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[发明专利]具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法-CN202310436396.3在审
发明人：杨媛;吕立根;侯陈睿;文阳 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了具有多参数老化补偿的SiC MOSFET结温测量方法，通过实验分别建立阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性模型；搭建SiC MOSFET驱动与参数采集系统；在不同时间段采集三个电参数，即离线状态下的阈值电压、开通过程中的开通延迟时间和开通后工作过程中的导通电阻；利用阈值电压与开通延迟时间对SiC MOSFET工作过程中导通电阻的温敏特性进行老化补偿；利用老化补偿后的导通电阻作为温敏电参数预测出实时结温本发明解决了测量SiC MOSFET结温时因器件老化引起的导通电阻变化，从而使结温测量结果严重偏移的问题，有效的保障SiC MOSFET健康、安全的工作。
具有参数老化补偿 sicmosfet 测量方法

[发明专利]半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统-CN202211371002.2在审
发明人：朱建新 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件结温测试方法及半导体器件结温测试系统，首先对待测半导体器件施加一预设正向电压，使所述待测半导体器件处于正向导通状态以获取该待测半导体器件处于正向导通状态时的第一压降，然后对所述待测半导体器件施加预设幅值、预设脉冲宽度的大电流以获取所述待测半导体器件在所述大电流作用后的第二压降，最后根据所述第一压降、所述第二压降获得所述待测半导体器件在所述大电流作用下的温升值作为所述半导体器件的结温测试结果。如此，基于不同电流作用下半导体器件的压降不同的原理，通过压降差与温度系数关系测试得到器件结温，进而对半导体器件的结温进行有效且精准的测试。
半导体器件测试方法系统

[发明专利]一种防止半导体功率器件结温超限的实时在线保护方法-CN202210347456.X在审
发明人：姚瑱;孙晨晨;杜鑫 -专利权人：南京埃斯顿自动化股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止半导体功率器件结温超限的实时在线保护方法，涉及半导体功率器件结温超限保护方法领域。运算能力要求不高的前提下，通过固定周期tp内半导体功率器件的壳温和电流查表获得对应的时限值t，对tp/t进行累加，即可判断半导体功率器件的结温是否超限首先，根据半导体功率器件的手册参数计算或仿真获得功率器件在不同电流、壳温下的堵转时限二维表格；然后，按照固定的周期tp获取半导体功率器件的电流、壳温；获得时限t；最后，按照tp/t进行累加，一旦累加值达到或超过1，则进行结温超限保护，关闭半导体功率器件。其工作量较小，CPU运算量小，不存在热敏参数法映射结温的参数范围局限性。
一种防止半导体功率器件超限实时在线保护方法

[发明专利]一种FPGA芯片自激励变频动态老炼电路-CN201810462117.X有效
发明人：王贺;张大宇;汪悦;张红旗;张松;李璇;汪洋;杨彦朝;杨发明;庄仲 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种FPGA芯片自激励变频动态老炼电路，包括第一时钟自激励产生电路、第二时钟自激励产生电路、结温检测电路、时钟频率控制电路、老炼功能测试电路，第一时钟自激励产生电路，用于产生频率为fH的时钟信号Clk_H；第二时钟自激励产生电路，用于产生频率为fL的时钟信号Clk_L；结温检测电路，用于监测FPGA的结温状态，输出超温报警信号OT至时钟变频控制电路；时钟变频控制电路，根据超温报警信号OT选择频率时钟信号Clk_H或者CLK_L输出至老炼功能测试电路；老炼功能测试电路，用于验证FPGA内部逻辑资源在老炼测试环境下的功能本发明FPGA可根据实际结温状态自动调节动态老炼时内部逻辑的工作频率，从而保护芯片不会超结温工作。
一种 fpga 芯片激励变频动态电路

[发明专利]一种基于MCU结温获取环境温度的方法及装置-CN201510063664.7在审
发明人：傅炜锋;李聪华;曾德炎;胡长发;苏龙 -专利权人：福建联迪商用设备有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种基于MCU结温获取环境温度的方法及装置。所述MCU自带的结温采集功能，获取芯片结温的实时数据，再根据所得功耗值和环境温度值，计算出环境温度到结的热阻系数值；当所述MCU处于不同工作状态下时，可根据读取到的功耗值、结温值以及计算所得所述MCU的热阻系数值计算得所述
一种基于 mcu 获取环境温度方法装置

[发明专利]激光二极管结温补偿-CN201380036926.X在审
发明人：布鲁斯·C·罗萨尔;达勒·尤金·齐默尔曼;乔尔·桑德加特 -专利权人：微视公司
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：一种投影装置(300)包括：至少一个激光二极管(360)；以及激光二极管结温估计器(310)，用来估计至少一个激光二极管的结温。响应于所估计的激光结温，修改激光二极管电流驱动值。
激光二极管补偿

[发明专利]液冷散热IGBT模块结温测量方法及系统-CN202110550568.0在审
发明人：袁钊;徐向宇;曹沛;张兵;江锐 -专利权人：北京科益虹源光电技术有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体液冷散热IGBT模块结温测量方法及系统，所述方法包括：分别测量当前时刻下，IGBT散热器中冷却液从进液端至出液端的液体流量、液体温差，以及IGBT模块的壳温；通过IGBT散热器中冷却液从进液端至出液端的液体流量、液体温差，以及IGBT模块的壳温计算得到当前时刻下IGBT模块的结温。本发明可在不依赖损耗功率的条件下计算IGBT模块的结温。
散热 igbt 模块测量方法系统

[发明专利]基于饱和导通压降测量IGBT结温的温度定标平台及实现IGBT结温测量的方法-CN201510245724.7在审
发明人：张刚;康代涛;刘璇;齐乐;王立欣 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：基于饱和导通压降测量IGBT结温的温度定标平台及实现IGBT结温测量的方法，涉及半导体测试领域。本发明是为了解决现有的IGBT结温测量电路的安装平台对芯片封装和安装空间有一定要求，并对测量环境要求较高，无法实现大电流工况下的结温在线监测的问题。该平台用于测量给定IGBT结温与饱和导通压降的关系。
基于饱和导通压降测量 igbt 温度定标平台实现方法

[发明专利]LED芯片结温测试方法-CN201510691257.0在审
发明人：黄慧诗;闫晓密;张秀敏;周锋 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED芯片结温测试方法，其特征是，包括以下步骤：（1）建模：LED芯片在驱动电流下分别采集25℃、40℃、60℃、80℃、100℃、120℃环境温度下驱动电流的电压值；（2）建模计算：根据步骤得到的温度和对应的电压差值获取一次函数拟合公式y=ax+b，其中x为横坐标，代表环境温度；y为纵坐标，代表电压差值；a为斜率，b为截矩；（3）实测：采用驱动电流将LED芯片驱动到热平衡状态，获取热平衡状况下的电压值；（4）结温计算：获取热平衡电压与常温建模电压差ΔVf；再根据结温计算公式Tj=（ΔVf-b）/a，计算得到LED芯片的结温。本发明可获取准确的LED芯片结温，并且测试设备成本较低。
led 芯片测试方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法-CN202010233532.5在审
发明人：刘胜厚;孟天颖;卢益锋;张辉;蔡仙清 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法，包括如下步骤S1:红外热像仪测试GaN HEMT器件的结温；首先进行器件的发射率校准，读取器件结温，保存器件有源区中间区域温度曲线，S2:求取红外热像仪测试的器件结温的置信区间；S3:利用有限元软件建立三维有限元热模型，并根据红外热像仪测试的器件结温的置信区间校准三维有限元热模型，得到校准后的三维有限元热模型；S4:利用所述校准后的三维有限元热模型，获取器件的结温，热阻，3‑
一种 gan hemt 器件可靠性评估方法

[发明专利]基于LED相对光谱随温度变化的结温测试方法-CN201911294271.1在审
发明人：郭爽;汪宝;贾晓;王同斌 -专利权人：南阳理工学院
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉LED结温测试方法技术领域，具体为基于LED相对光谱随温度变化的结温测试方法，该方法包括把LED管芯封装在5mm工业纯铝板上，进行氧化绝缘处理；其处理步骤为：脱脂→冷水洗→碱蚀→热水洗+冷水洗表面光化+热水洗→冷水洗+阳极氧化→水洗；再在所述杯型凹槽处固定电极并在电极上焊接导线以完成一体化封装基板的制备采用了相对光谱强度法测量LED结温，相对光谱强度法测量的结温与正向压降法测量结果差距不超过2℃,保持了正向压降法的结温测量较为准确的优点
基于 led 相对光谱温度变化测试方法

[发明专利]一种高精度的基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型-CN201910717061.2在审
发明人：蔡志匡;张琦;孙海燕;王子轩;徐彬彬;郭宇锋 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种高精度的基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型，首先确定芯片内部各个组件的尺寸及其热导率，并将这些参数代入相应的热阻计算公式中并计算出每个组件的热阻值；其次将热阻值代入热阻网络中，可以得到叠层芯片在不同工况下的结温预测模型，最后将结温预测值与仿真值作比较，得到两者之间的相对误差，以验证结温预测模型的准确性。本发明针对原先大多数叠层芯片结温预测模型效率较低、成本较高等不足，创新性地构建了叠层芯片的热阻网络模型，在所述模型中重点考虑了粘接胶的接触热阻以及各个芯片之间的热量耦合效应，提高了预测精度和热设计的效率
一种高精度基于网络芯片预测模型

[发明专利]一种集成芯片的电压调节方法、装置、设备及介质-CN202110032308.4在审
发明人：邓冏;杨艳;刘杰兵;胡德才 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成芯片的电压调节方法，包括：对集成芯片的结温进行检测；当集成芯片的当前结温低于第一预设阈值时，则对集成芯片的供电电压进行升压操作，直至集成芯片的当前结温高于第二预设阈值；其中，第二预设阈值为第一预设阈值和预设低温缓冲区间之和；当集成芯片的当前结温高于第三预设阈值时，则对集成芯片的供电电压进行降压操作，直至集成芯片的当前结温低于第四预设阈值；其中，第四预设阈值为第三预设阈值和预设高温缓冲区间之差。
一种集成芯片电压调节方法装置设备介质

[发明专利]一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法-CN202110666770.X在审
发明人：李姚;郑子轩;蒲红斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法，包括：使用半导体参数分析仪对漏极和栅极施加电压，测量器件的饱和漏电流，并计算耗散功率；利用红外热像仪测试器件的工作结温T；利用有限元软件建立器件电热耦合模型，根据工作结温校准器件电热耦合模型，得到器件电热耦合模型；利用器件电热耦合模型获取器件的结温分布，根据器件的结温分布建立一维热源模型；利用有限元软件根据一维热源模型建立三维热模型，并对三维热模型进行调整克服了实验上利用红外热成像法和电学法对器件结温测量的偏差；热仿真模型精度高且计算量小，易于实现。
一种提取 gan hemt 器件热源模型方法

[发明专利]IGBT模块结温的确定方法、装置及系统-CN202110309580.2在审
发明人：李玮;梁海强 -专利权人：北京新能源汽车股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT模块结温的确定方法、装置及系统，涉及电动汽车技术领域，该方法包括：周期性的获取表征IGBT模块的结温的第一电压信号，第一电压信号为通过滤波电路对温度传感器的输出电压进行滤波之后的电压，温度传感器为采集IGBT模块的结温的温度传感器；周期性的采集IGBT模块的工作参数和电机的工作参数，电机为所述IGBT模块所在的电机控制器驱动的电机；根据当前采集的IGBT模块的工作参数和电机的工作参数，确定当前的滚动滤波系数；根据相邻的多个第一电压信号和相邻的多个所述滚动滤波系数，确定所述IGBT模块的结温。本申请的方案提高了IGBT模块的结温的计算精度。
igbt 模块确定方法装置系统