“金属形成”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4603084个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]由熔融金属形成金属工件-CN92104260.4无效
发明人： R·库克;P·M·托马斯;J·D·亨特;D·V·埃德蒙斯;P·G·格罗科克 -专利权人：戴维麦基(普尔)有限公司
申请日： 1992-05-29 - 公布日： 1992-12-23 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：用以形成金属工件的方法及设备包括在被成型的熔融金属所啮合的至少一个冷却形体的表面上提供诸如锡或锡合金之类的金属或合金的措施。本方法及设备特别适合于熔融的铝。在双辊浇铸机内在浇铸之前或浇铸期间内在每个滚轮的周边上形成一层锡涂层。
熔融金属形成工件

[发明专利]金属物品形成设备和用于形成金属物品的方法-CN201580056814.X在审
发明人：蔡明华;何明光 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2015-08-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： B22D18/02 文献下载
摘要：根据各种实施例，提供一种金属物品形成设备，所述设备可以包括冲模，其具有贮存腔以及成形腔，所述贮存腔凹进所述冲模的表面的第一部分中，所述成形腔凹进所述冲模的所述表面的邻近于所述第一部分的第二部分中；以及冲头
金属物品形成设备用于方法

[发明专利]金属膜形成装置和金属膜形成方法-CN201510982989.5有效
发明人：平冈基记;柳本博;佐藤祐规 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C25D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属膜形成装置和金属膜形成方法。一种金属膜形成装置包括：阳极；树脂基板，其表面上形成有用作阴极的导体图案层；固体电解质膜，其包含金属离子并且位于阳极与所述树脂基板之间，所述固体电解质膜在金属膜形成时接触所述导体图案层的表面；电源；以及导电部件，其被设置为在所述金属膜形成时接触所述导体图案层，以使得所述电源的负电极被电连接到所述导体图案层，所述导电部件为可从所述导体图案层拆卸的，其中，当施加电压时，所述金属离子被还原而在所述导体图案层的所述表面上沉积形成所述金属膜的金属
金属膜形成装置方法

[发明专利]金属膜形成方法和金属图案形成方法-CN200680040966.1无效
发明人：松本和彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C25D5/56 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜形成方法，其特征在于具有：(a1)在基板上设置由具有与金属离子或金属盐相互作用的官能团、且与该基板直接化学键合的聚合物构成的聚合物层的工序，(a2)在聚合物层上提供金属离子或金属盐的工序，(a3)还原金属离子或金属盐，形成表面电阻率为10～100kΩ/□的导电层的工序，(a4)通过电镀形成表面电阻率为1×10^－1Ω/□以下的导电层的工序。
金属膜形成方法金属图案

[发明专利]金属栅极形成方法及其形成结构-CN201910816297.1在审
发明人：李宜静;郑雅云;林浩宇;陈奕升;许家铭;柯志欣;幸仁·万 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例涉及金属栅极形成方法及其形成结构。本揭露提供一种形成半导体结构的方法，其包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一对源极/漏极区；在所述衬底上方放置层间介电质层，所述层间介电质层具有介于所述第一对源极/漏极区之间的第一沟槽；在所述第一沟槽中沉积介电质层
金属栅极形成方法及其结构

[发明专利]金属图案形成用转印膜及金属图案形成方法-CN200810172562.9无效
发明人：桑田博昭;山下隆德;井上靖健;川岸诚治 -专利权人： JSR株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属图案形成用转印膜，该金属图案形成用转印膜是在支持膜上按抗蚀剂层、厚为1～20μm的金属层以及玻璃浆料层的顺序层叠而成的，且所述玻璃浆料层含有玻璃粉末和粘结树脂，该粘结树脂来自具有亲水性基团的单体的构成成分为5质量％以下；本发明还提供形成这些层而进行的金属图案形成方法。根据本发明的金属图案形成用转印膜和金属图案形成方法，可以制造电阻低的电极，进而在显影工序中，能够维持FPD部件的透明性，能够阻止金属箔从玻璃浆料层剥离，此外在蚀刻工序中，能够防止抗蚀剂层从金属箔脱离。
金属图案形成用转印膜方法

[发明专利]金属栅极形成方法-CN201510374270.3在审
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属栅极形成方法，包括：在衬底中形成金属栅极沟槽，并且在金属栅极沟槽的底部和侧壁上依次形成高介电常数层和氮化钛层；沉积氧化硅层，使得所述氧化硅层覆盖衬底表面以及金属栅极沟槽内的所述氮化钛层；对氧化硅层进行回刻，从而去除衬底表面以及金属栅极沟槽侧壁上的氧化硅层部分，保留金属栅极沟槽底部的底部氧化硅部分；湿法刻蚀去除暴露出来的氮化钛层部分，保留底部氧化硅部分覆盖的氮化钛部分；湿法刻蚀去除暴露出来的高介电常数层，并且完全去除底部氧化硅部分；在金属栅极沟槽中沉积功函数金属层；在金属栅极沟槽中填充栅极金属。
金属栅极形成方法

[发明专利]形成金属导线的方法-CN201510187237.X在审
发明人：钟显政;谢育材 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：一种形成金属导线的方法，包括下列步骤。将感光性组合物涂布于基底；使该基底上的该感光性组合物进行光照射硬化，形成含有催化剂图案的膜层；再施以无电电镀法以形成金属导线；其中该感光性组合物包括醋酸钯、低反射率材料、光引发剂、光可聚合单体和/或寡聚物
形成金属导线方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN201510847989.4在审
发明人：彭兆贤;吕志伟;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。所述方法还包含在所述渠道中形成导电特征。
形成金属互连方法

[发明专利]金属栅形成方法-CN201610795162.8在审
发明人：刘英明;鲍宇;周海锋;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅形成方法，包括：在衬底上形成层间介质层图案，其中在层间介质层图案所形成的凹槽中填充有伪栅极多晶硅，在层间介质层图案与衬底之间形成有隔离层，在层间介质层图案与伪栅极多晶硅之间形成有隔离层和氮化硅层和PMOS的伪栅极多晶硅，随后去除第一光刻胶图案；在晶圆表面依次沉积叠层和TiAl功函数层；涂覆第二光刻胶图案，并利用第二光刻胶图案对PMOS区域进行氮离子注入，从而使得PMOS区域的TiAl功函数层形成为掺杂的TiAl功函数层，随后去除第二光刻胶图案；在晶圆表面沉积阻挡层；在阻挡层上沉积金属电极层，其中，金属电极层完全填充凹槽；执行平坦化处理，以露出层间介质层图案。
金属形成方法

[发明专利]形成金属互连的方法-CN202110558603.3在审
发明人：彭兆贤;吕志伟;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及形成金属互连的方法。具体而言，本发明揭示一种制造半导体装置的方法。所述方法包含在衬底上方形成介电层，在所述介电层中形成渠道，在所述渠道中形成第一阻障层。所述方法还包含在所述渠道中形成导电特征。
形成金属互连方法

[发明专利]形成金属布线的方法-CN202080015760.3在审
发明人：三成刚生;刘旭影;孙晴晴;李万里 -专利权人：国立研究开发法人物质材料研究机构
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明提供一种简单地形成具有10μm以下进而小于10μm的线宽的金属布线的方法。本发明的形成金属布线的方法包括：在基板上形成润湿性控制层的步骤，将含有选自由环烯烃聚合物、聚乳酸及它们的衍生物、以及由聚硅氮烷组成的组中至少一种的高分子材料的高分子溶液涂布于基板并进行干燥的步骤；对润湿性控制层照射具有200nm以下的波长的真空紫外线的步骤；以及在润湿性控制层上涂布金属墨的步骤。
形成金属布线方法

[发明专利]金属皮膜形成方法-CN202180074951.1在审
发明人：深泽宪正;富士川亘;白发润 -专利权人： DIC株式会社
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C25D5/56 文献下载
摘要：本发明提供一种印刷配线板的制造方法，其无需利用铬酸、高锰酸进行的表面粗糙化、利用碱进行的表面改质层形成等，不使用真空装置，该印刷配线板具有基材与导体电路的高密合性、底切少、且可获得作为电路配线具有良好的矩形的截面形状的配线发现通过在臭氧气氛下处理的绝缘性基材(A)上形成含有由高分子分散剂被覆的金属粒子的镀覆晶种层(M1)而进行镀覆处理，能够在基材上形成密合性优异的金属镀膜而无需在基材表面形成金属渗透层，从而完成了本发明。另外，本发明人等发现，即使在臭氧气氛下处理的绝缘性基材(A)上形成底漆层(B)的情况下，也能够在基材上形成密合性优异的金属镀膜，从而完成了本发明。
金属皮膜形成方法

[发明专利]金属层的形成工艺-CN201410602693.1有效
发明人：义夫 -专利权人：丽晶美能（北京）电子技术有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属层的形成工艺。该形成工艺包括：步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，温度T1在400～450摄氏度之间；步骤S2，将具有第一金属层的基体在温度T1下保持100s～300s对第一金属层进行退火；以及步骤S3，在温度T3范围内，在第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。该金属层的形成工艺克服了传统溅射方法在金属表面形成凸起物的问题，能够形成光滑的金属表面，进而保证了良好的器件性能。
金属形成工艺

[发明专利]金属栅极形成方法-CN200810113991.9有效
发明人：郑春生;杨瑞鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成图形化的非晶碳层；形成环绕所述图形化的非晶碳层的侧墙；形成覆盖所述图形化的非晶碳层及侧墙的层间介质层；平坦化所述层间介质层并暴露所述图形化的非晶碳层；采用氧气灰化工艺去除所述图形化的非晶碳层，在所述层间介质层内形成沟槽；形成填充所述沟槽且覆盖所述层间介质层的金属层。本发明还提供了一种金属栅极形成方法。均可减少承载所述金属栅极的基底表面损伤。
金属栅极形成方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top