“热海知昭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果33个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN202280019633.X在审
发明人：久保田大介;镰田太介;山下晃央;冈崎健一;楠纮慈;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种具有光检测功能且包括高清晰显示部的半导体装置。显示装置包括发光器件、受光器件及衬底。发光器件依次层叠有衬底上的第一电极、发光层、第一电子传输层、电子注入层及第二电极。受光器件依次层叠有衬底上的第三电极、活性层、第一空穴传输层、电子注入层及第二电极。第一电极被供应第一电位。第二电极优选被供应低于第一电位的第二电位。第三电极优选被供应高于第二电位的第三电位。
显示装置显示模块电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202310368606.X在审
发明人：楠纮慈;川岛进;宍户英明;热海知昭;斋藤元晴 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种新颖的半导体装置。提供一种包括纵向沟道型晶体管的单极性半导体装置。通过将在纵向沟道型晶体管的栅极源极间寄生电容和栅极漏极间寄生电容中电容值大的寄生电容用于自举电容，实现占有面积小的半导体装置。通过作为纵向沟道型晶体管的半导体层使用氧化物半导体，源极与漏极间的绝缘耐压变高，可以使沟道长度变短。此外，在高温环境下也可以实现稳定工作。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202280016473.3在审
发明人：楠纮慈;渡边一德;热海知昭;吉本智史 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：提供一种具有光检测功能的包括高清晰显示部的半导体装置。半导体装置包括多个像素，像素包括第一及第二受光器件、第一至第五晶体管、电容器及第一布线。第一受光器件的一个电极与第一布线电连接，第一受光器件的另一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第二受光器件的一个电极与第一布线电连接，第二受光器件的另一个电极与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。第一晶体管的源极和漏极中的另一个与电容器的一个电极、第三晶体管的源极和漏极中的一个及第四晶体管的栅极电连接。
半导体装置电子设备

[发明专利]显示装置-CN202180083450.X在审
发明人：楠纮慈;渡边一德;吉本智史;热海知昭;久保田大介;楠本直人 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种高清晰且显示不均匀得到降低的显示装置。本发明是一种显示装置，在衬底上包括多个像素，多个像素各自包括晶体管及发光元件，发光元件包括第一电极、第一电极上的EL层以及EL层上的第二电极，第一电极与晶体管电连接，在多个像素中，相邻的像素的第一电极被绝缘层彼此分开，第二电极包含具有可见光透过性的导电材料，多个上述像素间共享上述第二电极，并且从上述第二电极一侧射出光。显示装置还包括布线，在从平面看衬底时，布线配置在没有配置EL层的区域中且第二电极以与布线上接触的方式配置。
显示装置

[发明专利]半导体装置-CN202080032977.5在审
发明人：国武宽司;大嶋和晃;津田一树;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。
半导体装置

[发明专利]具有错误检测功能的存储装置、半导体装置以及电子设备-CN202080014345.6在审
发明人：国武宽司;大贯达也;热海知昭;加藤清 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供一种具有错误检测功能且其每单位面积的可存储数据量大的存储装置。使用形成在半导体衬底上的晶体管构成存储装置的驱动电路，使用薄膜晶体管构成存储装置的存储单元。可以在半导体衬底的上方层叠设置其中使用薄膜晶体管构成存储单元的层，可以增大每单位面积的可存储数据量。另外，因为可以使用薄膜晶体管构成存储装置所包括的外围电路的一部分，所以使用薄膜晶体管构成错误检测电路，将其层叠设置在半导体衬底的上方。
具有错误检测功能存储装置半导体以及电子设备

[发明专利]存储装置-CN201980051607.3在审
发明人：大贯达也;加藤清;热海知昭;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种新颖的存储装置。该存储装置包括延伸在第一方向上的多个第一布线、多个存储元件群以及沿着第一布线的侧面延伸的氧化物层，该存储元件群的每一个都包括多个存储元件，该存储元件的每一个包括第一晶体管及电容器。第一晶体管的栅电极与第一布线电连接。氧化物层包括与第一晶体管的半导体层接触的区域。在邻接的存储元件群之间设置第二晶体管。对第二晶体管的源电极和漏电极中的一个或两个供应高电源电位。
存储装置

[发明专利]半导体器件-CN201710365782.2有效
发明人：家田义纪;磯部敦生;盐野入丰;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括：存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201980016069.4在审
发明人：山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司;塚本阳子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种抑制特性波动、元件劣化、形状异常或导致绝缘击穿的带电现象的半导体装置。一种半导体装置，在同一平面上包括：第一区域；以及第二区域，其中，第一区域包括晶体管，第二区域包括伪晶体管，晶体管包括第一布线层、配置在第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在半导体层的上方的第二布线层及配置在第二布线层的上方的第三布线层，并且，伪晶体管的面积与选自第一布线层、第二布线层、半导体层及第三布线层中之一个或多个相同。
半导体装置

[发明专利]存储装置、半导体装置及电子设备-CN201980010121.5在审
发明人：山崎舜平;加藤清;热海知昭;长塚修平;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种新颖存储装置以及新颖半导体装置。一种在控制电路的上方层叠设置有包括多个存储单元的单元阵列的存储装置，单元阵列按每多个块工作。另外，在控制电路和单元阵列之间包括多个电极。电极设置于每块并与块重叠地设置，各块的电极的电位可以不同。电极被用作包括在存储单元中的晶体管的背栅极，在各块电极的电位不同时，可以改变包括在存储单元中的晶体管的电特性。另外，电极可以降低在控制电路中产生的噪声。
存储装置半导体电子设备

[发明专利]半导体装置以及其工作方法-CN201980007097.X在审
发明人：国武宽司;本田龙之介;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：提供一种可以取得晶体管的阈值电压的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第一电容器、第一输出端子、第一开关以及第二开关。第一晶体管的栅极与源极电连接。第一电容器的第一端子与源极电连接。第一电容器的第二端子及第一输出端子与第一晶体管的背栅极电连接。第一开关控制向背栅极的第一电压的输入。第一晶体管的漏极被输入第二电压。第二开关控制向源极的第三电压的输入。
半导体装置及其工作方法

[发明专利]半导体装置-CN201880077463.4在审
发明人：大贯达也;松崎隆德;热海知昭;石津贵彦 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种新颖的半导体装置。根据工作温度调节具有栅极和背栅极的晶体管的背栅电压。利用温度检测电路测取工作温度。温度检测电路将温度信息以数字信号输出。该数字信号被输入到电压控制电路。电压控制电路输出对应于该数字信号的第一电压。背栅电压由对基准电压加上第一电压的电压决定。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、电子构件及电子设备-CN201880034637.9在审
发明人：山崎舜平;加藤清;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：提供一种存储电路由使用OS晶体管的单极性电路构成的新颖的半导体装置。因此，在存储电路内部中，不需要连接不同层。由此，可以减少连接部数而可以提高电路布局的自由度及OS晶体管的可靠性。特别是，因为设置多个存储单元，所以通过由单极性电路构成存储单元，可以大幅度地减少连接部数。此外，通过在同一层中设置驱动电路和单元阵列，可以防止在层间设置连接驱动电路和单元阵列的多个布线，从而可以进一步减少连接部数。可以在插板设置多个集成电路来将其用作一个电子构件。
单极性电路存储单元存储电路单元阵列晶体管连接驱动电路半导体装置电路布局电子构件驱动电路同一层布线层间插板集成电路

[发明专利]半导体器件-CN201210132046.X有效
发明人：家田义纪;磯部敦生;盐野入丰;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： G11C11/4193 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低功耗并能以高速操作的半导体器件。该半导体器件包括存储元件，包括在沟道形成区中具有结晶硅的第一晶体管；用于储存所述存储元件的数据的电容器；以及是用于控制所述电容器中的电荷的供给、储存和释放的开关元件的第二晶体管。所述第二晶体管设置在覆盖所述第一晶体管的绝缘膜上。所述第一和第二晶体管具有公共的源电极或漏电极。
半导体器件

[发明专利]半导体存储装置-CN201210328076.8有效
发明人： 热海知昭;奥田高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，能降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。在叠层配置的存储单元阵列（例如，包括使用氧化物半导体材料构成的晶体管的存储单元阵列）和外围电路（例如，包括使用半导体衬底构成的晶体管的外围电路）之间配置遮蔽层。由此，可以遮蔽在该存储单元阵列和该外围电路之间产生的辐射噪声。因此，可以降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。
半导体存储装置

1
2
3
下一页»
尾页
共 33 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top