专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201410005377.6有效
  • 张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱;王彬 - 杭州电子科技大学
  • 2014-01-02 - 2014-04-30 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小,通态电流小,通态线性电阻大,输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构,增加了器件导通态的比沟道宽度,一方面减小了器件沟道电阻,增大了通态电子流注入,凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻,从而降低通态压降和功耗
  • 一种梳状栅纵向沟道soildmos单元
  • [发明专利]具有沟道的吸湿性物品-CN200810000015.2有效
  • 郝学恩;苗霖;张彤彤 - 金佰利(中国)有限公司
  • 2008-01-02 - 2009-07-08 - A61F13/15
  • 本发明提供一种吸湿性物品(1),包括透液的顶片(2)、不透液或透液的底片(3)以及夹在顶片和底片之间的吸收芯(4),该吸湿性物品具有沿其长度方向延伸的纵向中心线(x-x),在纵向中心线的两侧分别设有基本上沿所述长度方向延伸的、因压缩该顶片和该吸收芯而形成的至少一个纵向沟道(5),其中,沿长度方向在每个纵向沟道(5)中交替形成多个第一凸起(7)和多个第二凸起(8),第二凸起的上表面距纵向沟道底面(5A)的垂直直线距离(H)大于所述第一凸起(7)的上表面(7A)距所述纵向沟道底面(5A)的垂直直线距离(L)。
  • 具有沟道吸湿性物品
  • [发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法-CN201610793198.2有效
  • 顾炎;程诗康;张森 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2016-08-31 - 2020-07-10 - H01L29/772
  • 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制造方法,所述结型场效应晶体管包括:阱区,为第二导电类型且形成于第一导电类型区内;源极,为第一导电类型且形成于阱区内;源极金属电极,形成于源极上且与源极接触;横向沟道区本发明将传统JFET的纵向沟道固化下来,通过在器件表面添加横向沟道区,提高两部分沟道的比例中的横向沟道来调节整体的夹断电压,这种方法适用于更高的电流和电压。其结合了横向JFET可调节的优势而应用于纵向器件,加长了横向沟道的长度,可以忽略纵向沟道的影响而仅通过调节横向沟道而实现整个JFET的夹断电压精确调整。
  • 场效应晶体管及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202011143404.8在审
  • 张文杰 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-10-23 - 2021-01-22 - H01L27/11568
  • 所述半导体器件包括:堆栈层,所述堆栈层包括多个纵向交替堆叠的栅极层和层间绝缘层;纵向贯穿所述堆栈层的存储串沟道结构,所述存储串沟道结构包括位于所述存储串沟道结构顶部的沟道插塞;以及,位于所述存储串沟道结构上的沟道触点,所述沟道触点与所述沟道插塞连接,所述沟道触点包含第一触点结构和第二触点结构,其中,所述第一触点结构的底表面与所述第二触点结构的顶表面连接,所述第一触点结构的顶表面尺寸大于所述第二触点结构的顶表面尺寸。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [实用新型]集成梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201420006480.8有效
  • 张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱 - 杭州电子科技大学
  • 2014-01-02 - 2014-07-09 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及一种集成梳状栅纵向沟道SOILDMOS单元。常规SOILDMOS导通沟道宽度小,通态电流小,通态线性电阻大,输出电流能力弱。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构,增加了器件导通态的比沟道宽度,一方面减小了器件沟道电阻,增大了通态电子流注入,凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻,从而降低通态压降和功耗
  • 集成梳状栅纵向沟道soildmos单元
  • [发明专利]具有自对准沟道宽度的晶体管-CN201210399143.5有效
  • 柳政澔;真锅宗平 - 全视科技有限公司
  • 2012-10-19 - 2013-04-24 - H01L29/423
  • 本发明涉及具有自对准沟道宽度的晶体管。一种装置包含晶体管,所述晶体管包含:源极及漏极,其安置于衬底中;及栅极,其安置于所述衬底上面。所述栅极包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的沟道延续的第一纵向部件。所述第一纵向部件安置于第一结隔离区域上方。所述栅极还包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的所述沟道延续的第二纵向部件。所述第二纵向部件安置于第二结隔离区上方。所述栅极还包含大致垂直于所述晶体管的所述沟道延续且将所述第一纵向部件连接到所述第二纵向部件的横向部件。所述横向部件安置于所述源极及所述漏极上面以及其之间。
  • 具有对准沟道宽度晶体管

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