“结温”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果350907个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于电动汽车电机驱动器的主动温度控制方法及装置-CN202011102919.3在审
发明人：汪文璐;秦海鸿;彭子和;谢斯璇;胡昊翔;陈文明;刘奥;柏松 -专利权人：南京航空航天大学;中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H02P29/68 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电动汽车电机驱动器的主动温度控制方法及装置，方法包括：根据电机驱动器中功率模块的实时数据和实时结温，得到功率模块实时损耗；根据功率模块实时损耗及功率模块热网络模型，得到第一结温值、第二结温值和第三结温值；根据电机驱动器的输出频率，将其工作状态分为低频段或高频段；在低频段，调制方式采用SVPWM连续调制方式，根据第一结温值和第一滞环比较器，得到第一开关频率，根据第二结温值和第二滞环比较器，得到第二开关频率；在高频段，根据第三结温值和第三滞环比较器，调制方式在SVPWM连续调制方式和DPWM不连续调制方式之间切换。
一种用于电动汽车电机驱动器主动温度控制方法装置

[发明专利]一种SIC MOSFET结温获取电路及方法-CN202210757223.7在审
发明人：金浪;孙玉;唐德平 -专利权人：科威尔技术股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SIC MOSFET结温获取电路及方法，所述电路包括加热电流源、加热开关、结温测量单元、感应电流源以及感应电流旁路单元，加热电流源与加热开关串联连接以后接到结温测量单元的一端，结温测量单元的另一端、感应电流源以及感应电流旁路单元顺次连接；加热开关开启，加热电流源通过加热开关给结温测量单元施加测试电流，此时，感应电流源的电流在感应电流旁路单元中流转，到达预测时间以后，断开加热开关，加热电流源停止工作，感应电流旁路单元关闭，感应电流源的电流流经结温测量单元中被测件的体二极管；本发明的优点在于：大大缩小SIC MOSFET结温测量误差。
一种 sic mosfet 获取电路方法

[发明专利]一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法-CN202210746556.X在审
发明人：陈凡;毛志勇;刘寅傲;罗杰;陈龙;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，包括步骤：通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；确定LED芯片的温度敏感参数K系数；采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；单独改变恒温炉温度，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；单独改变加热电流，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；将LED接入老化电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合荧光胶温度‑芯片结温曲线，计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率，解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。
一种利用荧光温度计算高温老化 led 芯片方法

[发明专利]一种多工位结温测试方法-CN202211270067.8在审
发明人：翁锡龙;卜建明;贺庭玉;余亮;廖剑;柴俊标 -专利权人：杭州中安电子有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多工位结温测试方法，该方法包括以下步骤：S1、获取被测器件的数量数据，并判断被测器件数量是否超过预设阈值，若否，则执行S2，若是，则执行S3；S2、利用通用测试器件结温线路对被测器件数量不超过预设阈值的器件进行结温测试，并分析计算获取各器件的结温；S3、基于通用测试器件结温线路的扩展线路对被测器件数量超过预设阈值的器件进行结温测试，并分析计算获取各器件的结温。
一种多工位结温测试方法

[发明专利]一种LED灯具光通维持寿命的检测方法-CN201610160503.4有效
发明人：王伟;杨樾;赵旭;陈超中 -专利权人：上海时代之光照明电器检测有限公司;国家电光源质量监督检验中心（上海）;国家灯具质量监督检验中心
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01R31/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED灯具光通维持寿命的检测方法，包含有，步骤S1，提供LED灯具样品；步骤S2，获取所述LED灯具样品的正向电压与结温关系曲线；步骤S3，根据所述正向电压与结温关系曲线获取所述LED灯具样品在环境温度为室温且正常工作的情况下所对应的结温值TJ；步骤S4，验证所述LED灯具样品的可靠性；步骤S5，根据所述正向电压与结温关系曲线获取验证后所述LED灯具样品在室温且正常工作的情况下所对应的结温值TJ’；步骤S6，比较结温值TJ与结温值TJ’。
一种 led 灯具维持寿命检测方法

[实用新型]一种电子器件结温的测量装置-CN201821070799.1有效
发明人：吕贤亮;麻力;孙明;任翔 -专利权人：中国电子技术标准化研究院
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种用于测量电子器件结温的装置，属于半导体器件结温测量技术领域。主要利用了器件内部气氛随温度变化膨胀而导致器件盖板形变的原理来获得器件内部的结温。首先对非工作情况下的器件进行加热，同时通过一台激光干涉仪监测器件盖板在各温度点下的形变情况，从而获得加热温度(器件结温)与器件盖板形变的一一对应关系；然后在器件工作情况下对其盖板的形变情况进行监测，并对比非工作情况下器件盖板的形变，进而获得可获得器件的结温。本方法可以对分立器件、集成电路等器件的结温进行有效测量，相对于现有的结温测量方法有其独特的优势，具有良好的实用价值和经济效益，适用于推广应用。
结温形变器件盖板获得器件盖板加热测量电子器件测量技术领域一一对应关系半导体器件激光干涉仪测量装置电子器件分立器件监测器件有效测量器件结温度点集成电路测量膨胀监测

[实用新型]半导体结温测试装置-CN201720809530.X有效
发明人：景昌忠;杨毓敏;吴云云;陈斌;刘宁;王欢;王晶;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：半导体结温测试装置。涉及电子器件测试领域，尤其涉及半导体结温测试装置。提供了一种能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的半导体结温测试装置及其测试方法。所述二极管安置位包括绝缘的基座，在所述基座上设有一对卡位，二极管的接线端卡合在所述卡位上；本实用新型具有能够直接测得半导体结温，测得结温误差小，能真实反映半导体二极管的真实性能的优点。
半导体测试装置

[发明专利]电机控制器中功率元件IGBT结温的估算方法-CN201811459039.4有效
发明人：陈双;王双全;黄洪剑 -专利权人：上海大郡动力控制技术有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F17/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种电机控制器中功率元件IGBT结温的估算方法，本方法根据在一定温度范围内，IGBT的饱和压降与结温之间存在着可近似视为线性的关系，利用饱和压降与温度的关系间接得到结温，从而根据结温和热敏电阻测量得到的温度的对应关系，得出从IGBT基板到IGBT芯片的瞬态热阻抗曲线，然后通过曲线拟合得到IGBT瞬态热阻抗数学模型，通过该模型计算得IGBT瞬时结温。本方法克服传统IGBT结温估算的缺陷，根据实际试验数据建立IGBT的瞬态热阻模型，提高模型参数的精度，其结温估算简单，便于实现，计算量小，降低元器件成本，且估算误差小，提高了电机控制器的最大输出能力及安全性
电机控制器功率元件 igbt 估算方法

[发明专利]一种半导体器件温度‑电压‑电流三维校温曲面的建立方法-CN201610405944.6在审
发明人：郭春生;苏雅;廖之恒;冯士维;朱慧 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种半导体器件温度‑电压‑电流三维校温曲面的建立方法属于电子器件测试领域。半导体器件结温作为半导体器件可靠性方面的重要参数，准确、快速测量结温对科研、工程方面具有重要意义。针对半导体器件结温实时测量的要求。本发明根据本数据库能够准确结温。通过高速开关电路等产生不产生自升温的脉冲电流电压并输入待测器件，通过采集电路采集器件两端电应力值。最终测量并建立三维温度‑电压‑电流校温曲线数据库，从而可以在器件工作状态下(包括浪涌电流，高频等)，实时检测器件结温。
一种半导体器件温度电压电流三维曲面建立方法

[发明专利]一种IGBT功率模块的结温计算方法、电机控制器和车辆-CN202210252659.0在审
发明人：黄华波;初康康;阮鸥;徐循进;李西光 -专利权人：极氪汽车（宁波杭州湾新区）有限公司;威睿电动汽车技术（宁波）有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H02P29/60 文献下载
摘要：本发明公开一种I GBT功率模块的结温计算方法、电机控制器和车辆，I GBT功率模块的结温计算方法包括：判断电机是否发生堵转；若电机发生堵转，则根据电流进行扇区计算，以确定提供电机电流的六个支路中的最高结温支路，将所述最高结温支路作为建模支路；若电机未发生堵转，则根据所述六个支路中的其中一个支路作为所述建模支路；获取所述建模支路的IGBT功率模块的IGBT和二极管FWD的采样温度、损耗参数和热网络参数，并计算得到所述IGBT功率模块的IGBT和二极管FWD的结温，以分别作为IGBT和二极管FWD的最高结温。本发明可以通过建立热网络模型得到I GBT功率模块的I GBT和二极管FWD的最高结温，从而及时有效地进行过温保护。
一种 igbt 功率模块计算方法电机控制器车辆

[发明专利]一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法-CN202011303413.9有效
发明人：杨跃茹;秦海鸿;莫玉斌;陈文明;付大丰;谢利标;胡黎明 -专利权人：南京航空航天大学;南京开关厂有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于组合热敏电参数灵敏度增强的SiC MOSFET结温检测方法，包括以下步骤：采用控制变量法对SiC MOSFET进行温升测试；根据测试数据标定热敏电参数与其相关变量的关系曲线；根据热敏电参数与其相关变量的关系曲线得到拟合方程；对热敏电参数与其相关变量的相关性进行分析，当存在两个热敏电参数与其多个相关变量具有线性关系，并且这两个热敏电参数具有除结温外的同一相关变量，所述同一相关变量与结温对各自热敏电参数相关性的一致性相反时；消去这两个热敏电参数除结温外的同一相关变量。本发明能够在不增加检测变量的同时提高结温检测的灵敏度，有效缓解了单一热敏电参数存在除结温外影响因素多和灵敏度低的问题，提高了SiC MOSFET结温检测精度。
一种基于组合热敏参数灵敏度增强 sic mosfet 检测方法

[发明专利]一种IGBT功率循环试验方法及其试验电路-CN202311051123.3在审
发明人：廖从勇;黄河源;林闽;付立荣 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：采用电流源I1提供恒定电流IC1作为加热电流对IGBT进行加热，采用电流源I2提供恒定电流IC2作为测量电流对IGBT的结电压VCE进行测量；电流源I1通过开关器件对IGBT进行加热，电流源I2产生的测量电流Ic2一直加载在IGBT的CE结通路中。在测量结温前，对结温与VCE压降关系进行标定，与VCE压降对应的结温即为IGBT的工作环境的温度；在设定的加热时长结束瞬间，测量IGBT的VCE压降，与VCE压降对应的结温即为设定加热电流下的最高结温。解决了现有技术中结温测量准确性较差的问题。可广泛应用于功率器件的功率循环试验中。
一种 igbt 功率循环试验方法及其电路

[发明专利]SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质-CN202210719772.5在审
发明人：张品佳;张擎昊;陆格野 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及电力电子器件状态监测技术领域，特别涉及一种SiC MOSFET结温监测方法、装置、设备及介质，方法包括：获取被测碳化硅金属氧化物场效应管SiC MOSFET的通态电流和通态电压；根据通态电流和通态电压计算其通态电阻；基于预先建立的通态电阻和结温之间的映射关系，根据测得通态电阻计算SiC MOSFET结温。由此，解决了相关技术中的结温监测方法只能应用于较窄的开关频率范围，且精度受器件老化影响严重等问题，通过提出新型的通态压降在线测量电路以及考虑老化的SiC MOSFET结温监测策略，提高了工作频率，降低了成本以及器件老化对结温监测的影响
sic mosfet 监测方法装置设备介质

[发明专利]功率模块的损耗与结温仿真系统-CN201511032145.0有效
发明人：柯攀;胡一峰;李祥 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块的损耗与结温仿真系统，所述系统包括用户界面单元和后台处理单元，所述用户界面单元用于接收功率模块的电参数和热参数以及供用户选择功率模块的型号和功率模块使用的控制算法，所述后台处理单元用于根据所述功率模块的电参数和热参数、功率模块的型号以及功率模块使用的控制算法计算所述功率模块的损耗和结温，并将所述功率模块的损耗和结温通过所述用户界面单元显示。所述功率模块的损耗与结温仿真系统可方便快捷的实现功率模块的损耗和结温计算，有利于获得精确地损耗和结温仿真结果，并方便工程师在电路设计时仿真系统的热可靠性情况。
功率模块损耗仿真系统

[发明专利]一种IGBT结温监测装置及方法-CN201910829782.2有效
发明人：张品佳;杨雁勇;夏科睿;闵锐 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种IGBT结温监测装置及方法，利用二极管反向恢复电流峰值与二极管结温的关系，结合IGBT模块热阻抗网络模型实现IGBT芯片结温的间接监测。通过监测集电极开通电流过冲实现IGBT模块的结温在线监测，该监测方法对电路的正常工作没有干扰，只需要增加采样电路即可，该发明基于电流型热敏电参数对IGBT模块结温进行估算，不受IGBT键合线老化的影响，解决了电力电子变流器中IGBT结温难以精确测量的难题，采样频率高，成本低，对于IGBT的监测和电力电子变流器的可靠性评估具有重要意义。
一种 igbt 监测装置方法