“离子轰击”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果606634个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]离子氮碳共渗和中温离子渗硫复合处理方法-CN97125869.4无效
发明人：朱张校;杜全友;关磊;曲泽阳 -专利权人：清华大学
申请日： 1997-12-26 - 公布日： 2000-02-09 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子氮碳共渗和中温离子渗硫复合处理方法，该方法是首先将工件置于离子轰击炉中，在一定的真空度、工作电压和温度下通入氨气和含碳介质挥发气，轰击２～６小时后，降低温度，通入含硫介质挥发气，并控制真空度、工作电压、氨气流量和含硫介质挥发气流量，轰击０．５～２小时，即完成对工作的复合处理。
离子氮碳共渗复合处理方法

[发明专利]有机玻璃镀镍的方法-CN200910101263.0有效
发明人：钱苗根;钱良;徐治伟 -专利权人：湖州金泰科技股份有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：它包括一在真空镀镍前对有机玻璃表面的改性步骤，所述的改性步骤是将有机玻璃置于真空室内，用离子轰击有机玻璃表面。对上述有机玻璃的表面进行轰击后，改变了表面性能，使镍膜具有更好的附着性，附着强度显著提高。
有机玻璃方法

[实用新型]离子轰击装置及真空镀膜生产线-CN202221100259.X有效
发明人：张健宁;夏健全;吴洽 -专利权人：中山凯旋真空科技股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01J37/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子轰击装置及真空镀膜生产线，其包括：壳体、轰击板、电连接器和绝缘结构，壳体内部设置有腔体；轰击板安装于所述腔体内，所述轰击板上设置有接线座；电连接器设置于所述壳体，所述腔体内设置有导线，所述接线座与所述电连接器通过所述导线电连接；绝缘结构设置于所述轰击板和所述壳体之间并能够对二者进行绝缘处理。轰击板相比于现有的轰击棒，在其平面一侧不仅拥有更大的有效轰击面积，并且可以直接确定轰击的方向，因此可以有效地提高原子离化的速度，并减少能量的逸散，进而大大提高镀膜的作业效率。
离子轰击装置真空镀膜生产线

[发明专利]一种微波等离子渗镀硫工艺-CN201610315010.3有效
发明人：张敬祎;高秀敏;黄富育 -专利权人：青岛普雷斯马微波科技有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C23C8/38 文献下载
摘要：一种微波等离子渗镀硫工艺，包括以下步骤（1）、将工件放进炉内，抽真空，在真空度50Pa左右，开启离子轰击电源，起弧放电清洗工件表面；（2）、输入硫化氢至真空度60Pa，高压轰击工件1.5～2小时；全过程控制工件温度不超过180℃；（3）、停止高压轰击；开启三相轰击电源，送入氩气，溅射铁靶，制造大量铁离子；（4）、真空度控制在101Pa，开启微波电源，送入微波，适量增加硫化氢的供应量；（5）、开启负偏压电源，送上‑50V的负偏压以吸收铁离子，形成硫化铁薄膜；（6）、沉积过程中温控在180℃以下，沉积2～3小时；停止微波和输入的气体，停电停炉，工艺完成。
一种微波等离子渗镀硫工艺

[发明专利]一种石墨片表面绝缘的处理方法及石墨片-CN201910097513.1在审
发明人：任泽永;任泽明;熊婷 -专利权人：广东思泉新材料股份有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C04B41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨片表面绝缘的处理方法，包括以下步骤：将石墨片放置在PECVD设备中，输入氧气、氢气或者水蒸汽，用等离子体轰击石墨片表面，使得石墨片表面改性，在石墨片表面形成绝缘的氧化石墨烯层，对石墨片有每个表面都进行相同的等离子轰击
石墨片氧化石墨烯层表面绝缘等离子体轰击等离子轰击表面改性表面形成氢气水蒸汽绝缘良率氧气生产

[发明专利]镶嵌结构的制造方法-CN200610147323.9有效
发明人：刘乒;马擎天;赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层；在所述介质层上旋涂光刻胶层，并图形化形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的介质层，在所述介质层中形成开口；通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层本发明方法能够减小在去除所述介质层上的光刻胶时离子轰击对所述介质层的轰击损伤，提高击穿电压和器件的稳定性。
镶嵌结构制造方法

[发明专利]减小半导体器件中LER的方法及半导体器件-CN200910244517.4有效
发明人：朱慧珑;骆志炯;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：具体地，根据本发明的实施例，该方法包括：对器件中特征的边缘进行离子轰击，以减小其LER。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。
减小半导体器件 ler 方法

[发明专利]一种碳纤维表面处理工艺-CN201510902203.4在审
发明人：祝龙云 -专利权人：镇江奥立特机械制造有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： D06M10/02 文献下载
摘要：一种碳纤维表面处理工艺，它涉及碳纤维生产技术领域；它首先将碳纤维进行等离子水浸湿的预处理，预处理能改善碳纤维的强憎水性，提高后期等离子氧化的效果；通过对碳纤维进行等离子轰击的方法对碳纤维表面进行均匀氧化
一种碳纤维表面处理工艺

[发明专利]能用于在衬底上形成碳层的处理工具-CN202080047253.8在审
发明人：卡尔·弗雷德里克·利瑟;陈利;崎山行则 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：一种衬底处理工具，其能够通过以下方式在衬底上形成碳层：在处理室中产生包含碳和非碳离子的等离子体，在处理室中悬浮碳和非碳离子，从处理室去除大部分悬浮的非碳离子，并用大部分碳离子轰击衬底表面。
用于衬底形成处理工具

[发明专利]一种微孔镀膜装置及镀膜方法-CN202210890285.5有效
发明人：田修波;郑礼清 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请提供一种微孔镀膜装置及镀膜方法，涉及镀膜领域，该微孔镀膜装置通过高功率脉冲磁控技术产生超高密度等离子体离化金属靶材，获得高离化率的等离子体，通过在工件前端放置金属栅网用以产生等离子体鞘层吸引金属离子轰击工件金属靶材溅射气压在0.1Pa以下，以减少金属离子运动过程和气体分子的碰撞而损失能量。产生的高能金属离子先沉积在工件侧壁及孔内壁靠近孔口处，随着高能金属离子持续的轰击，把孔口及内壁处的首次沉积的粒子轰击形成二次溅射粒子，二次溅射粒子向孔内壁延伸，并最终沉积在孔内壁。同时高能金属离子在碰撞中也会在孔内壁进行反射并向内孔壁延伸，完成微深孔内壁的完全覆盖。
一种微孔镀膜装置方法

[发明专利]一种精确减薄并获得高质量少层或单层石墨烯的方法-CN201610271903.2在审
发明人：肖少庆;沈钢;顾晓峰;戴晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确减薄并获得高质量少层或单层石墨烯的方法，其特征在于首先利用低压低密度氩气等离子体对石墨烯刻蚀，使得层状石墨烯被精确、均匀、有效地刻蚀掉，最终达到少层或单层，然后在管式炉中对其进行退火，本发明利用惰性的低密度低压氩气等离子体产生的离子轰击效应对石墨烯外层进行物理刻蚀，不引入任何杂质，刻蚀掉的石墨粉末随气体排出，只留下纯净均匀的石墨烯，由离子轰击效应引起的缺陷可由高温退火修复从而获得高质量的少层或单层石墨烯该方法重复性好，可控性强，能通过调节等离子体功率来调节刻蚀速率，适合大规模生产大面积高质量的少层或单层石墨烯。其应用领域包括制备石墨烯纳米结构及石墨烯电子器件等。
一种精确获得质量单层石墨方法

[发明专利]改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法-CN03105134.0无效
发明人：韩勇;李钒;熊明 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本发明属于离子束加工的领域，特别涉及改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法。采用高能离子束轰击金刚石表面，气体为氧气或氩气和氧气。高能离子与金刚石表面原子发生碰撞与反应、金刚石表面原子能量增大到高于该原子的逸出功时，便飞离其表面，这样就使金刚石表面不断失去原子，其利用的是碰撞与化学反应双重作用，而不仅仅是机械冲刷作用，大大提高抛光的速度本发明特点是利用离子轰击与化学反应进行抛光，提高金刚石表面光洁度，使金刚石表面亮度增强。
改善金刚石表面光洁度反应轰击方法

[发明专利]AMOLED显示器件的制作方法及其结构-CN201510366825.X在审
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该AMOLED显示器件的制作方法通过在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成栅极防反层(2)，以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜，并进行等离子轰击处理，形成蚀刻阻挡与源
amoled 显示器件制作方法及其结构

[发明专利]一种超耐磨抗指纹防眩光涂层及其制备方法和应用-CN201911307895.2在审
发明人：陈朝岚;吴玉民;卢海洋;曾宇;杨科 -专利权人：湖南宏泰新材料有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种超耐磨抗指纹防眩光涂层及其制备方法和应用，所述制备过程包括以下步骤：将清洗烘干后的玻璃预热后，再通过等离子轰击，使玻璃表面水滴接触角≤10°；将AG涂料均匀喷涂至玻璃表面，烘烤固化后再进行等离子轰击
一种耐磨指纹眩光涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种真空磁控手机后壳镀膜工艺-CN202011557266.8在审
发明人：罗伟;张汐 -专利权人：苏州市三同电子科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空磁控手机后壳镀膜工艺，包括以下步骤：S1、对手机后壳进行清洗；S2、将手机后壳加热烘干；S3、将手机后壳移动至真空室内；S4、通过离子轰击将靶材上的氧化膜去除；S5、对手机后壳进行溅射镀膜对氩气的流量进行监控；S7、对手机后壳的表面进行检验；S8、将手机壳进行包装，本发明通过质谱设备对真空室内的气体环境进行检测，使得便于对真空室内氩气的流量进行实时控制，提高对手机后壳的镀膜效果，同时对靶材进行离子轰击
一种真空手机镀膜工艺

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top