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[实用新型]一种鞋材等离子表面处理设备-CN201820985649.7有效
发明人：赵继宏;刘荣忠 -专利权人：东莞市盛浩机械制造有限公司;东莞市易效智能科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： A43D8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鞋材等离子表面处理设备，包括等离子旋转枪头和与之电连接的等离子电源，包括XYZ三轴驱动装置，与等离子旋转枪头机械联接，实现驱动等离子旋转枪头沿XYZ三轴运动，以适应鞋材表面的形状并对鞋材表面进行等离子轰击处理，除去鞋材表面的脱模剂；输送装置，设置在等离子旋转枪头的下方，并将未经等离子轰击处理的鞋材输送至等离子旋转枪头下方，或，将已经过处理的鞋材运离等离子旋转枪头的下方；鞋材夹具，设置在输送装置上，用于夹紧固定鞋材；采用本方案提供的等离子表面处理设备，处理一双鞋底平均耗时约16S，效率大幅度提升，鞋底表面的均匀度很好，处理效果好，而且处理过程中不会产生污染，没耗材，处理成本低。
旋转枪头等离子鞋材等离子表面处理鞋材表面等离子轰击输送装置夹具三轴驱动装置本实用新型等离子电源机械联接夹紧固定三轴运动鞋底表面电连接均匀度脱模剂耗材耗时驱动污染

[发明专利]薄膜体声波谐振器的制备工艺和薄膜体声波谐振器-CN202210689651.0在审
发明人：张志民;张树民;宋磊;杨伟欣 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备工艺，制备工艺包括以下步骤：制作衬底，刻蚀衬底形成凹槽，在凹槽内填充牺牲材料；在衬底上沉积下电极并图形化下电极，下电极覆盖凹槽；在下电极上沉积压电层；对压电层的特定区域进行离子轰击以削剪特定区域的厚度；在压电层上沉积上电极和保护层；对保护层的特定区域进行离子轰击以削剪保护层的特定区域的厚度。本发明公开的薄膜体声波谐振器的制备工艺通过对压电层和/或保护层进行不同程度的离子束轰击来削减膜层厚度，以获得需要的谐振频率，工艺难度低，还可以将压电层的去除量控制在1nm以内，使得实际频率与设计的目标频率的差小于
薄膜声波谐振器制备工艺

[发明专利]一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法及其产品-CN201410204899.9有效
发明人：诸葛飞;伏兵;曹鸿涛 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法，步骤1、在衬底表面形成导电薄膜作为第一电极；步骤2、在步骤1获得的第一电极表面制备氩等离子体轰击处理的ZnO薄膜作为中间层；步骤3、在步骤2获得的中间层表面制备导电薄膜作为第二电极本发明提供一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法，对作为中间介质层的ZnO薄膜进行氩等离子轰击处理，大幅改善了ZnO薄膜表面的平整度；以所述的氩等离子轰击处理的ZnO薄膜作为中间层制备的存储器，初始表现为低电阻态
一种电阻随机存储器存储单元制备方法及其产品

[发明专利]半导体晶片表面真空镀膜工艺-CN201610384640.6有效
发明人：阮秀沧 -专利权人：泉州市依科达半导体致冷科技有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶片表面真空镀膜工艺，其将半导体晶片表面清洁干净后，将半导体晶片放入真空溅射炉中，抽真空至1～10‑1Pa，先采用30～60%的电流对半导体晶片进行离子轰击清洗，轰击完成后抽真空至5*10‑2～5*10‑3Pa通入氩气，而后启动镍靶溅射70～90min完成镀镍，镀镍完成后启动锡靶溅射30～45min完成镀锡，其中镀镍功率为6～8 kW，离子轰击电流为13～18A。
半导体晶片表面真空镀膜工艺

[发明专利]耐离子轰击玻璃组合物、微通道板皮料玻璃、微通道板及制备方法-CN202110237005.6在审
发明人：蔡华;刘辉;贾金升;薄铁柱;张洋;周东站;史小玄;廉姣;王辰;刘畅 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C03C4/00 文献下载
摘要：本发明属于特种玻璃材料及制备技术领域，具体涉及一种耐离子轰击玻璃组合物、微通道板皮料玻璃、微通道板及制备方法。特别是在玻璃材料中引入单键能高的含钪和/或含锶和/或含锆和/或含钼的氧化物，在满足玻璃所需的抗析晶性能好、耐酸碱性好、适当的软化温度、膨胀系数、体电阻等其他必要性能的同时，提升玻璃材料的表面束缚能，进而提高微通道板用皮料玻璃材料的耐离子轰击性能，从而能大幅提升对高能离子直接探测时微通道板的使用寿命。
离子轰击玻璃组合通道板皮料制备方法

[发明专利]一种显示基板的制备方法、显示装置-CN201910237592.1有效
发明人：林亮;邹志翔;万云海;罗标;陈彦波 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的显示基板的制备方法中，利用光刻工艺形成图案化的金属层后，再利用等离子轰击金属表面残留的光刻胶，需要说明的是，在现有工艺中，这些残留的光刻胶肉眼并不可见，本实施例中的等离子轰击其表面，一方面利用物理力冲击残留的光刻胶，另一方面等离子体可与残留的光刻胶的基团发生化学反应并以气体方式挥发，从而将残留光刻胶彻底去除，防止非金属结构层产生鼓泡。
一种显示制备方法显示装置

[发明专利]离子植入系统以及去除其的射束线构件上沉积物的方法-CN202011058388.2在审
发明人：凯文·安葛林;威廉·戴维斯·李;彼得·库鲁尼西;里安·道尼;杰·T·舒尔;亚历山大·利坎斯奇;威廉·M·贺伯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本文提供离子植入系统以及去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法。所述离子植入系统，包括：离子源，被配置为形成离子束；射束线构件；以及气体源，被配置为向所述射束线构件供应气体，其中所述气体源被配置成通过沉积物与所述气体的反应来刻蚀沉积在所述射束线构件的表面上的所述沉积物所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法，所述去除离子植入系统的射束线构件上沉积物的方法包括：在对所述射束线构件进行离子轰击期间通过离子束向与所述射束线构件相关联的一或多个区域供应所述气体，其中所述离子轰击加热所述射束线构件的表面
离子植入系统以及去除射束线构件沉积物方法

[发明专利]长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件-CN200880114683.6有效
发明人：特拉维斯·R·泰勒;穆昆德·斯里尼瓦桑;鲍比·卡德霍达彦;K·Y·拉曼努金;比利亚纳·米琪杰尔治;吴尚华 -专利权人：朗姆研究公司;赛瑞丹公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种增加等离子蚀刻室清洁之间的平均时间和室部件寿命的方法。半导体基片在该室中等离子蚀刻，同时使用至少一个暴露于离子轰击和/或离子化卤素气体的、烧结的氮化硅部件。等离子处理室设为包括该烧结的氮化硅部件。一种减少等离子处理过程中该硅基片的表面上金属污染物的方法提供包括一个或多个烧结的氮化硅部件的等离子处理设备。一种制造等离子蚀刻室中暴露于离子轰击和/或等离子腐蚀的部件的方法，包括成形高纯度氮化硅和二氧化硅组成的粉末成分并使该成形部件致密。
寿命消耗氮化二氧化硅等离子处理部件

[发明专利]低温真空等离子体渗硫工艺方法-CN03135001.1无效
发明人：王旭;何方威;刘宝琦 -专利权人：刘宝琦
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明涉及金属表面处理技术领域，尤其是一种用于金属表面减磨抗磨的低温真空等离子体渗硫的工艺方法。原理是利用离子轰击，使工件表面形成FeS，达到渗硫目的，具体方法是将工件放在低真空容器的阴极板上，将真空容器外壳接阳极，加入少量硫。在阴阳极两端加一直流电压，当电压达到某一数值时，此时硫在电场作用下直接电离成硫离子，气体电离后所得正离子，在向阴极运动时，在阴极附近受到急剧的阴极压降作用而加速，这种高速运动的离子轰击金属表面，进入金属基体内
低温真空等离子体工艺方法

[发明专利]提高溅镀靶使用率的预溅镀方法-CN02132280.5有效
发明人：邓敦和 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了提高溅镀靶使用率的预溅镀方法，其步骤包括：首先提供一溅镀靶，再对溅镀靶进行离子轰击，轰击的过程中并以等速方式驱动一长形磁铁于溅镀靶的背面来回扫瞄，直到溅镀靶表面的杂质去除之后，完成溅镀靶的预溅镀
提高溅镀靶使用率预溅镀方法

[发明专利]一种提高氮化硅钝化性能的方法-CN201910509923.2在审
发明人：徐冠超 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化硅钝化性能的方法，包括以下步骤：a.在氮化硅沉积完成以后，太阳电池半成品继续留在反应腔体内；b.在反应腔体内停止通入硅烷，使用等离子微波源对氮化硅进行轰击。所述等离子微波源的功率为6400w，轰击时间为240s。本发明中在氮化硅沉积后进行等离子轰击，并不会影响电池的抗PID性能，并且在管式PECVD和板式PECVD机台中得到的效果几乎相同，对PERC电池效率均有有0.05％以上的提升。
氮化硅沉积氮化硅钝化等离子反应腔微波源轰击体内机台等离子轰击板式电池效率影响电池氮化硅管式硅烷半成品

[发明专利]一种新型离子轰击炉-CN201210382603.3无效
发明人：田绍洁;王美玲;田绍忠 -专利权人：大连经济技术开发区圣洁真空技术开发有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型离子轰击炉，包括炉体（4）、真空系统、供气系统、供电系统、冷却系统；所述炉体（4）包括弧形炉盖（3）、圆形炉筒（5）、炉底（6）、吊挂阴极输电装置（l）、堆放阴极输电装置（11）和底座
一种新型离子轰击

[发明专利]双层辉光多功能离子轰击炉-CN93106192.X无效
发明人：高文龙 -专利权人：浙江大学
申请日： 1993-05-20 - 公布日： 1994-11-23 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明创造公开了一种双层辉光多功能离子轰击炉。它包括由钟罩和底座组成的真空腔，在真空腔内设置由工作台和工件组成的第一阴极，灭弧装置，阳极，保温层，第一可调直流电源。
双层辉光多功能离子轰击

[实用新型]一种基材离子轰击装置-CN202120967944.1有效
发明人：张大鹏 -专利权人：广东东华光电科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基材离子轰击装置，包括其结构本体，结构本体包括若干个阴极发射组件、若干个正极收集组件、炉体、真空负压机、压力检测器及气体压缩机；正极收集组件包括绝缘底座、伸缩杆及正极金属槽，绝缘底座设置在炉体底部内表面炉体为双层结构，炉体包括不锈钢支撑外壳及绝缘层，真空负压机、压力检测器及气体压缩机均分别设置在不锈钢支撑外壳外表面；阴极发射组件包括负极线插头、阴极导电套、阴极导电杆、绝缘外壳、绝缘垫圈及螺母及防弧罩；离子束较为集中，轰击的渗透速度更快，加工件的硬化层相比来说更深，遍布面积广，扩散速度快，工件的变形小，整体的加工效率更加高，产品的质量更好。
一种基材离子轰击装置

[实用新型]双层辉光多功能离子轰击炉-CN93213709.1无效
发明人：高文龙 -专利权人：浙江大学
申请日： 1993-05-20 - 公布日： 1994-05-04 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层辉光多功能离子轰击炉。
双层辉光多功能离子轰击