|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 17个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]EMC支架的制造方法-CN202310489740.5在审
-
罗小平;李蓉华
-
崇辉半导体（江门）有限公司
-
2023-04-28
-
2023-08-22
-
H01L33/00
- 本申请涉及LED封装的领域，尤其是涉及一种EMC支架的制造方法。EMC支架通过贴膜→曝光→显影→蚀刻→粗化→脱模→分切→注塑→电镀制造而成。由于在脱模步骤前对基板进行粗化，使得在粗化的过程中，干膜对功能区域进行保护，一定程度上保障了功能区域的反光效果。同时，能够节省脱膜后进行选择性粗化的模具等硬件成本。对镂空位和半蚀刻位粗化后，能够提高环氧树脂与基板的结合力从而提高了EMC支架的气密性。将注塑步骤设置在电镀之前，从而能够避免电镀对镂空位和半蚀刻位的填平，也即保证了环氧树脂与支架之间的结合紧密性，从而使得EMC的气密性较好。并且，镂空位和半蚀刻位不被电镀，能够节省贵金属成本。
- emc支架制造方法
- [发明专利]用于集成电路引线框架的蚀刻设备-CN202211093780.X在审
-
罗小平;郑建国
-
崇辉半导体（江门）有限公司
-
2022-09-08
-
2023-06-23
-
H01L21/67
- 本发明公开了一种用于集成电路引线框架的蚀刻设备，具体涉及引线框架蚀刻技术领域，包括用于蚀刻的箱体，所述箱体上方设有转盘，所述转盘外壁表面设有多组用于固定集成电路引线框架的固定组件，所述箱体下方设有盒体，所述盒体内部设有用于过滤蚀刻液的过滤组件，所述转盘和箱体之间设有升降组件。本发明通过驱动转盘将集成电路引线框架输送到蚀刻液中进行蚀刻，处理完成后，先用升降组件将转盘和箱体上下分离，将箱体内的蚀刻液和废渣推到盒体内进行过滤处理，再将过滤后的蚀刻液重新输送到箱体内，蚀刻液在循环流动过程中被过滤，既可以防止蚀刻液沉淀，又可以避免蚀刻液内的废渣影响蚀刻处理，并且不需要停止整个装置，加工效率高。
- 用于集成电路引线框架蚀刻设备
- [发明专利]一种半导体引线框架制造用冲压模具-CN202211145220.4有效
-
罗小平;郑建国
-
崇辉半导体（江门）有限公司
-
2022-09-20
-
2023-06-20
-
B21D28/34
- 一种半导体引线框架制造用冲压模具，具体涉及冲压模具技术领域，包括用于制造半导体引线框架的凹模和凸模，所述凹模顶部设有箱体，所述凸模后侧固定设有外接杆，所述箱体后侧开设有滑槽，所述外接杆一端通过滑槽延伸至箱体外部并固定设有连接环，所述箱体后侧设有用于加压的液压油缸，所述液压油缸包括活塞杆。本发明通过在活塞杆下移的过程中，在活塞杆外壁的橡胶圈处将活塞杆与连接环固定，从而利于活塞杆推动凸模进行冲压，而在一次冲压完成后，断开活塞杆与连接环之间的连接，当另一个橡胶圈移动至连接环内部时，重复上述操作，以此循环往复，通过这种方式，使得活塞杆每伸缩一次，即可完成多次冲压操作，大大提高了加工的效率。
- 一种半导体引线框架制造冲压模具
- [发明专利]一种厚引线框架的制造方法-CN202310221598.6在审
-
罗小平
-
崇辉半导体（江门）有限公司
-
2023-03-08
-
2023-06-06
-
H01L21/48
- 本申请涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种厚引线框架的制造方法。一种厚引线框架的制造方法，包括：提供金属卷带；贴附第一感光干膜、第二感光干膜；图案化形成第一干膜图案层与第二干膜图案层；第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案/第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间一体连接有第一间隙维持条/第二间隙维持条，第一间隙维持条/第二间隙维持条任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案的图像轮廓补偿距离；对金属卷带双面过度蚀刻形成多个厚引线框架一体连接的卷带；第一间隙维持条与第二间隙维持条的内表面没有贴附金属。本申请具有改善厚引线框架在制备过程中图形不准确的问题的效果。
- 一种引线框架制造方法
|
