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[发明专利]纵向晶体管-CN98109717.0无效
发明人：约翰·阿尔斯迈耶 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-06-05 - 公布日： 1998-12-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种存储器单元如DRAM单元中用的纵向晶体管,它具有沟道电容器。该纵向晶体管包括栅,该栅有位于沟道电容器上的水平部分和垂直部分。
纵向晶体管

[发明专利]密封装置-CN99808233.3无效
发明人： F·达姆斯;J·德里克;D·罗森;F·范德普特 -专利权人：泰科电子雷伊化学有限公司
申请日： 1999-06-15 - 公布日： 2001-08-15 - 主分类号： H02G15/013 文献下载
摘要：一种用于密封物体中的孔隙的密封装置(1),通过该孔隙延伸一个或多个细长的物品,该密封装置包括具有至少一个纵向延伸的适合于容纳和支持细长的物品的沟道(8a)的第一支持件(2a);与第一支持件在纵向上间隔开使用的第二支持件(2b),该第二支持件具有至少一个纵向延伸的与第一支持件的沟道相对应的沟道(8b);被置于第一和第二支持件之间的密封件(3),这样配置以在第一支持件的纵向延伸沟道内容纳细长的物品,从而延伸并通过第二支持件上相应的沟道
密封装置

[发明专利]一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法-CN201010252925.7无效
发明人：臧松干;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。
一种凹陷沟道横向纵向扩散场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]一种电厂用装配式钢筋混凝土沟道-CN201820565388.3有效
发明人：刘天英;刘同华;史双丽;李琪;潘玉香 -专利权人：中国电力工程顾问集团东北电力设计院有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：一种电厂用装配式钢筋混凝土沟道，其包括工厂预制钢筋混凝土沟道，预制钢筋混凝土沟道端部一端预埋橡胶止水带、另一端预制出槽口，预制钢筋混凝土沟道底部设有集水井，集水井侧面设有排水管；相邻两预制钢筋混凝土沟道通过预制钢筋混凝土沟道端部橡胶止水带与预制钢筋混凝土沟道端部出槽口连接，预制钢筋混凝土沟道相互连接处设有间距伸缩缝，预制钢筋混凝土沟道端部橡胶止水带上设有镀锌钢压板，橡胶止水带与镀锌钢压板之间设有镀锌混凝土钉，将镀锌钢压板固定在预制混凝土沟道上；通过水泥砂浆找平预制钢筋混凝土沟道内部纵向坡度，合理布置纵向集水井的间距，达到，不再为了排水加深沟道、减小现场的开挖工程量的目的。
预制钢筋混凝土沟道橡胶止水带沟道端部钢筋混凝土镀锌钢集水井压板装配式电厂水泥砂浆找平预制混凝土槽口连接工厂预制纵向坡度排水管工程量伸缩缝槽口镀锌减小预埋预制混凝土开挖排水侧面加深

[发明专利]MOSFET器件管芯及其制作方法-CN202210981527.1在审
发明人： P·文卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：至少一个台面形成在该半导体衬底中并且在纵向方向上延伸穿过该有源区域。该至少一个台面包括在纵向方向上延伸的沟道区。该沟道区包括低阈值电压沟道部分和高阈值电压沟道部分。该第一有源区域部分包括低阈值电压沟道部分与高阈值电压沟道部分之比为第一比率的沟道部分，并且该第二有源区域部分包括低阈值电压沟道部分与高阈值电压沟道部分之比为第二比率的沟道部分。
mosfet 器件管芯及其制作方法

[发明专利]动态随机存取存储器-CN99127484.9无效
发明人： C·拉登斯;J·德布洛瑟;U·格吕宁;J·曼德尔曼 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司
申请日： 1999-12-29 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种在半导体基片上形成的存储单元，包括一个纵向沟道和一个晶体管，纵向沟道作为存储电容器，沟道中充有多晶硅填充料，晶体管的源极在沟道的侧壁中形成，晶体管的漏极在半导体基片中形成，晶体管的表面与半导体基片的顶部表面共用，晶体管的沟道区包括垂直部分和水平部分以及作为沟道上部分的多晶硅栅。
动态随机存取存储器

[发明专利]测定海水中磷含量的光流控检测器-CN201810462356.5在审
发明人：杨奕;朱娇梦;史阳 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01N21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种测定海水中磷含量的光流控检测器，能够提高检测过程的稳定性，并保证结果的准确定和精确性，其特征在于，包括：三个微流泵；入口部，包含分别与三个微流泵相连的第一入口流道、第二入口流道、第三入口流道；混合部，包含：多个相互平行设置的纵向微流沟道，多个连接相邻纵向微流沟道的横向微流沟道，和设置在纵向微流沟道和横向微流沟道中的多个半圆环形微结构；毛细比色管，入口与设置在最下游的纵向微流沟道的出流端相连通；光纤部，包含两个光纤，两个光纤的前端口相对向设置在毛细比色管的左右两侧
沟道光纤入口流道检测器比色管前端口微流泵光流毛细海水光学谐振腔光谱仪半圆环形平行设置相邻纵向左右两侧光学膜混合部激光源入口部微结构连通检测保证

[发明专利]氧化镓场效应晶体管-CN201810935834.X有效
发明人：吕元杰;宋旭波;王元刚;梁士雄;谭鑫;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了氧化镓场效应晶体管，包括衬底、沟道层、源极、栅极和漏极；其特征在于，所述沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增；本发明中沟道层的掺杂浓度纵向由上到下递增，沟道层的掺杂浓度不是单一的，距离栅极越近的位置掺杂浓度越低
氧化场效应晶体管

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202111647171.X在审
发明人：张坤;吴林春;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构在平行于衬底的横向上的一端形成台阶结构；形成覆盖于台阶结构上的绝缘覆盖层；在台阶结构上形成冗余沟道孔，冗余沟道孔在垂直于衬底的纵向上延伸，冗余沟道孔的顶端部位于绝缘覆盖层中，且冗余沟道孔不贯穿台阶结构；在冗余沟道孔中形成冗余沟道结构；形成在纵向上延伸且贯穿冗余沟道结构和台阶结构的虚拟沟道结构，虚拟沟道结构在衬底上的正投影位于冗余沟道结构在衬底上的正投影内，从而在三维存储器的形成工艺中，能够减小虚拟沟道结构的顶部尺寸和底部尺寸的差异，进而有利于增大形成接触插塞时的工艺窗口，以减小制造工艺难度，并降低生产成本。
三维存储器及其制作方法

[实用新型]一种四点球回转支承沟道软带的打磨装置-CN201620120151.5有效
发明人：吴群 -专利权人：洛阳新强联回转支承股份有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： B24B55/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四点球回转支承沟道软带的打磨装置，包括基础板、横向板、纵向板、基础板调节螺母、横向板调节螺母、纵向板调节螺母、基础板调节槽、横向板调节槽、纵向板调节槽；基础板设置在右侧，由整块板组成；横向板设置在中间部位，由两块组成，横向板与右侧的基础板连接，纵向板设置在左侧与中间部位的横向板相连接。这种四点球回转支承沟道软带的打磨装置能够有效解决打磨机打磨容易使打磨的区域发生偏移，对沟道软带的打磨区域不好控制的问题，大大提高了对软带打磨的打磨效率和沟道软带的打磨质量。
一种点球回转支承沟道打磨装置

[发明专利]一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构-CN202310686179.X在审
发明人：廖永波;徐丰和;李平;宋健强;万旭;袁丕根;牛耀都 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向堆叠的垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路(IC)领域。本发明中的纵向堆叠结构将NMOS与PMOS在垂直方向上堆叠，在器件之间有SiO2隔离，将四个纵向堆叠结构通过层层互联构成了一种高集成度6管SRAM基本单元。该堆叠结构同时采用了栅极对准的方式，栅极区域仅包裹沟道区或沟道区及与其相邻的轻掺杂漂移区。通过将SRAM基本单元在纵向进行堆叠，能够显著提高SRAM集成度，节约芯片面积。
一种纵向堆叠垂直沟道 sram 集成电路结构

[发明专利]半导体传感器部件-CN201180005860.9有效
发明人：恩德·腾海夫 -专利权人：艾尔默斯半导体股份公司
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。
半导体传感器部件

[发明专利]一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构-CN202310686192.5在审
发明人：廖永波;万旭;李平;牛耀都;徐丰和;宋健强;袁丕根 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，涉及微电子技术和集成电路领域。本发明提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，在纵向上分别设置有源极区域一、半导体沟道区一、漏极区域一、二氧化硅隔离区域、漏极区域二、半导体沟道区二和源极区域二，同时实现了NMOS和PMOS均采用沟道区重掺杂和轻掺杂漏区的方式来抑制DIBL效应。器件周围通过刻槽的方式环绕着栅极区域，栅极与半导体区之间设置有栅介质层，两个器件的栅极以及源漏电极均可以单独的引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种纵向堆叠的异质结垂直沟道场效应晶体管(HVTFET)集成电路结构，用以提高数字电路基本的集成度。
一种纵向堆叠异质结垂直沟道场效应晶体管 hvtfet 集成电路结构

[实用新型]一种设有易于机械手抓取的球销网孔板的球销自动线-CN201720951485.1有效
发明人：施松波 -专利权人：上海采埃孚伦福德底盘技术有限公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： B23P23/00 文献下载
摘要：滚丝单元和球销收集单元，料仓单元包括上料码垛工位和上料码垛机器人；上料码垛工位包括球销料仓，球销料仓内设有球销网孔板；球销网孔板两侧设有两个把手；球销网孔板通过所述把手架在球销料仓内；球销网孔板上设有至少横向沟道，和纵向沟道，横向沟道与纵向沟道相互交叉构成一网状结构；在横向沟道与纵向沟道的交叉处，设有球销放置孔；球销放置孔下方设有底部密封的球销容纳槽，与球销放置孔形成盲孔结构。
一种设有易于机械手抓取网孔自动线

[发明专利]MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备-CN202211100246.7在审
发明人：张枫;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种MOSFET的结构、制造方法及功率器件、电子设备，属于半导体技术领域，通过包括外延层、沟道层、有源层、栅极结构、第一沟槽、第一导电层、第一介电层、金属柱、浮动结以及第一绝缘层；沟道层设置于外延层的上表面；有源层设置于沟道层的上表面；栅极结构从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；第一沟槽从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；第一导电层覆盖在第一沟槽的侧壁内表面；第一介电层覆盖在第一导电层的侧壁内表面；金属柱填充在第一介电层内部；浮动结位于第一沟槽的底部；第一绝缘层位于第一沟槽的顶部；减小了MOSFET的内阻并提高了纵向耐压能力和横向耐压能力。
mosfet 结构制造方法功率器件电子设备