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[发明专利]等离子体辅助键合方法-CN201310036846.6无效
发明人：张峰;曹共柏;魏星;王文宇;王中党;郑健 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子辅助键合方法，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底表面包含一氧化层；采用氮气等离子体处理工艺处理所述氧化层的表面；对所述第二衬底的用于键合的表面进行等离子处理，本步骤所采用的等离子体种类和处理时间至少有一项不同于对所述氧化层表面的处理步骤本发明的优点在于，通过调整等离子体气体和等离子体处理时间，对待键合的两片衬底表面采用不同的等离子体处理，可以获得两种不同化学特性的表面，从而提高键合界面性能和键合良率。
等离子体辅助方法

[发明专利]一种电磁场辅助激光解键合的方法-CN202210241724.X在审
发明人：张国平;王方成;刘强;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种电磁场辅助激光解键合的方法，包括以下步骤：将键合的晶圆对置于电场和磁场中，其中，所述键合的晶圆对包括由光敏材料形成的键合层、承载晶圆和器件晶圆；采用激光发生器对所述键合的晶圆对的目标区域进行照射，使所述键合层产生的等离子体在电场和磁场的作用下向所述承载晶圆偏转。本发明基于激光诱导光敏材料产生的等离子体在电磁场中的可控运动，通过设置电场和磁场的方向和强度使等离子体在电磁场下向承载晶圆偏转，导致等离子体的浓度从承载晶圆至器件晶圆轴向上的梯度递减，促进解键合过程，本发明不仅具有操作简单
一种电磁场辅助激光解键合方法

[发明专利]一种SiC衬底的键合方法-CN202211586947.6在审
发明人：江文宇;汪良;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC衬底的键合方法，包括：在经过等离子体活化处理的第一衬底的键合面添加超临界二氧化碳；将经过等离子体活化处理的第二衬底的键合面与所述第一衬底的键合面预键合。通过超临界二氧化碳辅助预键合，将空气挤出减少预键合过程中产生空泡，同时利用超临界二氧化碳的溶解能力减少微小粒子的残留，从而增加SiC衬底键合强度和有效键合面积。
一种 sic 衬底方法

[发明专利]键合装置以及键合方法-CN202010135241.2有效
发明人：高定奭;李恒林;金旼永;金度延;朴志焄;张秀逸;金光燮 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种键合装置以及键合方法，其能够将基板与键合对象(管芯或基板)键合时，避免基板与键合对象之间的键合界面的气体捕集现象的同时，通过阳极键合有效使得基板与键合对象键合。根据本发明实施例的键合方法，其在第一基板上键合包括管芯或第二基板的键合对象，包括：通过从一个或多个等离子体装置的各个等离子体尖端，在要键合所述键合对象的所述第一基板上的键合区域中产生等离子体来对所述键合区域进行亲水化；在所述第一基板上的已被亲水化的键合区域上配置所述键合对象，并使所述等离子体尖端接触于所述键合对象的上部面；以及通过在与所述第一基板的下部面接触的第一电极与设置于所述等离子体尖端的第二电极之间施加电压的阳极键合热处理，在所述第一基板上键合所述键合对象。
装置以及方法

[实用新型]一种晶圆键合装置-CN202122373475.3有效
发明人：袁绅豪;赵志远;刘淼;刘武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆键合装置，包括：等离子腔室，用于对待键合晶圆进行表面活化处理；水汽控制模块，包括设于等离子腔室内且用于测量等离子腔室内的水汽含量的水汽监测单元，以及与等离子腔室连通且用于向等离子腔室内通入水汽的水汽调节单元本申请实施例中通过设置水汽监测单元对等离子腔室内的水汽含量进行实时监测，并在等离子腔室内的水汽含量低于预设阈值时通过水汽调节单元向等离子腔室补充水汽，确保等离子腔室内的水汽含量不会过低，保证了待键合晶圆后续键合的稳定性
一种晶圆键合装置

[实用新型]一种原位等离子体清洗和键合晶片的设备-CN201220005989.1有效
发明人：代盼;李鹏;黄寓洋;何巍;季莲;陆书龙;董建荣;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶片清洗、键合技术，尤其是指一种能高效率完成清洗和键合操作的原位等离子体清洗和键合晶片的设备。这种设备包括真空键合装置（110），还包括等离子体清洗装置，所述等离子体清洗装置与真空键合装置（110）连通。本实用新型的有益效果在于：将等离子体清洗和晶片键合过程并入到同一腔室中实施，同时实现有效、高质量的晶片清洗、去氧化层和键合。使用该技术进行基片键合，可以解决现有基片键合的污染问题，能够实现高性能的键合性能。
一种原位等离子体清洗晶片设备

[发明专利]一种晶圆低温键合系统及键合方法-CN202010956309.3在审
发明人：司伟;刘效岩 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆低温键合系统及键合方法，所述键合系统包括：传输模块、等离子活化模块，清洗亲水模块，对准键合模块；传输模块用于存放及传输晶圆，并与控制系统相连，实现自动化生产；等离子活化模块采用等离子体对晶圆表面进行活化处理，增加晶圆表面的悬挂键；清洗亲水模块用于对经过等离子活化处理后的晶圆表面进行亲水处理，使悬挂键转化为羟基，同时对晶圆表面进行清洗防止大颗粒污染；对准键合模块用于对经过等离子活化和亲水处理的两张晶圆进行对准，完成对准之后进行晶圆键合，经过键合后的两张晶圆形成晶圆对。本发明的晶圆低温键合系统中可以在低温低压的情况下完成键合所需的全部工艺，克服了高温键合工艺的缺陷。
一种低温系统方法

[发明专利]等离子体辅助热压键合微流控芯片及其制备方法-CN201410853042.X在审
发明人：刘祝凯;郭哲;许斌 -专利权人：北京同方生物芯片技术有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体辅助热压键合微流控芯片及其制备方法，所述方法包括：对基片和盖片分别进行等离子处理，使所述基片的表面形成第一活化层，并且所述盖片的表面形成第二活化层；利用所述第一活化层和所述第二活化层对所述基片和所述盖片进行热压键合本发明提供的方法在键合工艺参数上降低了键合温度与时间，显著提高了热键合的生产效率及良率，且键合强度为直接热键合的3-5倍，而微结构的变形量比直接热键合显著降低。
等离子体辅助热压键合微流控芯片及其制备方法

[实用新型]一种晶圆低温键合系统-CN202021984729.4有效
发明人：司伟;刘效岩 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆低温键合系统，所述键合系统包括：传输模块、等离子活化模块，清洗亲水模块，对准键合模块；传输模块用于存放及传输晶圆，并与控制系统相连，实现自动化生产；等离子活化模块采用等离子体对晶圆表面进行活化处理，增加晶圆表面的悬挂键；清洗亲水模块用于对经过等离子活化处理后的晶圆表面进行亲水处理，使悬挂键转化为羟基，同时对晶圆表面进行清洗防止大颗粒污染；对准键合模块用于对经过等离子活化和亲水处理的两张晶圆进行对准，完成对准之后进行晶圆键合，经过键合后的两张晶圆形成晶圆对。本实用新型的晶圆低温键合系统中可以在低温低压的情况下完成键合所需的全部工艺，克服了高温键合工艺的缺陷。
一种低温系统

[发明专利]等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法-CN201510598724.5有效
发明人：郭广生;王思雨;蒲巧生;汪夏燕 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。
等离子体辅助玻璃石英芯片微结构对准预键合方法

[发明专利]双等离子体超薄隐埋氧化-CN200710169540.2无效
发明人：约努茨·拉杜;奥德丽·兰伯特 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及双等离子体超薄隐埋氧化。提供了一种用于键合以从半导体材料之中选择的材料实现的两片基板的方法，所述方法实现：通过热处理来键合两片基板的步骤；对各基板的要键合的表面的等离子体激活，所述两片基板中的第一基板的要键合的表面包括氧化层。该方法的特征在于，在包含氧气的气氛下执行对所述氧化层的等离子体激活，在中性气氛下执行对第二基板的要键合的表面的等离子体激活。
等离子体超薄氧化

[发明专利]晶片与晶片键合方法和晶片与晶片键合系统-CN201910427024.8在审
发明人：李俊昊;金圣协;孙沂周 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：提供了一种晶片与晶片键合方法和一种晶片与晶片键合系统。所述晶片与晶片键合方法包括：对第一晶片的键合表面执行等离子体处理；在对第一晶片的键合表面执行等离子体处理之后，对第一晶片加压；以及使第一晶片键合到第二晶片。所述等离子体处理沿着围绕第一晶片的中心的圆周方向具有不同的等离子体密度。在对第一晶片加压之后，第一晶片的中间部分突出。通过从第一晶片的中间部分向第一晶片的周缘区域逐渐地将第一晶片接合到第二晶片，使第一晶片键合到第二晶片。
晶片晶片键合等离子体处理键合表面种晶加压等离子体部分突出晶片接合周缘区域

[实用新型]晶圆键合设备-CN202121204761.0有效
发明人：赵志远;袁绅豪;刘武;刘淼;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆键合设备，包括用于对待键合晶圆的表面进行激活处理的等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括：等离子体腔；等离子体生成气体管道，与所述等离子体腔连接；水汽管道，与所述等离子体腔连接；位于所述等离子体腔内的电极，所述电极用于使等离子体生成气体生成等离子体以对待键合的晶圆的表面进行激活处理；设置在所述水汽管道上的第一阀门；所述第一阀门被配置为在所述电极通电之前开启以在所述生成等离子体之前通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽；或者所述第一阀门被配置为在所述电极通电过程中开启以在所述生成等离子体的同时通过所述水汽管道向所述等离子体腔中引入水汽。
晶圆键合设备

[发明专利]一种聚合物微流控芯片的键合方法以及聚合物微流控芯片-CN202210928461.X在审
发明人：张慧儒;王素娟;罗杵添;张濯;谢普阳 -专利权人：广东顺德工业设计研究院（广东顺德创新设计研究院）
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物微流控芯片及其键合方法，聚合物微流控芯片包括基片和盖片，键合方法包括以下步骤：对基片的待键合面和盖片的待键合面在第一气体环境中进行等离子体处理，制备预处理基片和预处理盖片，第一气体包括氧气；叠置预处理基片与预处理盖片，使基片的待键合面和盖片的待键合面接触，进行热压键合处理，制备预键合微流控芯片；对预键合微流控芯片在第二气体环境中进行等离子体处理，第二气体包括COF2<在热压键合前设置了氧气等离子体处理可增加基片和盖片间的键合力，配合COF2气体对键合后的芯片进行等离子体疏水处理，利用C‑O的低键能不仅可以保证疏水需求，且键合后的微流控芯片仍可以满足高温且高压的使用需求
一种聚合物微流控芯片方法以及

[发明专利]键合表面的金属氧化物的清洁方法-CN202111033900.2在审
发明人：刘天建;胡海威;田应超;曹瑞霞;李琳瑜;石林 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种键合表面的金属氧化物的清洁方法，通过在等离子体活化腔室中执行活化工艺的同时还执行了还原工艺，没有增加额外的等离子体反应腔室及工艺步骤，从而没有增加工艺所需设备及成本；等离子体活化腔室中激发氢气和氮气的混合气体成为等离子体，通过等离子体轰击还原所述氧化铜薄层以将所述氧化铜还原为铜，使得键合铜垫表面上的氧化铜薄层得以还原为铜薄层，从而避免了氧化铜薄层对混合键合后的电性连接影响，提高了产品的良率；通过将已初步活化键合界面的晶圆从等离子体活化腔室中取出时与空气中的水结合即可以完成含硅氧绝缘层表面的活化，从而使得含硅氧绝缘层在混合键合时更容易键合，增加了含硅氧绝缘层的键合强度。
表面金属氧化物清洁方法

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