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[实用新型]有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器-CN201821335640.8有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本专利公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
碲镉汞红外焦平面源区等电位碲镉汞红外焦平面探测器公共电极阵列边缘像元制备工作电位工作电压输出信号芯片结构源区电极阵列中央电极孔阵列区腐蚀金属

[实用新型]Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料-CN201320174705.6有效
发明人：王经纬;巩锋;王丛;刘铭;强宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料。Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三层不同组份不同厚度的碲镉汞薄膜层。
si 长波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构-CN202211103691.9在审
发明人：杜宇;张国锋;黄先念;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器制备领域，具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构，步骤S1，通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层；步骤S2，通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层，碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层；步骤S3，于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻，获得光刻孔；步骤S4，将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡，腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔，获得开口后的碲镉汞；本发明工艺简单，成本低廉，复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面，在后期成品中有效减少暗电流；减少冗余工序，腐蚀液扩腐轻微，开孔均匀性优。
碲镉汞表面复合钝化金属化开口方法结构

[发明专利]一种蚀刻液、一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法-CN202210601938.3有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种蚀刻液，蚀刻液组分包括硝酸、氢氟酸、乳酸和水；以及一种碲镉汞红外焦平面混成芯片的减薄方法，通过湿法腐蚀的方法可以快速去除碲锌镉衬底，碲锌镉衬底腐蚀速率可达500微米/分钟以上，并且本蚀刻液可以在2分钟内完全腐蚀掉碲锌镉衬底，并且会在碲镉汞过渡层上形成终止层，终止层只有数十纳米，再通过溴加氢溴酸的水溶液腐蚀去除终止层，腐蚀时间约10秒，最终得到光亮新鲜的碲镉汞表面。该方法可以快速去除900‑1000微米原生厚度的衬底，有效消除衬底物理减薄过程带来的损伤，保持碲镉汞红外探测器光电性能不受衬底减薄工艺的影响。
一种蚀刻碲镉汞红外平面混成芯片方法

[发明专利]一种碲镉汞芯片的闭管热处理方法-CN202211437842.4在审
发明人：王鑫;刘世光;赵东生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种碲镉汞芯片的闭管热处理方法，包括：将至少一片碲镉汞芯片固定于工装载体上，其中，工装载体的尺寸大于碲镉汞芯片且与退火管的内径匹配；将工装载体放入退火管内，以使得碲镉汞芯片与退火管的内壁不发生接触本发明提供的碲镉汞芯片的闭管热处理方法，在闭管退火过程中，避免了芯片与石英管的直接接触，有效提高了退火后芯片的均匀性，从而进一步地改善芯片的面型，提升探测器的性能。
一种碲镉汞芯片热处理方法

[发明专利]长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法-CN200610148065.6无效
发明人：陆卫;全知觉;李志锋;李宁;甄红楼;陈平平;陈效双;李天信 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S₁、测量碲隔汞光伏器件的I－V曲线；S₂、利用关系式R＝dV/dI获得R－V曲线，S₃、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
长波碲镉汞光伏器件物理参数检测方法

[实用新型]一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具-CN201521075087.5有效
发明人：宁提;赵东生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具，所述石英夹具为等边三棱柱结构且内部中空，所述石英夹具的三侧壁厚度均匀。在热处理过程中，将碲镉汞外延材料片放到石英夹具上，再将所述石英夹具放入石英管中。所述石英夹具的内壁尺寸根据碲镉汞外延材料片的尺寸进行设计；所述石英夹具的外壁尺寸根据石英管的内径尺寸进行设计。所述石英夹具，能够解决碲镉汞外延材料在热处理过程中的弯曲变形问题，能够有效的避免碲镉汞外延材料在热处理过程中与石英管壁间的碰撞，消除镉汞外延材料在热处理过程中产生的裂片。
一种碲镉汞外延材料热处理石英夹具

[发明专利]一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法-CN202110100756.3在审
发明人：徐国庆;兰添翼;刘向阳;乔辉;贾嘉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。
一种提高型碲镉汞体晶载流子输运参数方法

[发明专利]一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用-CN202210704855.7在审
发明人：严子粮;董华锋;吴福根;薛建材;吴子峤 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种等离激元增强的碲镉汞红外探测器及其制备方法和应用，所述红外探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层；所述碲镉汞材料层上排布有至少1个金属纳米结构和至少1对电极；所述碲镉汞材料层的厚度为2100～4000nm。本发明等离激元增强的碲镉汞红外探测器的金属反射层、钝化层、碲镉汞材料层以及金属纳米结构构成法布里‑珀罗(F‑P)谐振腔，可使受激辐射的光波在其谐振腔体内维持来回振荡，提高光能密度和红外吸收范围，从而提高光电探测器的光吸收和光响应能力
一种离激元增强碲镉汞红外探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法-CN201910919549.3有效
发明人：张智超;喻松林;张轶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提出了一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法，用以降低平面碲镉汞雪崩二极管探测器柱面结和球面结耗尽区中的电场强度，进而降低相应的隧穿电流，提高雪崩击穿电压，提升线性模式下的增益。所述方法，包括：在碲镉汞表面沉积钝化层；通过常规掺杂对碲镉汞进行P型掺杂；通过常规掺杂在P型碲镉汞材料上进行N型掺杂，形成N+中心区，高掺杂N+保护环和低掺杂N‑区；生成穿透钝化层的位于高掺杂N+中心区和碲镉汞P型掺杂区的光敏元电极接触孔和公共电极接触孔
一种平面碲镉汞雪崩二极管探测器及其制备方法

[发明专利]一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法-CN202110994584.9在审
发明人：何斌;刘明;宁提;祁娇娇;陈书真 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法，本发明所述方法能够有效对预设碲镉汞芯片的电极沉积损伤进行表征，从而优化电极生长条件，减少电极沉积损伤，最终提高了碲镉汞红外探测器的性能。
一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤方法

[发明专利]一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法-CN201611059411.3在审
发明人：叶振华;陈奕宇;孙常鸿;刘棱枫;邢雯;马伟平;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法，该方法是在碲镉汞的刻蚀过程中通过控制刻蚀样品台温度来控制刻蚀诱导电学反型层厚度。首先，通过测量不同温度下刻蚀碲镉汞所得到的反型层厚度进行建模，得到了反型层厚度与刻蚀温度的关系曲线。依照此关系曲线，即可通过控制刻蚀温度控制刻蚀反型层的厚度。本发明方法可以实现在碲镉汞刻蚀过程中就能直接控制p‑n结结构，具有精确工艺控制、工艺集成等特点，为碲镉汞刻蚀反型调控提供了新的控制维度。
一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度方法

[发明专利]一种碲锌镉衬底、制备方法及其应用-CN201610899727.7在审
发明人：林国画;陈慧卿;张敏;梁宗久;宁提 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种碲锌镉衬底、制备方法及其应用。本发明提供的碲锌镉衬底，在所述碲锌镉衬底的任意一个表面上设有增透结构，所述增透结构为周期变化的图形，占空比小于0.8，周期小于6微米。表面设有增透结构的碲锌镉衬底的透过率明显高于普通的碲锌镉衬底，也高于在碲锌镉表面镀红外膜层的碲锌镉衬底，本发明提供的碲锌镉衬底应用于碲镉汞红外焦平面探测器组件中，可以提高碲镉汞红外焦平面探测器组件的探测能力
一种碲锌镉衬底制备方法及其应用

[发明专利]一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法-CN202110254064.4有效
发明人：戴永喜;宁提;谭振;孙浩 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，本发明是用毛刷刷洗能洗掉碲镉汞芯片表面及边缘脏渣等污染物，并通过冲洗能将刷洗的残留再一次清洗，使得清洗每片碲镉汞芯片的时间由120～150S变为60～95S清洗每片碲镉汞芯片的丙酮试剂量由(0.42～0.45L)变为(0.34～0.36L),节约时间与试剂用量，工艺效率大大提高，有利于降低成本。
一种碲镉汞芯片钝化表面清洗方法

[发明专利]一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法-CN201810598150.5在审
发明人：叶振华;崔爱梁;刘棱枫;孙常鸿;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法。采用电感耦合等离子体技术形成碲镉汞台面结构，采用离子注入的方法把硼离子注入到P型的碲镉汞中形成PN结。该方法采用电感耦合等离子技术分析碲镉汞材料组分的梯度分布，解决了现有的傅里叶透射光谱法和光致发光法只能测试材料表面或材料整体组分的缺点。与采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合运算相比，本方法测量出碲镉汞的组分梯度分布更加精确真实，可以直接用于指导探测器的设计。
碲镉汞薄膜组分梯度碲镉汞归一化吸收谱电感耦合等离子体电感耦合等离子傅里叶光谱仪光电流响应灵敏电流计透射光谱法碲镉汞材料测试测试材料方法测量分析材料分析软件光谱扫描光学薄膜光致发光技术分析台面结构梯度分布傅里叶硼离子探测器拟合运算离子测量