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[发明专利]一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法-CN202110276280.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，属于碳化硅晶体制备技术领域。为解决现有PVT法制备碳化硅晶体生长速率慢的问题，本发明提供了一种提升PVT法制备碳化硅晶体生长速率的方法，以不同粒径碳化硅粉混合制备碳化硅粉料，真空条件下加热至400～800℃并保持2h，充入氩气后继续加热至晶体生长温度开始晶体生长，完成晶体生长后自然冷却，得到碳化硅晶体。本发明利用不同粒径碳化硅粉按不同比例混合之后进行PVT法碳化硅晶体生长，大颗粒的碳化硅粉提供足够的颗粒间隙促进气相物料输运，小颗粒的碳化硅粉提供足够的活性表面产生充足的反应气相，使得两方面得到同时提升，
一种提升 pvt 法制碳化硅晶体生长速率方法

[发明专利]一种碳化硅板的磨削工艺方法-CN201911312938.6在审
发明人：张振宇;廖龙兴;周晨曦;周俊瑞 -专利权人：江苏宇瑞仕高端智能装备科技有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅板的磨削工艺方法，首先将碳化硅板粘贴固定在磨床的工作台上；然后采用圆形金刚石砂轮，并使之从碳化硅板的最外边缘处开始进行磨削，磨削过程中同时喷射磨削液；接受使工作台沿着碳化硅板的Y轴方向进行来回移动，且每次移动距离为L+3mm，其中L为碳化硅板的长度；当工作台每沿着碳化硅板的Y轴方向移动完一次后，砂轮就沿着碳化硅板的X轴方向进给一次，直至将碳化硅板整个平面磨削完。本发明可实现原始质量较差的大尺寸碳化硅板的精密加工，使其表面粗糙度Ra从3.2μm降低至0.4‑0.2μm，解决因碳化硅硬度高脆性大而难以加工的问题，提高碳化硅器件性能。
一种碳化硅磨削工艺方法

[发明专利]一种碳化硅轴套的表面处理工艺-CN202011415077.7在审
发明人：许卫东 -专利权人：许卫东
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B24B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅轴套的表面处理工艺，涉及碳化硅产品技术领域，包括成型后的半成品碳化硅轴套跟随生产线进入除尘设备中；除尘后的碳化硅轴套继续跟随生产线进入雾化设备中；润湿后的碳化硅轴套利用精细打磨设备进行打磨；在精细打磨后的碳化硅轴套包裹一层防护膜；打包入库；精细打磨设备，利用自动化的驱动配件，可以做到大批量的对碳化硅轴套进行打磨处理，与现有人工打磨碳化硅轴套的方式相比，机械化且为全自动的打磨方式，不仅效率高，而且厂家无需雇佣大量的人力，以及投入大量的物力资源，从而降低碳化硅轴套的生产成本，降低碳化硅轴套的市场定价，让该种方式生产出来的碳化硅轴套更加具有市场的竞争力。
一种碳化硅轴套表面处理工艺

[发明专利]一种用于活性焦再生过程的碳化硅膜的再生方法-CN202111324031.9在审
发明人：仲兆祥;张峰;魏巍;韩峰;邢卫红 -专利权人：江苏久朗高科技股份有限公司;南京工业大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于活性焦再生过程的碳化硅膜的再生方法。首先将用于活性焦再生过程的碳化硅膜滤芯表面的疏松滤饼碳粉层刮刷回收；然后将碳化硅膜滤芯放入高温炉中，通过高温将渗透进入碳化硅膜微孔及膜表面吸附的超细碳粉完全脱除；最后将碳化硅膜滤芯浸没水浴，加入超声波振动棒，使得碳化硅膜微孔中结晶的硫酸铵盐分散溶解，碳化硅膜滤芯通过恒温干燥后置于即可使用。本发明通过三步法将碳化硅膜表面及孔道中的杂质（碳粉、硫酸铵等）完全除去，具有绿色、高效、低损的特点，能够高效恢复碳化硅陶瓷膜的气体渗透通量，延长碳化硅陶瓷膜的使用寿命，是一种用于活性焦再生工艺的碳化硅膜的专用再生方法
一种用于活性再生过程碳化硅方法

[发明专利]玻璃纤维催化转化碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷的制备方法-CN202210069152.1在审
发明人：韩露;王鹏博;汪明月 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了玻璃纤维催化转化碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：a.按质量份计，以60～80wt％的碳化硅微粉、5～11wt％的炭黑、8～16wt％的石墨粉、5～15wt％的酚醛树脂、5～本申请中，通过催化剂的作用将玻璃纤维催化转化为碳化硅纤维，催化转化而成的碳化硅纤维保留有玻璃纤维的形状，纤维的成分为碳化硅，与碳化硅陶瓷具有较强的结合作用。提高碳化硅陶瓷的高温实用性与力学稳定性。降低碳化硅陶瓷生产过程中的原料使用，降低了碳化硅纤维增强增韧碳化硅陶瓷的价格，可适用于工业生产。
玻璃纤维催化转化碳化硅纤维增强陶瓷制备方法

[发明专利]一种制备大尺寸碳化硅晶体的方法-CN202210767334.6在审
发明人：张军彦;王晓锋;白枭;李文东;李媛 -专利权人：山西中电科新能源技术有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备大尺寸碳化硅晶体的方法，步骤包括：采用碳源和硅源在温度为1700‑2500℃、压力为5‑1000Pa下反应2‑30h制备得到碳化硅粉；将碳化硅粉通过真空热压的方式制备得到低密度碳化硅块；将低密度碳化硅块在温度1000~1800℃，等静压压力80~150MPa下制备得到高密度碳化硅块；再将高密度碳化硅块在温度2000~2400℃，等静压压力160~220MPa下制备得到碳化硅晶体；本发明不需要高温升华和气相组分生长，将碳化硅粉直接通过成型、增密、成晶的过程形成大尺寸碳化硅晶体；解决碳化硅单晶生长过程中速度慢、时间长、厚度偏小、得料率和成品率低下的问题。
一种制备尺寸碳化硅晶体方法

[发明专利]一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法-CN202210504538.0在审
发明人：孟繁新;陆超;袁强;贺晓金;王海锐;王博;余文兴;张浩宇;何静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽碳化硅MPS二极管结构及制备方法，包括：碳化硅欧姆接触金属，碳化硅欧姆接触金属位于P+沟槽区上，碳化硅欧姆接触金属与沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属，碳化硅肖特基接触金属位于碳化硅外延层及碳化硅欧姆接触金属上方并沟槽配合；碳化硅肖特基接触金属与碳化硅外延层界面肖特基接触区的沟槽配合结构能够有效增大肖特基接触区的面积，从而有效进一步降低器件的正向导通压降，增大器件的电流密度；而P+沟槽区与碳化硅欧姆接触金属界面欧姆接触区的沟槽沟槽配合结构增加了欧姆接触区域的面积
一种沟槽碳化硅 mps 二极管结构制备方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆的裂片方法-CN202211118659.8在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆的裂片方法，本发明包括以下步骤：S1、取一个完成前半段制程的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆的背面贴附到一个带有气孔的玻璃载板上，从玻璃载板下方采用抽气设备进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到玻璃载板上，然后采用LCPVD工艺在碳化硅晶圆上方沉积第二ILD层，通过在完成碳化硅晶圆正面金属连接点的制作后，将碳化硅晶圆分离成多个已经完成接触孔和金属连接点制作的碳化硅晶圆，无需在完成裂片后再对每个碳化硅晶圆一一进行加工，有效的提升生产效率，并且对碳化硅晶圆切割时进行隐形激光切割，可以使得裂片时产生的损耗更低。
一种碳化硅裂片方法

[发明专利]一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺-CN202310385915.8在审
发明人：奚衍罡 -专利权人：南通罡丰科技有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺，包括以下步骤：分别对碳化硅原料进行筛分和清洗处理，得到碳化硅颗粒；利用改进的BP神经网络模型输出与碳化硅颗粒成分相对应的酸洗参数；将筛选出的碳化硅颗粒放入酸洗槽，并利用输出酸洗参数的酸液对碳化硅颗粒进行酸洗处理；将酸洗后的碳化硅颗粒放入离子交换柱中进行离子交换；依次对离子交换后的碳化硅颗粒进行烘干及筛分处理，得到高纯度的碳化硅。本发明可以实现对酸洗参数的优化，相比于传统的加工工艺，不仅可以有效地提高碳化硅原料的酸洗效率及产品质量，而且还可以减少废料的产生，降低生产成本，提高生产稳定性，从而可以更好地满足于碳化硅原料的酸洗提纯加工需求
一种碳化硅原料酸洗提纯加工工艺

[发明专利]一种小分子有机酸水热改性碳化硅粉体的方法、改性碳化硅粉体、改性碳化硅浆料和应用-CN202310007005.6在审
发明人：宋丽岑;孟凡民;毕士楠;胡葆华 -专利权人：烟台先进材料与绿色制造山东省实验室;中节能万润股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明提供了一种小分子有机酸水热改性碳化硅粉体的方法、改性碳化硅粉体、改性碳化硅浆料和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的小分子有机酸水热改性碳化硅粉体的方法，包括以下步骤：将碳化硅粉体进行酸洗，得到纯净碳化硅粉体；将所述纯净碳化硅粉体和碱液混合，进行活化处理，得到活化碳化硅粉体；将所述活化碳化硅粉体和小分子有机酸混合，进行水热反应，得到的粉体用腐殖酸钠溶液进行洗涤，得到改性碳化硅粉体。本发明制备的改性碳化硅粉体可以制备固相含量为50～55vol％、粘度1Pa·s、静置48h以上无明显沉降的浆料，且浆料流动性、分散性、稳定性比较优异，可以满足胶态成型工艺条件需要。
一种分子有机酸改性碳化硅方法浆料应用

[发明专利]一种基于碳化硅模块并联的双推挽驱动电路及电机控制器-CN202211604416.5在审
发明人：邓中魁;张兴林;张志强;吴小萍;郑富辉;于海生;林霄喆 -专利权人：无锡星驱动力科技有限公司;无锡星驱科技有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碳化硅模块并联的双推挽驱动电路及电机控制器，涉及电机控制器技术领域。所述双推挽驱动电路包括驱动芯片、第一推挽驱动电路、第一碳化硅模块、第二推挽驱动电路和第二碳化硅模块，驱动芯片通过第一推挽驱动电路与第一碳化硅模块连接，驱动芯片还通过第二推挽驱动电路与第二碳化硅模块连接；驱动芯片用于控制第一碳化硅模块和第二碳化硅模块同步开通或关断。本发明可以保证驱动PWM信号的一致性，避免因为驱动芯片差异产生延时等问题，同时能够降低第一碳化硅模块和第二碳化硅模块之间的相互干扰；可以通过驱动芯片控制第一碳化硅模块和第二碳化硅模块同步开通或关断，避免因不同时间开通或关断而带来的动态不均流问题
一种基于碳化硅模块并联双推挽驱动电路电机控制器

[发明专利]一种碳化硅晶体加工后冷却方法-CN202211407190.X在审
发明人：管家辉;杨振华;杨阳 -专利权人：无锡上机数控股份有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体加工后冷却方法，属于碳化硅晶体加工领域，一种碳化硅晶体加工后冷却方法，包括有以下步骤：S1：真空静置、在真空环境下对碳化硅晶柱进行静置，直至其初步冷却成形后取出；S2：风力冷却、利用逐渐降低温度的风力对S1中取出的碳化硅晶柱进行降温，风力温度始终低于碳化硅晶柱温度并高于室温；S3：水力冷却、将风力冷却后的碳化硅晶柱放置在储水设备内部的冷却水中，利用冷却水对碳化硅晶柱进行降温；S4：冰沙冷却、将水力冷却后的碳化硅晶柱放置进入冰块内部，它可以实现，在碳化硅晶柱的不同温度区间利用风力、水和冰对碳化硅晶柱进行降温，提升降温效率。
一种碳化硅晶体加工冷却方法

[发明专利]一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件-CN202211214199.9在审
发明人：韩超;白博仪;袁昊;王东;吴勇;陶利;刘雄;陈兴;黄永 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件，包括：N+碳化硅衬底层；N‑碳化硅外延层位于N+碳化硅衬底层之上；A层P型碳化硅浮动结层沿垂直方向设置在所述N‑碳化硅外延层内，每层P型碳化硅浮动结层包括B个P型碳化硅浮动结结构，P型碳化硅浮动结结构沿中心轴线对称且为厚度渐变的结构；背面电极位于N+碳化硅衬底层的下表面；正面电极位于N‑碳化硅外延层之上。
一种浮动厚度渐变碳化硅功率器件

[发明专利]一种碳化硅晶片的生成方法-CN202211322470.0在审
发明人：石海燕;侯煜;李曼;文志东;张昆鹏;张喆;宋琦;许子业;薛美;张紫辰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶片的生成方法，该碳化硅晶片的生成方法在从碳化硅晶锭剥离出碳化硅晶片之后，在对碳化硅晶片研磨之前，增加了将碳化硅晶片浸泡在化学溶液中，腐蚀碳化硅晶片的改质层界面的步骤，通过使用化学溶液腐蚀碳化硅晶片的改质层界面，能够去除碳化硅晶片剥离步骤产生的残余应力、位错及裂纹等缺陷。之后再研磨碳化硅晶片的改质层界面，由于此时碳化硅晶片的改质层界面上无残余应力或者存在较少的残余应力，能够减缓研磨工序的挤压使残余应力增大从而造成裂纹继续生长的现象，从而能够研磨更少材料即可完全去除损伤层
一种碳化硅晶片生成方法

[发明专利]一种器件的制备方法及结构-CN202310737309.8在审
发明人：伊艾伦;欧欣;蔡佳辰;王成立 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
一种器件制备方法结构