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[发明专利]制备多孔有轨道膜件的方法-CN200680026951.X无效
发明人： A·V·德斯亚托夫;A·V·埃戈罗夫 -专利权人：德雷斯尔私人有限公司
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：通过将聚合物膜暴露到重离子轰击下以使所述膜具有轨道密度，并在保持紊流的条件下用蚀刻溶液在所得到的有轨道膜中蚀刻出孔以是所述膜具有和轨道密度相应的孔密度，从而制备多孔有轨道膜件。
制备多孔轨道方法

[发明专利]无汞碱性扣式电池负极盖的制备方法-CN201110259844.4有效
发明人：陈成;肖秀华;庞溥生;陈锦清;沓世我;陈国政 -专利权人：陈成
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种无汞碱性扣式电池负极盖制备方法，包括将真空镀膜设备的真空度调节到1～5×10-3Pa，充氩气为5～10Pa，再对电池负极盖的进行离子轰击，将真空镀膜材料轰击于电池负极盖上形成镀层，轰击时间为然后再对电池负极盖的基底温度控制在100～120℃；最后，电池负极盖随时小齿轮的转动按每分钟5～10转的公转与自转同时进行，充入氩气进行冷却后，卸下夹具上镀有镀层的负极盖等步骤；本发明通过将纯铟、纯锡、锌铟、铟锡等金属蒸发、离子化并加束到电池负极盖所需的局部表面上成膜
碱性电池负极制备方法

[发明专利]利用热丝增强等离子体磁控溅射法制备铁磁非晶膜的方法-CN201910942636.0在审
发明人：陈雪娇;周艳文;李金龙;赵卓;郭媛媛;张开策;滕越;张晶;杨永杰;黄振;方方;张豫坤 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及利用热丝增强等离子体磁控溅射法制备铁磁非晶膜的方法，包括以下步骤：1)镀膜前清洗：将基体置于等离子体增强磁控溅射设备的腔体内，抽真空；加热除水蒸汽；清洗靶；2)镀膜：热丝增强等离子体磁控溅射设备的腔体四周缠绕本发明将磁控溅射技术应用于制备铁磁非晶膜领域；通过调节加在灯丝上的偏压来提高氩气的离化率及氩离子的轰击速度，进一步提高了膜基结合强度和薄膜的致密性。磁控溅射离子轰击基体，活化基体表面，提高膜层与基体表面之间的结合力。
氩气镀膜铁磁等离子体磁控溅射设备磁控溅射基体表面体内非晶膜灯丝腔体热丝清洗磁控溅射技术等离子体增强挡板离子轰击抽真空结合力矩形靶水蒸汽致密性氩离子靶材薄带非晶活化溅射离化膜层膜基四壁制备薄膜轰击加热缠绕应用

[发明专利]一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法-CN200910237087.3无效
发明人：应杰;张兴旺;范亚明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。
一种制备掺杂立方氮化薄膜方法

[实用新型]废气处理低温等离子设备-CN201921043070.X有效
发明人：石泉;严荣 -专利权人：苏州清泉环保科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B01D53/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了废气处理低温等离子设备，废气处理低温等离子设备，包括壳体，所述壳体的内部设置有进气管和出气管，且进气管和出气管之间连通有循环管，所述循环管的顶部和底部之间连通有连接管，所述进气管连通有进气泵和进气阀进气管上设置了进气泵和进气阀，出气管上设置了出气泵和出气阀，进气管和出气管之间设置了循环管，循环管上设置了连接管，连接管上设置了循环泵，在废气进入循环管后，关闭进气阀和出气阀，通过循环泵和连接管即可循环废气，同时进行等离子轰击即可提高污染物被处理的概率，进而减少没有被轰击的污染物的数量，提高废气的处理效果。
废气处理低温等离子设备

[发明专利]一种金属表面离子注入强化方法-CN201710089859.8在审
发明人：万浩;王权;董斌;司乃潮;黄礼鑫 -专利权人：江苏大学;江苏合力四通光电有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属表面离子注入强化方法。本发明通过利用高能离子对靶材表面进行离子注入处理，离子轰击会造成靶材表面层的原子发生移位和重新排列，并在靶材表面离子注入层形成大量的间隙原子，这些间隙原子对其周围晶体产生压应力。在宏观上，表现为离子注入合金表面的压应力状态。本发明采用X射线衍射技术检测高能离子注入前后金属件表面的应力状态，通过对比离子注入前后铝及其合金表面X射线衍射谱的移动方向来判断铝及其合金表面的应力状态；最终提高抗疲劳性能。
一种金属表面离子注入强化方法

[发明专利]等离子体探测器及其制备方法-CN202211084371.3在审
发明人：杨辰烨;贾时;张赛谦 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体探测器及其制备方法，以及一种等离子体反应器。所述制备方法包括以下步骤：准备衬底，并在所述衬底上开设至少一个安装通孔；经由所述衬底的背面，在所述安装通孔的侧壁覆盖种子层；以及经由所述衬底的背面，向所述安装通孔填充金属材料，以在所述种子层之上生成暴露于所述衬底的正面的等离子体探针通过执行这些步骤，所述制备方法能够减小离子轰击对探针的刻蚀影响，从而提高等离子体探测器的工作寿命及可靠性。
等离子体探测器及其制备方法

[发明专利]孔刻蚀中预去除聚合物的方法-CN200910109657.0有效
发明人：许宗能;任小兵;薛浩;王吉伟 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种孔刻蚀中预去除聚合物的方法，在正常的干法等离子体刻蚀步骤之后，加入氧、氩混合等离子体替换刻蚀等离子气体，利用等离子体刻蚀过程中的重离子轰击机制，达到将长碳链聚合物分解为短碳链聚合物的目的，
刻蚀去除聚合物方法

[发明专利]高真空多靶磁控溅射方法和装置-CN92111981.X无效
发明人：郭华聪 -专利权人：四川大学
申请日： 1992-11-16 - 公布日： 1994-05-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：高真空多靶磁控溅射方法和装置，涉及到等离子体薄膜沉积技术。本发明由增加的微波等离子体源产生等离子体，并输运到1—4个磁控溅射阴极表面，由加到靶片上的直流或高频溅射电压，吸引等离子体中的正离子轰击靶片起溅射作用。
真空磁控溅射方法装置

[发明专利]一种电子设备壳体的镀膜制备工艺-CN201510835077.5在审
发明人：张维 -专利权人：东莞劲胜精密组件股份有限公司;东莞华清光学科技有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：一种电子设备壳体的镀膜制备工艺，包括以下步骤：离子轰击步骤：将一面经过UV转印处理的透明PET片材置于真空镀室内，对所述PET片材的表面进行离子轰击；镀膜步骤：利用真空镀膜方式在所述PET片材的表面依次镀上
一种电子设备壳体镀膜制备工艺

[发明专利]一种半导体表面金属化的方法-CN201910071122.2在审
发明人：程丙坤 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体表面金属化的方法，包括以下步骤：在硅片背面的表面，采用蒸发或溅射的方式镀上铝或钛，进行合金，使金属与硅片形成第一层；然后对第一层进行离子轰击清洗，然后在惰性气体氛围下通过靶溅射在所述第一层上表面依次镀镍层和镀锡层本发明的方法在形成第一层之后，进行离子轰击清洗后再形成第二层，使得第一层和第二层之间的结合效果更好；第二层金属层先后镀镍和锡，锡在气相沉积中，物理化学性质具有和镍高度的融合性，锡层和镍层之间的结合效果好
一种半导体表面金属化方法

[发明专利]等离子体浸没注入改性石墨烯的方法及其应用-CN201910081629.6在审
发明人：李勇;王莹;朱靖;段超男;易鹏 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体浸没注入改性石墨烯的方法及其应用，采用等离子体浸没注入技术，将样品置于真空室试样台上，当真空室的真空度达到要求时，开启等离子体发生源激发等离子体，开启负高压脉冲电源，加速离子轰击样品表面，注入所需金属离子，可明显减少石墨烯表面缺陷，改善石墨烯的分散性和湿润性，将改性过后的石墨烯用于亲水材料。该方法克服了传统束线离子注入的视线限制和注入剂量问题，不受限于样品的复杂形状和注入元素的种类，且该制备工艺简单、成本低廉、绿色环保。
等离子体浸没石墨烯改性石墨烯真空室等离子体等离子体发生负高压脉冲表面缺陷复杂形状加速离子金属离子绿色环保亲水材料样品表面制备工艺注入剂量分散性湿润性改性受限束线轰击离子应用电源视线激发

[发明专利]具有被施加偏压的萃取板的离子源-CN202080017866.7在审
发明人：史费特那·B·瑞都凡诺;具本雄;亚历山大·利坎斯奇 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开一种具有被电隔离的萃取板的间接加热式阴极离子源。通过将萃取板隔离，可对萃取板施加与电弧腔室的主体不同的电压。通过对萃取板施加更正的电压，可以更高的等离子体密度达成更高效的离子源操作。在此模式下，等离子体电位增大，且静电鞘减少去往腔室壁的电子的损失。通过施加更负的电压，可邻近萃取孔形成富含离子的鞘。在此模式下，经由离子轰击达成对萃取板的调节及清洁。此外，在某些实施例中，被施加到萃取板的电压可以是脉动式的，以使离子萃取与清洁能够同时发生。
具有施加偏压萃取离子源

[发明专利]固化介电材料的方法与设备-CN202080048224.3在审
发明人：巴加夫·S·西特拉;约书亚·鲁布尼茨;杰思罗·塔诺斯;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;卡提克·雷马斯瓦米;杨扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成集成电路结构的方法与设备，包括：输送工艺气体至工艺腔室的工艺空间；将低频RF功率施加到设置在工艺空间中由高二次电子发射系数材料形成的电极；在工艺空间中产生包含离子的等离子体；用离子轰击电极，以引起电极发射电子并且形成电子束
固化材料方法设备

[发明专利]一种采用激光辐照方式的无线热释电中子发生器-CN202310687077.X在审
发明人：杨振;曹湘;卢亮;马伟;邹丽平 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本发明涉及中子发生器技术领域，特别涉及一种采用激光辐照方式的无线热释电中子发生器，包括接地壳体、热释电部件、离子产生部件、磁性部件、标靶和可调节功率的激光发射机构；本申请通过采用激光辐射加热代替传统温度控制方式，可以用激光同时产生用于加速的高压电场和离子，进而使得离子轰击靶体时能有效提高中子产额，以及提升了中子产额的重复性，并且大大简化了结构的复杂性，解决了现有技术存在的问题。
一种采用激光辐照方式无线热释电中子发生器