预处理，得到消解提取液；最后将消解提取液与掩蔽剂、N自掺杂碳量子点溶液混合反应后本发明制备得到的N自掺杂碳量子点用于检测农产品中镉和汞的含量，结果可靠，克服了现有检测技术成本昂贵，操作复杂等问题，具有良好的应用前景。
一种掺杂量子制备及其农产品检测方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201180017867.2无效
发明人：丹尼尔·L·迈耶;维诺德·钱德拉塞卡朗;亚当姆·M·佩恩 -专利权人：桑艾维公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池的制造方法还包括：对通道施加自掺杂金属浆料。太阳能电池的制造方法还包括：加热半导体晶片和自掺杂金属浆料，使得自掺杂金属浆料中的至少一些掺杂剂进入半导体晶片通过通道裸露的部分表面，形成选择发射区和位于选择发射区上并与选择发射区自对准的触点。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]具有改进电容的电容器-CN202180055756.4在审
发明人：史亚茹;安东尼·P·查科;顾晨怡;阿贾伊库马尔·布恩哈;陈庆平 -专利权人：基美电子公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C07D333/10 文献下载
摘要：然后在电介质上形成阴极层，其中阴极层包含自掺杂导电聚合物和交联剂，其中交联剂与自掺杂导电聚合物的重量比为至少0.01至不大于2。
具有改进电容电容器

[发明专利]一种以废二氧化钛载体制备自掺杂钛铌氧负极材料的方法、负极材料和锂离子电池-CN202310905266.X在审
发明人：黄国勇;温嘉玮;冯尔康;张文洁;吴明帅;申同俊 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种以废二氧化钛载体制备自掺杂钛铌氧负极材料的方法、负极材料和锂离子电池。本发明以废二氧化钛载体制备锂电池用自掺杂TiNb2O7负极材料的方法，包括如下步骤：S1、分别以氧化物计，将所述废二氧化钛载体转化成>粉末；S2、将所述TiO2粉末与Nb2O5粉末混合后焙烧，收集生成的Al自掺杂的TiNb2O7，得到所述自掺杂TiNb2O72及以Al2O3为代表的杂质，短流程直接制备出性能优异的自掺杂
一种氧化载体制备掺杂钛铌氧负极材料方法锂离子电池

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201610090150.5有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层(104)上印刷掺杂物源(105、106)。对掺杂物源(105、106)进行固化，以将来自掺杂物源(105、106)的掺杂物扩散至多晶硅层(104)中，从而形成扩散区(107、108)，并对掺杂物源(105、106)进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源(105、106)之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源(106)的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源(105)中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造

[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造-CN201180032257.X有效
发明人：蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池制造工艺，包括在太阳能电池衬底的背面上的多晶硅层（104）上印刷掺杂物源（105、106）。对掺杂物源（105、106）进行固化，以将来自掺杂物源（105、106）的掺杂物扩散至多晶硅层（104）中，从而形成扩散区（107、108），并对掺杂物源（105、106）进行交联，以使它们对后面执行的纹理化工艺具有抵抗性为了防止补偿掺杂，阻止来自掺杂物源（105、106）之一的掺杂物释放气体并扩散到其它掺杂物源中。例如，来自N型掺杂物源（106）的磷被阻止扩散到包括硼的P型掺杂物源（105）中。
具有防止补偿掺杂太阳能电池制造