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[发明专利]一种提升LED灯珠寿命的电镀工艺-CN202211530442.8在审
发明人：罗小平;张普昆 -专利权人：崇辉半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：一种提升LED灯珠寿命的电镀工艺，包括如下步骤：S1、前处理；S2、镀碱铜：将前处理后的LED灯珠基材浸入碱性镀铜液中电镀；S3、镀镍：将镀碱铜后的LED灯珠基材浸入镀镍液中电镀；S4、镀钯：将镀镍后的LED灯珠基材浸入镀钯液中电镀；S5、采用镀银模具对LED灯珠功能区域选镀银；S6、后处理。本申请在镀镍和镀银步骤之间增加镀钯，即，在银镀层和镍镀层之间增加镀层钯层，镍/钯/银的镀层结构稳定性更强，银层不容易被破坏，从而提高了LED灯珠的使用寿命。
一种提升 led 寿命电镀工艺

[发明专利]一种镀金钯铜线及其制备方法-CN201811511597.0在审
发明人：刘实 -专利权人：上海万生合金材料有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种镀金钯铜线及其制备方法，以高纯铜线为基体，将铜线设置在放线机上，所述基体表面覆有纯钯，包括以下步骤：步骤(1)超声波脱脂；步骤(2)酸洗；步骤(3)表面镀钯；步骤(4)表面镀金；步骤(5本发明提供了一种以纯铜线为基体、以镀金层、镀钯层替代原纯镀金层的低成本、抗氧化性强、高性能键合铜线产品制造方法，满足微电子器件芯片向小型化、多引脚高密度方向发展的需求。
镀金镀金层钯铜线制备微电子器件芯片表面镀钯产品制造高纯铜线基体表面键合铜线抗氧化性密度方向铜线脱脂超声波纯铜线低成本镀钯层烘干纯钯放线收线酸洗烫洗引脚替代

[发明专利]非电解镀镍的预处理方法-CN201310574090.0有效
发明人：邱文裕;刘毅;雷正涛 -专利权人：湖南省化讯应用材料有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种非电解镀镍的预处理方法，用微蚀液对含铜表面的基底进行清洁与粗化，得到铜表面粗化后的基底；然后将所述铜表面粗化后的基底与前处理组合液接触，得到处理后的含铜表面的基底；所述前处理组合液包括酸、还原剂与水；再用离子钯活化液活化所述处理后的含铜表面的基底。与现有技术相比，本发明用包含酸与还原剂的前处理组合液对基底的铜表面进行接触，前处理组合液可将陷落于铜表面与高分子非镀区之间间隙的含铜离子溶液预先还原成易溶于弱酸的氧化亚铜盐类，其可用钯活化之前的弱酸浸洗清洗干净，进而使离子钯活化液活化时无法形成悬浮钯核或钯的水解氢氧化物，从而可避免出现多余镀镍的问题。
电解预处理方法

[实用新型]一种新型铜线加工系统-CN201620110851.6有效
发明人：欧阳艳青 -专利权人：江西富鸿金属有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： B21C37/04 文献下载
摘要：一种新型铜线加工系统，包括单晶连铸炉、拉丝装置、镀钯装置、退火炉和绕线器，所述单晶连铸炉将铜体拉制成单晶铜杆，单晶连铸炉连接拉丝装置，拉丝装置将单晶铜杆拉丝直至拉成微细铜丝，拉丝装置后设置检测装置，检测装置由传送带连接镀钯装置，镀钯装置连接退火炉，退火炉连接绕线器；所述检测装置中包括直径为铜线基准尺寸的圆孔；所述镀钯装置中间包括一圆孔，圆孔外侧包括一液箱。该装置自动化作业，大大提高了效率；并且通过独创的镀钯装置设计能够快速、均匀、绿色环保的对铜线进行涂覆。
一种新型铜线加工系统

[实用新型]一种强度高的金钯铜键合线-CN201721900432.3有效
发明人：倪海霞;马婷婷;杨飞 -专利权人：上海铭沣半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及键合线技术领域，且公开了一种强度高的金钯铜键合线，包括防护层，所述防护层的内壁固定套接有金属保护层，所述金属保护层的内壁固定套接有云母带层，所述云母带层的内壁固定套接有外防水层，所述外防水层的内壁固定套接有外绝缘层该强度高的金钯铜键合线，通过设置缓冲块和加强筋，保证了铜键合线横向以及竖向承载力，进一步提高了使用强度，同时设置的缆线的数量有三个，节约占地空间，且方便安装与整理理线，从而达到了使用方便的目的。
内壁铜键合线固定套加强环金钯金属保护层芳纶纤维外防水层外绝缘层云母带层防护层缓冲块加强筋本实用新型竖向承载力占地空间键合线中心处缆线理线填充节约保证

[发明专利]适于金线键合的BT线路板合金镀层-CN201110101700.6有效
发明人：徐拉链 -专利权人：杭州威利广光电科技股份有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于金线键合的BT线路板合金镀层，其组份为钯和镍，钯和镍的重量份百分配比为：钯70～80%，镍20～30%。本发明先是将钯和镍按照质量配比浇铸成合金锭，然后对BT线路板进行表面处理，即采用常规电镀工艺将钯镍合金电镀在BT线路板上，其中合金镀层的厚度为0.25～0.30微米，或者合金镀层的厚度为0.20微米，并在合金镀层外表面增镀这样处理后，BT线路板能满足所有焊接和键合性能的要求，可与厚金层相媲美，而钯镍合金镀层的成本比厚金层镀层则要便宜一半以上；除此，钯镍合金镀层的银白色外观更适合LED的光电性能，色泽一致，出光效率高等。
适于金线键合 bt 线路板合金镀层

[发明专利]一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法-CN202111414042.6在审
发明人：肖金;周艳琼;翟倩;程伟;方湘怡 -专利权人：广州华立学院
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟微纳米层常温超声瞬态固相键合方法，包括以下步骤：在铜基板上通过电沉积制备出的铜微米针层；以电镀的方式将镀铟液电镀于S1中得到的铜微米针层上，得到具有铜铟二级微纳米层的基板；将两块具有铜铟二级微纳米层的基板相对设置在超声键合仪上，两块基板的铜铟二级微纳米层形成接触区域；启动超声键合仪和加载机，两块基板进行键合；本发明在超声键合仪提供超声能量，加载机提供较小压力的条件下，能瞬态获得高质量的键合；且本发明在常温的空气氛围中即可进行；具有提高键合连接效率，缩短键合连接时间，降低键合连接所需的工艺温度，无需助焊剂，键合残余应力低，工艺流程简单、耗时短的优点，符合绿色封装理念。
一种铜铟微纳米常温超声瞬态固相键合方法

[发明专利]钝化液、提高金属材料键合性能的方法、键合丝、应用-CN202110331270.0在审
发明人：崔成强;周志强;杨斌 -专利权人：广东禾木科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23C22/60 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种钝化液、提高金属材料键合性能的方法、键合丝、应用，所述钝化液通过以导电盐、含铬化合物、强碱、含钯化合物等作为原料而制得。而提供的钝化液的制备方法简单，制备的钝化液可用于制备键合性能优异的键合丝，而且可以在提高键合丝抗硫化性能的同时保证良好键合性能，成本低廉，解决了现有银键合丝产品存在无法在提高抗硫化性能的同时保证良好键合性能的问题
钝化提高金属材料性能方法键合丝应用

[发明专利]一种超薄封装件及其制作工艺-CN201510002443.9在审
发明人：宋波;梁大钟;施保球;刘兴波 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄封装件，包括塑封体以及封装在塑封体内的芯片、镀银层、镀NiPdAu层、铜连接层和键合线，芯片、镀银层、铜连接层、镀NiPdAu层和键合线构成了电路的电源和信号通道，所述的铜连接层有多个，每个铜连接层的上表面和下表面分别设置有镀银层和镀NiPdAu层，所述的多个镀银层相互独立，所述的芯片设置在部分镀银层上，无芯片的镀银层通过键合线与芯片连接，由于可以免电镀、免贴膜，生产成本可以大幅降低
一种超薄封装及其制作工艺

[发明专利]无电钯镀浴组合物-CN201280050036.X有效
发明人： I-R.希尔泽科恩;J.韦格里希特;A.基利安 -专利权人：安美特德国有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明涉及用于无电沉积钯和/或钯合金的含水镀浴组合物，和利用这些含水镀浴组合物的方法。含水镀浴包含钯离子源、还原剂、不含磷的氮化络合剂及包含1至5个膦酸酯残基的至少一种有机稳定剂。如果含水镀浴包含铜离子，所述含水镀浴和方法特别有用。
无电钯镀浴组合

[发明专利]一种化学镀金钯键合银合金丝及其制备方法-CN201410844835.5有效
发明人：周晓光;向翠华;闫茹 -专利权人：北京达博有色金属焊料有限责任公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学镀金钯键合银合金丝，该键合银合金丝的化学组成为：金的质量百分比为1.5%‑2.0%，铈的质量百分比为0.02%‑0.05%，镧的质量百分比为0.02%‑0.05%，余量为银和不可避免的杂质本发明的化学镀金钯键合银合金丝的制备方法包括熔铸和拉丝、化学镀金钯层、退火、清洗和复绕等步骤，在制备过程中合理选择各种工艺参数。本发明提供的用于COB模组封装的化学镀金钯键合银合金丝及其制备方法，获得的丝材抗氧化、硫化性能好，且与金手指上的镍钯金结合性好，满足封装及使用要求。
一种化学镀金钯键合银合金丝及其制备方法

[发明专利]一种晶粒分布稳固的键合银丝材料及其制备方法-CN201910878560.X在审
发明人：周钢 -专利权人：广东佳博电子科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C22C5/06 文献下载
摘要：本发明属于键合丝材料的技术领域，涉及一种晶粒分布稳固的键合银丝材料及其制备方法。该材料的组成成分包括银98%±0.2%、铬0.5%±0.04%、金0.5%±0.03%、钪0.45%±0.04%、钯0.45%±0.02%、钙0.01%±0.001%、镧0.01%±0.004%以及铜0.01%±0.001%，还包括其它微量元素0.001%±0.0001%，微量元素包括铟、铈、钇、硒中的一种或以上；该材料内部为比较稳定、稳固的晶粒形貌，其制备过程使得金属晶粒能够充分分布均匀，提高键合银丝材料合成过程中各成分晶粒的充分吻合
键合银丝晶粒形貌微量元素机械性能稳固化学稳定性晶粒材料合成材料内部金属合成金属晶粒晶粒分布制备过程合金丝键合丝制备吻合优化

[发明专利]一种非钯活化镀镍液、镀镍方法-CN202110392971.5在审
发明人：朱祖光;王世雄;熊汉峰 -专利权人：赤壁市聚茂新材料科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非钯活化镀镍液、镀镍方法。每1L所述非钯活化镀镍液包含如下质量组分：镍盐15～70g；焦磷酸钾5～100g；柠檬酸钠5～50g；EDTA 5～50g；促进剂2～8g；二甲基胺硼烷2～8g；稳定剂3～15mg；表面活性剂2～5mg将待镀件放入到本发明所述的非钯活化镀镍液中，调节pH为9～11即可进行镀镍。所述的活性镀镍液能够直接在铜表面镀一层活性镍而不需要经过钯活化，显著节约了成本；对塑料或陶瓷表面，活化镀镍液能够和专利CN 111763930A公开的活化剂反应，从而在待镀件表面预镀一层活性镍，进一步进行化学镀镍，在摒除了钯活化的同时解决了铜表面不能直接化学镀镍的问题。
一种活化镀镍液方法

[发明专利]一种表面镀镍的银基合金键合丝及其制备方法-CN201810782124.8在审
发明人：苏风凌 -专利权人：四川威纳尔特种电子材料有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面镀镍的银基合金键合丝，以纯银合金为基体，在所述基体表面镀有镍保护层,其中，按照重量的百分比，纯银含量为97.6％‑98.99％，表面镍含量为1.0％‑1.8％，微量元素含量为0.0002在中高端的LED及IC封装中，金丝占有很大的比例，而这种表面镀镍的银基键合丝的成本仅为金丝1/8，在部分LED及IC封装中，大大降低了封装成本。利用本发明方法得到的表面镀镍的银基键合丝，材质更致密，表面光滑，线型截面圆度一致。
表面镀镍键合丝银基合金金丝银基致密纯银合金基体表面截面圆度镍保护层微量元素纯银高端制备封装

[实用新型]一种半导体用超细铜基键合丝-CN201820709017.8有效
发明人：林江楠 -专利权人：上饶市中帆金属有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体用超细铜基键合丝，包括内表层，所述内表层的外表面铺设有玻璃纤维复合块，玻璃纤维复合块远离内表层的一侧铺设有聚氯乙烯层，聚氯乙烯层远离玻璃纤维复合块的一侧铺设有阻燃硅橡胶块该半导体用超细铜基键合丝，通过设置玻璃纤维复合块，玻璃纤维复合快比有机纤维耐温高、不燃、抗腐、隔热、隔音性好、抗拉强度高和电绝缘性好，但性脆且耐磨性较差，因此通过设置钇钡铜氧化物层，钇钡铜氧化物层的导电性最好，因此通过钇钡铜氧化物层和玻璃纤维复合块配合使用能够更加的适应于半导体拆料的使用，使得半导体拆料的使用效果更好。
玻璃纤维复合块半导体钇钡铜氧化物聚氯乙烯层铜基键合丝内表层超细铺设阻燃硅橡胶半导体技术领域本实用新型聚碳酸酯层导电性电绝缘性有机纤维耐磨性隔音性隔热不燃耐温复合

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