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[发明专利]一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器-CN201811176475.0有效
发明人：叶振华;崔爱梁;刘棱枫;孙常鸿;张伟婷;胡晓宁;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种微椭球式零串音碲镉汞红外焦平面探测器。新构形红外焦平面探测器的光敏感元采用包含一个p‑n结的微椭球结构，并通过基区公共P型层与公共电极相连的模式。微椭球阵列基光敏感元红外探测器有源区是完全隔断的，可实现超低串音的探测，还可以部分释放探测芯片的内应力。同时，光敏感元采用了具有内部全反射的微椭球结构，这可以实现光电p‑n结面积远小于红外辐射吸收面积，能有效提高红外焦平面探测器的信噪比和探测率；解决了器件小型化难题。
一种椭球串音碲镉汞红外平面探测器

[发明专利]一种InAsGaSbII类超晶格探测器及制备方法-CN202310601725.5在审
发明人： 崔爱梁 -专利权人：中航凯迈（上海）红外科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种InAs/GaSbII类超晶格探测器及制备方法，采用分子数外延技术在衬底上依次沉积重掺杂N型接触层、势垒层、吸收层、P型接触层、盖帽层和金电极，衬底、N型接触层、势垒层、吸收层和P型接触层的裸露处沉积可调节钝化层，通过紫外光刻技术和电感耦合等离子体刻蚀技术刻蚀像元隔离沟槽，形成pn结基础探测芯片结构；编写原子层沉积反应的工艺过程；基础探测芯片结构在原子层沉积设备中完成原子层沉积反应的工艺，完成钝化层生长循环后，将芯片从反应腔中转移至快速退火炉中进行退火；解决了现有的InAs/GaSb II类超晶格探测器的薄膜生长不均匀、超晶格表面悬挂键和原生氧化层影响器件暗电流水平和探测效率的问题。
一种 inasgasbii 晶格探测器制备方法

[发明专利]一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器-CN202110265605.3有效
发明人：叶振华;王进东;叶文成;廖清君;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位集成超表面相控阵列的红外彩色焦平面探测器，通过在红外单色焦平面探测器衬底上原位集成超表面相控阵列，使宽谱段的红外光在透过超表面相控阵列后发生折射，折射角与光的波长一一对应，然后入射到红外单色焦平面探测器对应的亚像元位置，第一亚像元、第二亚像元、第三亚像元分别接收到不同信号，超像素单元输出单元信号，利用图像合成方法得到彩色图像。该探测器具有信号串扰小、结构简单、集成度高，利用超表面相控阵列和红外单色焦平面探测器生成红外彩色图像的优点。
一种原位集成表面相控阵红外彩色平面探测器

[实用新型]基于超表面的红外彩色探测器-CN202022011969.2有效
发明人：叶振华;王进东;廖清君;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;孙渟;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。
基于表面红外彩色探测器

[发明专利]一种基于超表面的红外彩色探测器-CN202010965538.1在审
发明人：叶振华;王进东;廖清君;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;孙渟;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超表面的红外彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为彩色RGB信号，最后合成彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成彩色图像的优点。
一种基于表面红外彩色探测器

[发明专利]一种基于超表面的红外伪彩色探测器-CN201911093692.8在审
发明人：叶振华;王进东;廖清君;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;孙渟;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超表面的红外伪彩色探测器，通过在红外探测器上方放置一个用超表面制作的阶梯光栅阵列，使红外光在透过超表面阵列后发生衍射，在不同方向角上分成短、中、长波红外光，然后照射到能够探测不同波段的红外探测器上，将红外探测器上接收到的信号定义为伪彩色RGB信号，最后合成伪彩色图像。该探测器具有透光率高、分色性能好、探测效率高、利用红外波段生成伪彩色图像的优点。
一种基于表面红外彩色探测器

[实用新型]同时模式双波段碲镉汞探测器-CN201920708752.1有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本专利公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
长波碲镉汞减小层厚度光吸收刻蚀碲镉汞探测器反射电磁波器件制备钝化层金属层双波段中心距变小侧壁像元坡度生长保证

[发明专利]一种同时模式双波段碲镉汞探测器-CN201910414304.5在审
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时模式双波段碲镉汞探测器，通过减小碲镉汞长波层厚度可使器件制备过程中刻蚀深度变小，因为刻蚀后碲镉汞长波层侧壁有一定坡度，因此减小刻蚀深度可以缩小像元中心距。减小碲镉汞长波层厚度会导致光吸收变少，在钝化层上生长金属层有利于反射电磁波从而提高碲镉汞长波层的光吸收，在减小碲镉汞长波层厚度的同时保证了良好的光吸收。
长波碲镉汞减小层厚度光吸收刻蚀碲镉汞探测器双波段反射电磁波器件制备钝化层金属层中心距变小侧壁像元坡度生长保证

[实用新型]可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器-CN201821335563.6有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：专利公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。
碲镉汞调制雪崩二极管表面能钝化层漏电流探测器界面处平带雪崩击穿电压光电二极管二极管常规结构反向偏压盖革模式线性模式信号探测电极耗尽区击穿热电隧穿复合

[实用新型]有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器-CN201821335640.8有效
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本专利公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
碲镉汞红外焦平面源区等电位碲镉汞红外焦平面探测器公共电极阵列边缘像元制备工作电位工作电压输出信号芯片结构源区电极阵列中央电极孔阵列区腐蚀金属

[发明专利]一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器-CN201810945391.2在审
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源区等电位的碲镉汞红外焦平面探测器，通过在碲镉汞红外焦平面阵列区腐蚀出有源区电极孔，并在制备金属公共电极时将此电极孔相连，使得碲镉汞红外焦平面阵列边缘区域有源区和阵列中央有源区等电位。该芯片结构具有碲镉汞红外焦平面阵列有源区像元工作电位一致的优点，有利于解决只在碲镉汞红外焦平面阵列边缘制备公共电极而导致阵列像元工作电压不一、输出信号差异大的问题。
碲镉汞红外焦平面源区等电位碲镉汞红外焦平面探测器公共电极阵列边缘像元制备工作电位工作电压输出信号芯片结构源区电极阵列中央电极孔阵列区腐蚀金属

[发明专利]一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法-CN201810598150.5在审
发明人：叶振华;崔爱梁;刘棱枫;孙常鸿;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法。采用电感耦合等离子体技术形成碲镉汞台面结构，采用离子注入的方法把硼离子注入到P型的碲镉汞中形成PN结。使用傅里叶光谱仪对器件进行光谱扫描，同时使用灵敏电流计测量光电流响应，得到材料的归一化吸收谱图。利用归一化吸收谱图分析材料的组分。该方法采用电感耦合等离子技术分析碲镉汞材料组分的梯度分布，解决了现有的傅里叶透射光谱法和光致发光法只能测试材料表面或材料整体组分的缺点。与采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合运算相比，本方法测量出碲镉汞的组分梯度分布更加精确真实，可以直接用于指导探测器的设计。
碲镉汞薄膜组分梯度碲镉汞归一化吸收谱电感耦合等离子体电感耦合等离子傅里叶光谱仪光电流响应灵敏电流计透射光谱法碲镉汞材料测试测试材料方法测量分析材料分析软件光谱扫描光学薄膜光致发光技术分析台面结构梯度分布傅里叶硼离子探测器拟合运算离子测量

[发明专利]一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器-CN201810959729.X在审
发明人：叶振华;刘棱枫;崔爱梁;张伟婷;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器，通过在pn结耗尽区钝化层上方增加电极可达到调制钝化层与碲镉汞界面处pn结能带的作用，使钝化层与碲镉汞界面处pn结趋于平带状态从而抑制表面产生‑复合、表面隧穿等表面漏电流。该探测器具有可调制pn结区表面能带使其趋于平带状态，抑制表面漏电流从而使二极管工作在反向大偏压下以盖革模式工作的优点，有利于解决常规结构的碲镉汞雪崩二极管器件在反向偏压大于雪崩击穿电压时，会因表面存在较大的漏电流，致使光电二极管发生热电击穿，限制其只能满足以线性模式进行信号探测的问题。
碲镉汞调制雪崩二极管表面能钝化层漏电流探测器界面处平带雪崩击穿电压光电二极管二极管常规结构反向偏压盖革模式线性模式信号探测电极耗尽区击穿热电隧穿复合

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