[发明专利]一种降低外延片自掺杂的方法在审
| 申请号： | 202211502896.4 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115537922A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘奇;李明达;居斌;边娜;刘云;翟玥 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B25/02;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低外延片自掺杂的方法。该方法在保证有小流量氯化氢气体刻蚀和高温烘焙的前提下，通过在衬底上先后设计生长两层本征，将外延片电阻率不均匀性由大于5%降低到1%以内，从而满足产品使用要求。该方法将第一层生长时间设定为40~80秒，第二层生长时间设定为20~60秒，中间间隔氢气吹扫时间为3~10 min，基座转速为30 r/min；采用开发双本征层抑制衬底的自掺杂效应，通过双本征层的生长，建立双层结构抑制衬底中杂质元素的挥发和固相转移，减少杂质元素的掺入，使得后续外延层的生长环境更为理想，可以取得明显更优的电性结果，得到电阻率不均匀性低于1%的突出有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 外延 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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