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[发明专利]聚焦离子束装置-CN202180036774.8在审
发明人：水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种聚焦离子束装置，其具备聚焦离子束柱状体，所述聚焦离子束柱状体在镜筒中内置有聚焦离子束光学系统而将聚焦离子束从所述镜筒的前端部射出，其中，在从所述聚焦离子束光学系统射出的所述聚焦离子束的去路的附近配置有向被处理基板的表面供给电子的金属针、金属片等电子供给部、具备捕获二次带电粒子的检测部的微通道板等，聚焦离子束装置通过设为这样简单的结构，由此能够实现聚焦离子束装置的低成本化，并且能够有效地防止带电。
聚焦离子束装置

[发明专利]一种利用聚焦离子束技术制备光纤探针的方法-CN201210031361.3有效
发明人：邵天敏;张少婧;刘佳琛;王惠;刘大猛 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G01Q60/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用聚焦离子束技术制备光纤探针的方法，包括以下步骤：对原始光纤进行预处理；将预处理后的光纤的固定在聚焦离子束系统的样品台上，调整样品台的方位，使聚焦离子束系统的离子束出射方向垂直于光纤的中心轴，启动聚焦离子束系统对光纤的端面进行铣削，使其端面光滑平整；调整样品台的方位，使聚焦离子束的出射方向垂直光纤的末端面，将圆环状灰度图转换成.bmp文件通过计算机输到聚焦离子束系统的图形发生器中对光纤末端的圆柱面进行逐层铣削；改变聚焦离子束系统的加工参数，将其处于精铣削的状态，将锥角灰度图转换成.bmp文件通过计算机输到聚焦离子束系统的图形发生器中对光纤的端面进行铣削，获得所需光纤探针。
一种利用聚焦离子束技术制备光纤探针方法

[发明专利]具有减小的扫描场效应的离子注入-CN200980150790.9有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了离子注入系统和扫描系统，其中提供了聚焦调整部件用于调整离子束的聚焦性质，来减小扫描器在离子束上的零场效应。聚焦性质可以被调整，用于改善跨过工件扫描的束轮廓的一致性，或改善跨过工件的离子注入的一致性。本发明公开了将经扫描的离子束提供给工件的方法，包括扫描离子束以产生经扫描的离子束，关于扫描器在离子束上的零场效应调整离子束的聚焦性质，以及朝向工件引导离子束。
具有减小扫描场效应离子注入

[发明专利]一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法-CN201010569692.3无效
发明人：王荣明;罗浒;崔益民;姚骏恩 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度的方法，该方法有四大步骤：一、对刻蚀加工的样品进行清洗、烘干，然后装入双束系统的样品台上，并抽取真空；二、移动样品台到该双束系统的工作距离，调节该双束系统电压、束流等参数，调节好电子束与离子束象散，最终使该系统中的电子束与离子束的焦点汇聚于样品表面。三、在聚焦离子束曝光软件-图形发生器上设计好需要加工的图形；同时打开聚焦离子束和电子束辅助聚焦离子束刻蚀加工，根据聚焦离子束束流大小选择好合适的电子束束流范围；四、关闭该双束系统中电子束与离子束的高压，
一种利用同步可控电子束提高聚焦离子束加工精度方法

[实用新型]一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的装置-CN200620093922.2无效
发明人：谭军;张磊;张广平;谢天生 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本实用新型属于样品表征界面的制备和成像技术，具体为一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的装置，利用双束聚焦离子束系统加工样品界面从而实现背散射成像，采用双倾转样品台固定表征样品进行离子束制备表征界面和实现背散射成像该装置具有聚焦离子束系统、样品台，所述样品台为主倾转台、副倾转台形成的双倾转样品台，在聚焦离子束系统主倾转台上安装与聚焦离子束系统主倾转台转向相同的聚焦离子束系统副倾转台。
一种离子束加工样品界面实现散射表征装置

[发明专利]聚焦离子束样品清洁方法及装置-CN202111475885.7有效
发明人：王娅茹;李威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种聚焦离子束样品清洁方法及装置。所述聚焦离子束样品清洁方法包括如下步骤：倾斜一聚焦离子束样品，使得所述聚焦离子束样品朝向一离子束的传输路径、且所述聚焦离子束样品中待清洁的第一表面与所述传输路径平行；控制所述样聚焦离子束样品自转第一预设角度，使得所述第一表面朝向所述传输路径；驱动所述离子束沿所述传输路径射向所述第一表面，以清洁所述第一表面。本发明从而改善聚焦离子束样品的清洁效果，提高了聚焦离子束工艺制备的TME图片质量。
聚焦离子束样品清洁方法装置

[发明专利]离子显微镜-CN202180086209.2在审
发明人：吉荣·安东·范卡恩 -专利权人：新加坡国立大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：一种离子显微镜，构建离子显微镜的方法，以及在离子显微镜中对准离子束的方法。所述离子显微镜包括：纳米孔离子源；和聚焦系统；其中，所述聚焦系统被配置为选择性地同轴聚焦离子束和电子束，所述离子束是通过所述电子束电离在所述纳米孔离子源中的电离气体而产生。
离子显微镜

[发明专利]用于等离子体沉积和处理的方法及系统-CN201880055751.X有效
发明人：彼得·F·范德莫伊伦 -专利权人：彼得·F·范德莫伊伦
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：离子束处理或植入系统包括发射具有给定间距的多个平行离子束的离子源。具有不均匀磁场的第一透镜磁体接收来自离子源的多个离子束并将多个离子束朝向共同点聚焦。系统可以可选地包括具有不均匀磁场的第二透镜磁体，该第二透镜磁体接收由第一透镜磁体聚焦的离子束并将该离子束重新导向，使得离子束具有平行的布置且在朝向目标基材的方向上具有比给定间距更靠近的间距。
用于等离子体沉积处理方法系统

[发明专利]一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法-CN201410840455.4有效
发明人：顾长志;姜倩晴;唐成春;李无瑕;金爱子;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。
一种位图叠加制备二次曲面结构方法

[发明专利]聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法-CN200910067643.7有效
发明人：房丰洲;徐宗伟;胡小唐 -专利权人：天津大学
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于聚焦离子束注入和辅助气体刻蚀的微纳加工方法，包括下列步骤：将待加工基底置于聚焦离子束样品室；通过离子束成像系统对其进行形貌观测；利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工；在所述的聚焦离子束样品室内，原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。
聚焦离子束注入结合氟化氙气辅助刻蚀加工方法

[发明专利]在TEM样品制备中用于低kV FIB铣削的基于剂量的端点确定-CN201310386836.5有效
发明人： T.G.米勒;J.阿加瓦奇;M.莫里亚蒂 -专利权人： FEI公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于使用聚焦离子束形成透射电子显微术样品薄层的方法、系统以及计算机可读介质，包括将高能聚焦离子束引导向大块量材料；用该高能聚焦离子束铣削掉该多余量的材料，以产生带有一个或多个具有破坏层的暴露面的半成品样品薄层；对该聚焦离子束的清除速率进行表征；对清除速率进行表征之后，将该低能聚焦离子束引导向该半成品样品薄层一段预先确定的铣削时间，以便从该低能聚焦离子束上单位面积发送规定剂量的离子；以及用该低能聚焦离子束铣削该半成品样品薄层以清除至少一部分破坏层
tem 样品制备用于 kv fib 铣削基于剂量端点确定

[发明专利]基于激光加速器的单粒子效应测试装置-CN202011329346.8在审
发明人：沈百飞;李顺;张辉;李昂骁;秦承宇;吉亮亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H05H1/54 文献下载
摘要：一种基于激光加速器的单粒子效应测试装置，包括飞秒激光装置、激光传输系统、激光聚焦系统、离子加速系统、离子束整形聚焦系统、单粒子效应测试系统和真空靶室系统。飞秒激光装置产生的激光脉冲经过激光传输和聚焦系统后，聚焦到离子加速系统的加速靶上产生高能离子束，利用离子束整形聚焦系统将离子束整形聚焦，传输到单粒子效应测试系统，实现单粒子效应测试。本发明将激光驱动加速的离子应用到了单粒子效应测试领域，该装置具有台式化、调向灵活、粒子种类丰富、宽能谱、能量可控等特点，可用于空间辐射环境模拟等应用。
基于激光加速器粒子效应测试装置

[发明专利]一种基于荧光探针扫描的离子束控制装置-CN202110508180.4有效
发明人：伦俊杰;孙宗丽;孟凡瑞 -专利权人：昌乐县人民医院
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于荧光探针扫描的离子束控制装置，所述装置至少包括设置有离子束偏转组件的加速器和控制单元，控制单元用于控制离子束偏转组件以调节离子束的照射位置和深度，在离子束的发射路径上设置有深度调节单元，所述深度调节单元至少包括深度调节板和至少一个能够使得离子束聚焦的离子聚焦组件，所述离子聚焦组件将通过所述深度调节板的扩散的离子束聚焦在靶区。与现有技术中离子束直接照射在肿瘤组织的靶区相比，本发明能够调整离子束的路径并使得离子束聚焦，根据肿瘤位置的位移直接进行离子束的聚焦点的适应性调整，照射的精确度更高，对健康组织的损害更小。
一种基于荧光探针扫描离子束控制装置

[发明专利]聚焦离子束杂质鉴定-CN202010100620.8有效
发明人： J.格雷厄姆;L.克拉尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：聚焦离子束杂质鉴定。具有带电粒子束(CPB)透镜和离子束柱的双束系统可以在分析模式下运行。在所述分析模式下，来自所述离子束柱的离子束可以由CPB偏转为包含主离子束和一个或多个非主离子束的一个或多个分量束。所述双束系统可以鉴定所述非主离子束的离子种类。
聚焦离子束杂质鉴定

[发明专利]独立控制离子束的偏转、减速与聚焦的方法-CN201811309627.X在审
发明人：董静娟 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于控制离子束的偏转、减速及聚焦的方法。所述方法通过改变位于离子束两侧的电极电位来独立的控制离子束的偏转、减速和聚焦。所述方法包括：对离子束偏转的控制；对离子束减速的控制；对离子束聚焦的控制；对离子束出口处形状的控制；对离子束残余能量污染的控制；对离子束中电子的控制；以及对离子束的最终偏转角度的微调，同时使得离子束的轨迹通过透镜的出口
独立控制离子束偏转减速聚焦方法

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