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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011329295.9在审
发明人：熊子遥;王敏;王鹏;李振亚 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过在形成金属材料层之后，对金属材料层执行离子轰击工艺，以使至少部分位于金属材料层的顶表面上，且凸起的金属晶粒被轰击掉落后，填充至金属材料层的顶表面的凹陷处。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法-CN201010132916.4有效
发明人：岳文;王成彪;付志强;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物
一种金属硫化物类金刚石复合薄膜制备方法

[发明专利]一种智能源挡板系统及其制备硬质涂层的方法-CN201610725833.3有效
发明人：董骐;罗蓉平;赵海波;李常彬;孙丁浩 -专利权人：北京丹鹏表面技术研究中心
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：方法包括：(1)涂层前的处理；(2)抽真空；(3)启动氩离子轰击清洗；(4)继续抽高真空达到4.0～9.0x10
一种智能挡板系统及其制备硬质涂层方法

[发明专利]由基于一种或多种聚合物的表面处理材料制成的机动车辆部件-CN201180045305.9无效
发明人：弗瑞德瑞克·莫瑞特;马克·布莱泽尔;艾里克西斯·陈奈特 -专利权人：法雷奥照明公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C08J7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种机动车辆部件，包括含有一种或更多种聚合物的材料，所述材料通过离子轰击进行表面处理，以便改善材料的表面外观。
基于一种多种聚合物表面处理材料制成机动车辆部件

[发明专利]实现R6G荧光分子在WSe2-CN202211366577.5在审
发明人：吴章婷;何娇燕;郑梁;郑鹏;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及实现R6G荧光分子在WSe2基底材料上的SERS效应的方法，包括步骤一：配置R6G溶液，步骤二：利用氩等离子体处理WSe2基底材料；步骤三：WSe2改性后进行R6G溶液的拉曼增强效应，本发明经过氩等离子体轰击处理后，通过光学显微镜观察到WSe2少数层区域的颜色变浅，说明氩离子轰击处理引入了较多的空位缺陷，使得WSe2样品厚度变薄，达成了相应的目的。
实现 r6g 荧光分子 wse base sub

[发明专利]一种逐层减薄石墨烯的方法-CN201110191536.2有效
发明人：杨喜超;谢晓明;江绵恒;丁古巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种逐层减薄石墨烯的方法，其特征在于首先利用等离子灰化技术，用等离子轰击多层石墨烯，然后在高温炉中退火以去除顶层石墨烯，实现高精度的减薄石墨烯。通过多次等离子体轰击和高温退火可以实现逐层减薄多层石墨烯。该发明特征在于将等离子技术对石墨烯改性和石墨烯各向异性的氧化过程相结合，对多层石墨烯进行精确刻蚀，能够实现单原子层精度减薄多层石墨烯，并且保留了减薄后石墨烯的优良性能。
一种逐层减薄石墨方法

[发明专利]降低立方氮化硼薄膜应力的方法-CN200810119797.1无效
发明人：范亚明;张兴旺;谭海仁;陈诺夫 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3：将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar⁺离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar⁺及N₂⁺的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。
降低立方氮化薄膜应力方法

[发明专利]一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置-CN202310750458.8在审
发明人：王晓宇;苗龙;何梓豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置，包括真空仓，真空仓内设置有支撑底板和射频离子推力器，支撑底板的顶部可拆卸安装有溅射沉积三维收集机构，支撑底板的顶端设置有靶材，靶材设置于溅射沉积三维收集机构的内侧，射频离子推力器设置于溅射沉积三维收集机构的上方，射频离子推力器用于产生离子束，离子束用于轰击靶材。本发明通过实验收集多方位角度下的靶材溅射沉积质量，基于经离子轰击靶材后溅射粒子产生的三维球型溅射区域监测的需求，通过靶材及三维溅射沉积收集装置不同角度的摆放，实现离子不同轰击入射角的三维溅射区域监测。
一种多方位三维溅射沉积收集装置

[发明专利]在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法-CN200810119798.6无效
发明人：谈笑天;郑厚植;刘剑;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰击后的基片浸入semico-clean-23溶液，时间2分钟；步骤4：用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤5：再将基片浸入1∶1的盐酸溶液中5秒后，用去离子水冲洗基片，并用温氮气吹干；步骤6：将基片放入金属蒸发炉内，并立即对蒸发炉系统开始抽真空，在基片上淀积金属；步骤7：将基片从金属蒸发炉中取出，用丙酮进行剥离，经乙醇、去离子水清洗后，用温氮气吹干；步骤8：将淀积完金属的基片退火，完成制作
征砷化镓表面 77 以下实现欧姆接触方法

[实用新型]一种大批量芯片等离子处理专用电极-CN201620339097.3有效
发明人：郑亮 -专利权人：郑亮
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大批量芯片等离子处理专用电极，包括真空舱体、样品架、绝缘材料、真空泵、样品料盒和高频高压电。所述样品架为垂直多层结构，置于真空舱体内部；所述真空舱体作为阴极，样品架作为阳极，阳极和阴极平行间隔排列；所述样品料盒直接置于样品架上，其侧面开有孔洞，使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品；同时样品料盒内部存在的气体分子被电离后，也会向阴极运动，轰击样品，使样品得到有效的等离子轰击处理。因为阴阳极板是平行排列的，所以在每对极板之间的等离子密度是一致的，即速度和方向一致性得到了保证，从而提高了产品的一致性。
一种大批量芯片等离子处理专用电极

[发明专利]战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理气相沉积设备-CN202010250488.9在审
发明人：成林 -专利权人：昆山浦元真空技术工程有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理气相沉积设备，真空计能测量由真空泵抽真空的真空腔体内的真空度并传信于控制系统，充气系统能给真空腔体内充不同气体，工件内侧面能拆拆卸的安装于真空腔体内的工件定位装置上，真空腔体内的离子轰击板能对工件外侧表面进行等离子清洗，真空腔体内的磁控阴极恰能包覆于工件外侧表面外部并与工件外侧表面保持设定距离，磁控阴极能在工件表面溅射沉膜，冷却系统能给磁控阴极和真空泵进行冷却，控制系统控制真空泵、磁控阴极、离子轰击板、充气系统和冷却系统运行
战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理沉积设备

[发明专利]一种航空有机玻璃的真空镀膜制备方法及其制备-CN201210173936.5无效
发明人：宫杰;刘家兴;许镜明;蔡中林;邬纪泽 -专利权人：宫杰;刘家兴;邬纪泽
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：它采用一套电子束蒸发和离子辅助的真空镀膜装置连续制备三层(辅-主-辅)沉积薄膜系结构，其中两个辅助膜层分别位于主膜层的底层和上层。两个辅助膜层是用聚四氟乙烯树酯液体经加热后蒸发汽化，喷入真空室内在离子轰击下被电离而分别沉积在基片表面和主膜层之上。主膜层用膜材(二氧化鋯或二氧化铪中一种)在电子束蒸发和辅助离子轰击下沉积在底层膜上形成光学增透膜。本发明连续真空制备的三层膜结构具有高附着力、高光透过率、雾度低、耐摩擦和耐弱酸碱腐蚀等性能。
一种航空有机玻璃真空镀膜制备方法及其

[实用新型]战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理气相沉积设备-CN202020456437.7有效
发明人：成林 -专利权人：昆山浦元真空技术工程有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理气相沉积设备，真空计能测量由真空泵抽真空的真空腔体内的真空度并传信于控制系统，充气系统能给真空腔体内充不同气体，工件内侧面可拆卸的安装于真空腔体内的工件定位装置上，真空腔体内的离子轰击板能对工件外侧表面进行等离子清洗，真空腔体内的磁控阴极恰能包覆于工件外侧表面外部并与工件外侧表面保持设定距离，磁控阴极能在工件表面溅射沉膜，冷却系统能给磁控阴极和真空泵进行冷却，控制系统控制真空泵、磁控阴极、离子轰击板、充气系统和冷却系统运行
战斗机驾驶舱玻璃罩表面物理沉积设备

[发明专利]一种高熵合金薄膜的制备方法-CN202010843942.1在审
发明人：任卫;赵东兴;冯爱玲;商世广;苗瑞霞;夏军波 -专利权人：西安邮电大学;宝鸡文理学院
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：将高熵合金靶材放入真空室的溅射阴极处；对真空室进行抽真空处理使真空度小于1*10‑4Pa；在真空室内通入氩气；开启磁控溅射仪，调节溅射功率，使氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面本发明根据氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面，将靶材表面的大量金属原子溅射下来，以此形成合金薄膜。
一种合金薄膜制备方法

[发明专利]用于3D存储器的金属互连层及其制造方法-CN202210099958.5在审
发明人：张佳新;王雄禹;张莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：存储器的金属互连层及其制造方法，所述3D存储器包括基底，所述制造方法包括：在所述基底上形成间隔排列的多个金属连线，相邻的金属连线间形成第一沟道；沉积第一介质层，以在所述第一沟道内形成不完全封闭的气隙；采用等离子轰击使得所述气隙的轮廓下移；沉积第二介质层，以在所述第一沟道内形成封闭的气隙，在初步沉积第一介质层后，形成并未完全封闭的气隙，通过等离子轰击切削气隙的开口，将气隙轮廓的上端下移，并再次沉积第二介质层封闭气隙，从而实现降低气隙的目的
用于存储器金属互连及其制造方法