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[发明专利]晶片LED封装用合金键合线及其制造方法-CN201811091453.4有效
发明人：贺龙彪 -专利权人：河南大仑电子科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片LED封装用合金键合线及其制造方法，所述晶片LED封装用合金键合线以银基合金为基体，银基合金包括以下原料：银、钙、钐、铈；基体表面镀有保护层，保护层由改性镀液电镀而成；改性镀液包括：氯化钯、2,4‑二氯喹唑啉、1‑十二烷基咪唑、壳聚糖、十二烷基苯磺酸钠、富马酸；所述晶片LED封装用合金键合线的制造方法包括以下步骤：S1、银基合金的冶炼；S2、银基合金的连铸；S3、银基合金杆的拉制；S4、银基合金线的中间热处理；S5、银基合金线表面清洗；S6、银基合金线的表面镀保护层；S7、微细拉制。本发明提出的合金键合线，品质高、稳定性好、不易氧化、器件成品率高、使用范围宽。
银基合金合金键合保护层晶片拉制镀液改性十二烷基苯磺酸钠制造器件成品率中间热处理基体表面十二烷基微细表面镀富马酸壳聚糖氯化钯线表面电镀连铸氯喹种晶咪唑清洗冶炼

[发明专利]一种提升车规级LED性能的电镀工艺-CN202211589574.8在审
发明人：郑建国;张普昆 -专利权人：崇辉半导体（江门）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：一种提升车规级LED性能的电镀工艺，包括如下步骤：S1、前处理；S2、镀碱铜：将前处理后的车规级LED基材浸入碱性镀铜液中电沉积；S3、全镀银：将镀碱铜后的车规级LED基材浸入镀银液中电沉积；S4、选镀镍：将镀银后的车规级LED基材套上选镀镍模具，置于镀镍液中电沉积；S5、选镀钯：将镀镍后的车规级LED基材套上选镀钯模具，浸入镀钯液中电沉积；S6、选镀金：将镀钯后的车规级LED基材套上选镀金模具，置于镀金液中本申请选镀镍可以避免全镀镍导致的龟裂现象，提高了车规级LED的性能。
一种提升车规级 led 性能电镀工艺

[发明专利]化学镀钯浴-CN202110723692.2在审
发明人：前川拓摩;田邉克久;柴田利明 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学镀钯浴，至少含有钯化合物、还原剂、络合物以及稳定剂。稳定剂为二价硫化合物与具有杂环结构的化合物键结而成的有机化合物，该有机化合物不具有硫醇基与双硫键。因此，能够抑制钯在镀镍膜上的析出性的降低，同时能够提高镀浴的稳定性。
化学镀钯浴

[发明专利]一种铜基键合丝及制备方法-CN201110317106.0无效
发明人：赵碎孟;周钢;薛子夜 -专利权人：广东佳博电子科技有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种铜基键合丝及其制备方法，该键合丝一种铜丝及表面镀金的复合材料，键合丝中金的重量组分为2％--10％，其纯度高于99.99％。该键合丝的制备方法主要包括熔炼、拉制、清洗、镀金、退火、绕线、包装等步骤。该铜基键合丝具有良好抗氧化性、良好的导电性以及低弧度、低硬度、价格低的优点，铜丝采用普通材料包装，在常温差压下可以长期保存，能够适应电子封装低成本、高性能、多功能等发展的需求。
一种铜基键合丝制备方法

[实用新型]镀金钯铜线封装硅麦电路键合线的结构-CN201720858996.9有效
发明人：陈贤明 -专利权人：深圳市矽格半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-16 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镀金钯铜线封装硅麦电路键合线的结构，该结构包括PCB板、多个硅麦电路芯片和多条镀金钯铜线，所述多个硅麦电路芯片均通过对应的固晶胶固定在PCB板上，每条镀金钯铜线均包括铜芯和敷设在铜芯外表面的钯金层；每个硅麦电路芯片上均设置有芯片焊点，且PCB板上设置有引脚焊点，芯片焊点之间通过镀金钯铜线相焊接，且芯片焊点与镀金钯铜线的焊接处形成硅‑铝‑钯金‑铜金属化互连结构，芯片焊点与引脚焊点之间通过镀金钯铜线相焊接，且引脚焊点与镀金钯铜线的焊接处形成铜‑镍‑金‑钯金‑铜金属化互连结构。本实用新型镀金钯铜线可作为内引线取代硅麦电路封装中传统的金线，大幅降低了生产成本，且抗氧化效果强。
镀金铜线封装电路键合线结构

[实用新型]一种带有涂覆层的铜键合丝-CN201520543202.0有效
发明人：林良 -专利权人：烟台一诺电子材料有限公司
申请日： 2015-07-25 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型是一种带有涂覆层的铜键合丝，包括中心铜线，中心铜线上涂覆有铝涂覆层。其抗氧化能力很强，从而改善了铜基键合丝的抗氧化能力和抗硫化能力。同时，因为一般键合的基体为铝，铝与铝键合几乎没有中间化合物的产生。
一种带有覆层铜键合丝

[发明专利]镀金方法及镀覆膜-CN202010280356.0在审
发明人：前田刚志;田边克久;西村直志;金子阳平 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明提供镀金方法及镀覆膜，其防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低。另外，提供一种即使减少镀金覆膜的膜厚也能防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法及镀覆膜。一种镀金方法，其特征在于，其是在铜或铜合金覆膜上使用银催化剂进行镀覆的、用于引线键合连接的镀金方法，所述方法包括：银催化剂形成工序，其中，为了形成钯覆膜而形成作为银催化剂的银覆膜；钯覆膜形成工序，其中，在所述银催化剂上形成钯覆膜；以及，镀金覆膜形成工序，其中，在在所述钯覆膜上形成镀金覆膜，所述银覆膜的膜厚为0.05μm～0.5μm。
镀金方法镀覆

[发明专利]化学镀浴-CN201911199413.6在审
发明人：前川拓摩;柴田利明;小田幸典 -专利权人：上村工业株式会社
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明提供即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性的化学镀浴。本发明的无卤素的化学镀浴，其为含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴，所述水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，所述水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，所述还原剂为甲酸或其盐，所述化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。
化学

[发明专利]用于在铜上无电镀钯磷的组合物和方法及由其获得的覆层组件-CN201680044335.0在审
发明人：约恩·E·本斯顿 -专利权人：上村国际有限公司;上村工业株式会社
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： C23C18/30 文献下载
摘要：本发明已发现一种包含钯化合物和聚氨基羧酸化合物的溶液适用作在铜上无电镀钯的槽液。这种溶液的使用产生包含铜表面和厚度在0.01微米(μm)和5μm之间的钯镀层的镀覆组件。在组件的铜表面上无电镀钯的方法包括制备具有钯化合物和聚氨基羧酸化合物的槽液。将铜组件浸渍在所述槽液中以在组件的铜表面上镀钯层。从所述镀覆方法产生的组件具有镀在铜表面上的钯层。
用于铜上无电镀组合方法获得覆层组件

[实用新型]单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件及镀钯设备-CN201220473088.5有效
发明人：富之柢 -专利权人：富之柢
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件，包括磁体和阴极靶，其特征在于，所述的阴极靶为内圆筒，其两端与两个法兰密封连接；所述的磁体为至少一个圆环，并套在内圆筒的外周面；在该磁体的外侧套装一与该内圆筒同轴的外圆筒本实用新型的优点是：利用单晶铜键合引线磁控溅射镀膜靶组件的圆环形的磁体在其轴线的垂直面上产生一个沿圆周均匀的电磁场，只需要单晶铜键合引线沿轴线匀速移动即可在其表面溅射一层均匀的钯膜；简化了被溅射材料支撑装置的结构
单晶铜键合引线磁控溅射镀膜组件设备

[发明专利]单晶铜键合丝的制备方法-CN200810017812.1无效
发明人：丁雨田;曹军;胡勇;许广济;寇生中 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B21C1/00 文献下载
摘要：单晶铜键合丝的制备方法，所述的单晶铜键合丝的原材料为铜，其步骤为：采用高真空炉将纯度高于99.995％高纯铜熔化，升温到1100～1180℃，精炼60～120分钟，整个熔炼过程采用高纯氩气保护，并采用定向凝固方式拉制φ4～φ8mm单晶铜杆，然后冷加工至φ0.95～φ1.102mm，每道次拉拔加工率为15～25％，然后分为47～70个道次，采用每道次加工率为7.59～17.82％将单晶铜杆拉制0.020～0.05mm，拉丝时温度为35～45℃，将单晶铜键合丝表面采用超声波清洗，将清洗后的单晶铜键合丝进行热处理，采用H₂+Ar₂保护，温度为410～425℃，时间为0.7～2.0s
单晶铜键合丝制备方法

[发明专利]一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法-CN201310444922.7有效
发明人：吴国防;王东明;吴瑞雪;乌素华;时阳;张雷 -专利权人：辽宁凯立尔电子科技有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法属于微电子封装用金属键合丝技术领域，尤其涉及一种表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法。本发明提供一种推拉力、抗氧化性能、键合性能好且成本低的表面有镀金层的金银合金键合丝及其制备方法。本发明表面有镀金层的金银合金键合丝包括金银合金丝，其结构要点金银合金丝表面镀有金保护层。
一种表面镀金金银合金键合丝及其制备方法

[发明专利]一种定向排布纳米孪晶铜薄膜材料及其制备方法和应用-CN202310379610.6在审
发明人：吴蕴雯;陈志钦;李明;陈沛欣;鞠生宏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明属于电子封装技术领域，具体公开了一种定向排布纳米孪晶铜薄膜材料及其制备方法和应用。所述制备方法采用电沉积工艺，包括镀液配置、基底前处理、直流电镀、镀层后处理步骤，所述镀液包括硫酸铜30～150g/L、强酸10～20mL/L、氯化钠30～60ppm、蛋白质10～80ppm和余量水。制得的纳米孪晶铜薄膜材料包括厚度占比≥95％的纳米孪晶层以及厚度占比≤5％的细晶过渡层,所述纳米孪晶层由竖向排布的纳米孪晶片构成，所述铜薄膜材料具有高度(220)取向织构。本发明铜薄膜材料在封装过程与锡键合基本不产生柯肯达尔孔洞，具有优异的机械性能以及导电性；制备方法简单，适用范围广，成本低，易于推广。
一种定向排布纳米孪晶铜薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法-CN201710228970.0有效
发明人：袁斌;徐云管;彭庶瑶;章敏 -专利权人：江西蓝微电子科技有限公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法，该键合丝是以高纯铜为主体材料，包括银、钪、铁、钛微量金属材料。其组成键合丝的材料各成分重量百分比为：铜含量为：99.9%‑99.95%、银含量为0.01%‑0.02%、钪含量为0.01%‑0.02%、铁含量为：0.001%‑0.015%、钛含量为0.001%‑0.01%；其制造方法包括：提取纯度大于99.99%的高纯铜，制备成铜合金铸锭，再制成铸态铜合金单晶母线，将单晶母线拉制成1mm的单晶丝经热处理后，再经精密拉拔、热处理、清洗后制成不同规格的铜合金单晶键合丝。
一种微电子封装铜合金单晶键合丝及其制备方法

[发明专利]一种银合金键合线的制备方法-CN202011544614.8有效
发明人：王善林;尹立孟;陈玉华;王刚;黄永德;陈宜;闫玲 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种银合金键合线的制备方法，包括熔炼、拉铸、一次拉丝、中间退火、二次拉丝、最后退火过程；熔铸时，熔炼原料为：0.006%~0.012%的铈、2%~5%的铜、0.04~0.08%的镧、0.02%~0.05%的钨、1%~4%的铝、0.5%~1%的钯，余量：银，银为88银；在银原料中，按照上述比例依次添加铈、铜、镧、钨、铝、钯。
一种合金键合线制备方法