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[发明专利]一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器-CN201811202937.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有有机材料，所述有机材料的上表面设置有多个周期分布的孔洞，并且有机材料的上表面还覆盖有金属膜；该基于肖特基势垒的宽频段光检测器，解决现有光热探测器无法进行较宽频段的光的检测的问题，通过有机物与金属形成肖特基结，由入射光对肖特基结的势垒造成影响，通过检测肖特基势垒的变化，从而反应入射光的特性；本发明提供的这种宽频段光检测器，在有机材料上设置有较深的孔洞，能够对更宽频段的入射光具有很好的吸收特性，从而影响有机材料内部的载流子，使得所形成的肖特基结的肖特基势垒发生变化。
宽频段肖特基势垒有机材料光检测器肖特基结入射光孔洞第一电极衬底层上表面载流子金属形成吸收特性周期分布金属膜有机物光热检测探测器势垒覆盖

[实用新型]一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器-CN201821680443.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的宽频段光检测器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有有机材料，所述有机材料的上表面设置有多个周期分布的孔洞，并且有机材料的上表面还覆盖有金属膜；该基于肖特基势垒的宽频段光检测器，解决现有光热探测器无法进行较宽频段的光的检测的问题，通过有机物与金属形成肖特基结，由入射光对肖特基结的势垒造成影响，通过检测肖特基势垒的变化，从而反应入射光的特性；本实用新型提供的这种宽频段光检测器，在有机材料上设置有较深的孔洞，能够对更宽频段的入射光具有很好的吸收特性，从而影响有机材料内部的载流子，使得所形成的肖特基结的肖特基势垒发生变化。
宽频段肖特基势垒有机材料光检测器肖特基结入射光孔洞本实用新型第一电极衬底层上表面载流子金属形成吸收特性周期分布金属膜有机物光热检测探测器势垒覆盖

[发明专利]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201811202489.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[实用新型]一种基于肖特基势垒的气体光检测器-CN201821674556.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的气体光检测器，包括弧面在下方的半圆形透光棱镜，半圆形透光棱镜的平面上方设置有气体感应层，气体感应层的上方设置有N型半导体层，N型半导体层的上方设置有金属层，金属层与外接电源的正极电连接，N型半导体层外接电源的负极电连接；基于肖特基势垒的气体光检测器，通过在检测器中设置气体感应层，由入射光入射气体感应层从而引起肖特基结的肖特基势垒发生变化，不同气体填充在气体感应层，会引起肖特基势垒不同的变化，在已知入射光特性的情况，根据肖特基势垒的变化，判断待测气体的特性，该基于肖特基势垒的气体光检测器，结构简单，实现了基于肖特基势垒检测器的多用能应用。
肖特基势垒气体感应光检测器检测器外接电源金属层棱镜透光本实用新型负极电连接入射光特性待测气体气体填充肖特基结入射光正极电弧面入射应用

[发明专利]一种肖特基紫外探测器及其制造方法-CN201810356353.3有效
发明人：陈达;罗海龙;叶菲 -专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基紫外探测器及其制造方法，包括：衬底；欧姆接触电极，形成在所述衬底的表面上；第一ZnO材料层，覆盖所述衬底及所述欧姆接触电极；肖特基接触金属，形成在所述第一ZnO材料层表面上，其中，所述肖特基接触金属包括底部肖特基接触金属，以及形成在所述底部肖特基接触金属上的若干个凸起结构；第二ZnO材料层，覆盖所述肖特基接触金属本发明的紫外探测器增强了第二ZnO材料层对紫外光的吸收，以及光生载流子的收集效率，提高光生载流子浓度，从而提高探测器灵敏度
肖特基接触金属材料层衬底肖特基紫外探测器欧姆接触电极光生载流子探测器灵敏度材料层表面紫外探测器紫外光收集效率凸起结构覆盖制造吸收

[发明专利]肖特基的光探测器及其形成方法-CN201810189788.3有效
发明人：陈达 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种肖特基结构的光探测器及其形成方法。通过将肖特基接触层形成在光敏层的内部，从而使光敏层中所形成的耗尽区从光敏层的表面扩展至光敏层的深处，有利于提高光敏层深处的光生载流子的分离和吸收的效率。并且可进一步将互连层掩埋入光敏层中，从而可同时减小肖特基接触层和互连层对入射光的阻挡，提高光敏层对入射光的吸收率，进而可改善肖特基结构的光探测器的性能。
肖特基探测器及其形成方法

[发明专利]基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法-CN201910706871.8有效
发明人：赵凯;魏钟鸣;李京波;宗易昕;邓惠雄;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于肖特基结的线偏振光探测器及其制备方法，属于光探测器的制备技术领域。所述基于肖特基结的线偏振光探测器，包括：漏电极、源电极、二氧化硅衬底以及有源层；所述漏电极、有源层以及源电极从左至右依次位于所述二氧化硅衬底上方；所述有源层的材料为N型半导体纳米线；所述漏电极和源电极的材料均为金属材料本发明提供的基于肖特基结的线偏振光探测器，通过使用半导体纳米线作为有源层，而源、漏电极均为金属材料，使半导体和金属的交界面为肖特基结，肖特基结可以使有源层本身只能吸收可见光延伸至红外光。
基于肖特基结偏振光探测器及其制备方法

[发明专利]测量肖特基势垒高度的装置和方法-CN201210209958.2有效
发明人：刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法，包括：光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机，该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表，实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描，从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明，由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的，避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响，具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
测量肖特基势垒高度装置方法

[发明专利]一种基于肖特基势垒的线偏振光检测器-CN201811202939.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基势垒的线偏振光检测器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有有机材料，所述有机材料的上表面设置有按序排列的第二电极、金属膜、第三电极层，第二电极与金属膜相连，金属膜与第三电极层相互间隔，所述金属膜为多个平行的金属条相互间隔形成缝隙制成；该基于肖特基势垒的线偏振光检测器，解决了现有光热探测器无法进行线偏振光探测的问题；通过在肖特基势垒的金属膜上设置梯形的缝隙或者孔洞从而使得入射的线偏振光能够产生很好的吸收特性，从而改变金属膜与有机材料所形成的肖特基结的肖特基势垒，通过检测肖特基势垒的变化，来反应线偏振光的特性。
肖特基势垒金属膜线偏振光检测器有机材料第二电极第三电极第一电极衬底层偏振光孔洞按序排列吸收特性肖特基结反应线金属条上表面光热探测器入射平行探测检测

[发明专利]近红外波段全硅基纳米光电探测器-CN201110459334.1有效
发明人：杨柳;何赛灵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导，肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁，硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层，在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1～2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流，实现光电转换。本发明克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制，具有超大带宽、偏振不敏感等优良特性，且因吸收率高可做得非常小，工艺制备与CMOS兼容，制作简单成本低。
红外波段全硅基纳米光电探测器

[实用新型]一种基于肖特基势垒的线偏振光检测器-CN201821674574.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于肖特基势垒的线偏振光检测器,包括衬底层,所述衬底层的上方设置有第一电极层，所述第一电极层的上方设置有有机材料，所述有机材料的上表面设置有按序排列的第二电极、金属膜、第三电极层，第二电极与金属膜相连，金属膜与第三电极层相互间隔，所述金属膜为多个平行的金属条相互间隔形成缝隙制成；该基于肖特基势垒的线偏振光检测器，解决了现有光热探测器无法进行线偏振光探测的问题；通过在肖特基势垒的金属膜上设置梯形的缝隙或者孔洞从而使得入射的线偏振光能够产生很好的吸收特性，从而改变金属膜与有机材料所形成的肖特基结的肖特基势垒，通过检测肖特基势垒的变化，来反应线偏振光的特性。
肖特基势垒金属膜线偏振光检测器有机材料第二电极第三电极第一电极衬底层偏振光孔洞本实用新型按序排列吸收特性肖特基结反应线金属条上表面光热探测器入射平行探测检测

[实用新型]一种近红外波段全硅基纳米光电探测器-CN201120574824.1有效
发明人：杨柳;何赛灵 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导，肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁，硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层，在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1～2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流，实现光电转换。本实用新型克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制，具有超大带宽、偏振不敏感等优良特性，且因吸收率高可做得非常小，工艺制备与CMOS兼容，制作简单成本低。
一种红外波段全硅基纳米光电探测器

[发明专利]一种CMOS嵌入式肖特基二极管制造方法-CN200910055371.9有效
发明人：黎坡;张拥华;周建华;彭树根 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种嵌入CMOS的肖特基二极管的制造方法，所述CMOS的制造过程中包括利用PESD光罩形成PESD区域，所述方法首先利用形成所PESD光罩在所述PESD区域的上方形成的淡N阱，作为所述肖特基二极管的阴极区；再在所述淡N阱上淀积金属层，作为所述肖特基二极管的阳极区。本发明的肖特基二极管使用现有存在的PESD光罩，不需要额外的光罩，仅增加了一步离子植入过程，同时该离子植入过程可以自由设计而得到理想的二极管衬底掺杂浓度和分布，因此使用本发明只需要增加较少的成本而可以制造出接近理想情况的肖特基二极管
一种 cmos 嵌入式肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法-CN202310853947.6在审
发明人：吴锂;俞亮;戴希远;杨颜如;孙剑;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法。本发明利用掺杂元素在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光，产生光生载流子；通过金属与硅衬底形成的肖特基结吸收近红外光，产生光生载流子；同时利用肖特基结的内建电场促使光生载流子单向传输，在零偏压或负偏压下形成光电流，从而探测近红外光；通过肖特基结的内建电场，显著增加载流子传输速率，降低光生载流子复合概率，提升器件的响应度以及探测度。
一种肖特基结增强缺陷吸收红外探测器及其制备方法

[发明专利]太赫兹混频天线和准光混频模块-CN201210382894.6有效
发明人：孙丽华 -专利权人：孙丽华
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供了太赫兹混频天线和准光混频模块。太赫兹混频天线包括第一、第二肖特基二极管、平面天线、隔直电容；第一肖特基二极管阴极与第二肖特基二极管阳极通过隔直电容相连，第一肖特基二极管阳极与第二肖特基二极管阴极直接相连或通过电阻相连；肖特基二极管位于平面天线的射频馈电端口；射频信号和本振信号通过平面天线由空间耦合馈入，经过肖特基二极管混频后输出中频信号，中频信号由平面天线最外侧以导行电流形式输出。准光混频模块包括太赫兹混频天线、偏置与中频电路和平面传输线。本发明的混频天线和准光混频模块可工作于亚谐波混频模式或基波混频模式，便于与标准电路接口连接；对混频天线加载直流偏置，降低了对本振功率的需求。
赫兹混频天线模块

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