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[发明专利]一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法-CN202311038571.X在审
发明人：李伟伟;龚汉红;段鹏;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器的铟柱制备方法，包括提供一待互连的第一芯片，第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片；在第一芯片上淀积介质材料，用以形成第一铟柱，第一铟柱包括：第一柱段，第一柱段具有预设高度，第一柱段的底部连接于第一芯片表面上；第二柱段，第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连，第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构，第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段，避免因对准误差带来的侧滑，也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。
一种制冷红外探测器及其制备方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器的形成方法-CN202311007631.1在审
发明人：陈世锐;龚汉红;丁俊毅;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层；在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层；光刻光刻胶层，使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状；在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层；去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层，以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状，再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔，没有腐蚀过多的钝化层，使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标，减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
碲镉汞红外探测器形成方法

[发明专利]一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法-CN202310779472.0在审
发明人： 谭必松;邱伟强;陈天晴;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。
一种红外平面器件不稳定测试方法

[发明专利]一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统-CN202310502746.1在审
发明人：熊伟钉;邱伟强;阎蒋伟;陈天晴;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器上；包括：步骤S1，将面源黑体温度设置为第一预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在预设积分时间下的第一像元电压数据；步骤S2，将温度设置为第二预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在同一预设积分时间下的第二像元电压数据；步骤S3，计算出像元响应电压；步骤S4，获取红外焦平面探测器的光学的F数、积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合预设积分时间以及计算得到的像元响应电压计算得到量子效率。有益效果：测试方法简便，数据采集方便、数据处理简单。
一种红外平面探测器量子效率测试方法系统

[发明专利]一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统-CN202310510434.5在审
发明人：杜宇;熊伟钉;李克俊;安美;陈天晴;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括红外焦平面探测器以及与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器像元上，面源黑体工作在一预设温度下；并包括以下步骤：步骤S1，获取红外焦平面探测器的像元在不同积分时间下的像元电压数据；步骤S2，对红外焦平面探测器的像元电压数据随积分时间进行线性拟合，确定拟合直线的斜率；步骤S3，获取红外焦平面探测器的光学F数、红外焦平面探测器上读出电路的积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合确定的拟合直线的斜率计算得到量子效率。有益效果：本发明测试方法简便可行，数据采集方便、数据处理简单。
一种红外平面探测器量子效率测试方法系统

[发明专利]一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法-CN202310170850.5在审
发明人：杜宇;阎蒋伟;谭必松;邱伟强;陈天晴;李克俊;陈殊璇 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件中介质薄膜的介电常数测量方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤S1，于顶层金属电极和背面金属电极之间施加偏置电压，按照不同的变化率调节偏置电压并对应采集相应的电流；步骤S2，将各偏置电压及对应的电流进行线性拟合得到电压电流拟合直线，并将电压电流拟合直线的斜率作为介质薄膜的电容值；步骤S3，根据电容值和预先获取的顶层金属电极的面积以及介质薄膜的厚度计算得到介质薄膜的介电常数。有益效果是通过测量施加不同变化率的偏置电压对应的电流进行线性拟合得到介质薄膜的电容值，进而计算得到介质薄膜的介电常数，测量准确率高，且偏置电压的施加以及电流的采集采用源表即可实现，有效节约测量成本。
一种半导体器件介质薄膜介电常数测量方法

[发明专利]消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器-CN202310213025.9在审
发明人： 谭必松;龚汉红;陈世锐;程佩琪;李克俊;林欢欢;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器，包括：碲镉汞薄膜，碲镉汞薄膜分为第一离子区和多个间隔的第二离子区，第一离子区和多个第二离子区分别形成多个PN结；多个间隔的电极层，均位于碲镉汞薄膜的背面，电极层与第二离子区接触，并且每个第二离子区均与一个电极层接触；多个钝化层，均位于碲镉汞薄膜的背面，每相邻两个电极层之间均设置一个钝化层；读出电路，通过多个铟柱与所有电极层均连通；导电膜，位于所有碲镉汞薄膜的正面；公共电极，与读出电路均电连接。在大面阵芯片中，本发明消除了边缘像元的开启电压与中心区域像元的开启电压之间的差异，从而使得边缘像元和中心区域像元实现了同步开启。
消除电位偏置效应大面红外探测器

[发明专利]碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构-CN202211103691.9在审
发明人：杜宇;张国锋;黄先念;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器制备领域，具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构，步骤S1，通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层；步骤S2，通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层，碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层；步骤S3，于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻，获得光刻孔；步骤S4，将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡，腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔，获得开口后的碲镉汞；本发明工艺简单，成本低廉，复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面，在后期成品中有效减少暗电流；减少冗余工序，腐蚀液扩腐轻微，开孔均匀性优。
碲镉汞表面复合钝化金属化开口方法结构

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法-CN202310253513.2在审
发明人：陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层。本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
碲镉汞红外探测器芯片分割方法

[发明专利]半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法-CN202310254591.4在审
发明人：杜宇;陈世锐;黄先念;段鹏;姚佳静;刘竟然;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。
半导体图形形成方法制冷红外探测器制造

[发明专利]提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法-CN202310152332.0在审
发明人： 谭必松;黄先念;宋鲁霞;龚汉红;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种提高红外晶片表面薄膜洁净度的沉积方法，沉积方法包括：提供基片台及至少两个固定单元，基片台包括铁磁性材质，固定单元设有至少一吸附面及至少一固定面，固定面与吸附面的夹角大于或等于90°，吸附面包括磁体材质；提供红外晶片，呈多边形状且置于基片台上，至少两个固定单元的固定面与红外晶片的至少两个端面相接触并利用吸附面将红外晶片吸附固定于基片台上；执行吹扫；移至沉积设备内执行沉积工艺。本发明中，采用基片台与吸附面之间的磁性吸附进行固定，不仅固定操作较为方便快捷且便于批量加工，其固定较为稳定，而且在固定过程及镀膜过程中可避免在沉积薄膜过程中引入杂质影响红外晶片表面薄膜洁净度。
提高红外晶片表面薄膜洁净沉积方法

[实用新型]一种倒焊装载夹具-CN202222110357.8有效
发明人：江益坤;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒焊装载夹具，它包括夹具本体，所述夹具本体的正面开设有多个矩形槽，各个矩形槽的尺寸均不相同，所述夹具本体上位于每个矩形槽的四角位置均开设有支撑凹槽，各个支撑凹槽均与相应的矩形槽连通，所述夹具本体上位于每个矩形槽的四边位置均开设有取件凹槽，各取件凹槽与相应的矩形槽连通，所述支撑凹槽的深度小于矩形槽的深度。该倒焊装载夹具中，夹具本体上的各个矩形槽可实现不同规格尺寸的读出电路芯片的装载，通过矩形槽四角位置的支撑凹槽对读出电路芯片进行支撑固定，且支撑凹槽的深度小于矩形槽的深度，这样可以防止铟柱因挤压而形变，从而提高了倒焊连通率和可靠性。
一种装载夹具

[发明专利]一种铟柱高度的监控方法-CN202211138467.3在审
发明人： 谭必松;李伟伟;黄先念;林欢欢;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，属于铟柱生长监控技术领域，包括：获取一芯片上光刻孔的第一面积，以及芯片镀铟后光刻孔不包括铟柱的第二面积；根据第一面积和第二面积计算得到芯片镀铟前后的堵孔率；根据堵孔率和铟柱设计高度确定铟柱的实际高度。有益效果：本发明提供一种铟柱高度的监控方法，通过计算铟的堵孔率来对铟柱的沉积高度进行监控，从而达到铟工艺的监控目的，该监控方法能够适用于大规模量产时有效、快捷的监控。
一种高度监控方法

[发明专利]基于相对电流的红外焦平面器件的不稳定像元测试方法-CN202211041581.4在审
发明人：邱伟强;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供一种基于相对电流的红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：步骤S1，探测器与面源黑体距离预设距离，面源黑体设置为预设温度；步骤S2，设置积分时间，使探测器输出阱深处于预设阱深范围内，步进处于预设步进范围内；步骤S3，采集红外探测图像，像元电压随积分时间拟合得到第一像元电流表；步骤S4，扣除盲元电流，计算得到第一相对电流表；步骤S5，至少重复一次步骤S3‑S4，得到第二像元电流表和第二相对电流表；步骤S6，根据第一相对电流表和第二相对电流表判断是否为不稳定像元。有益效果：从像元电流出发，提供一种能够有效测量红外探测器不稳定像元的方法，从而准确的判断不稳定像元。
基于相对电流红外平面器件不稳定测试方法

[发明专利]一种制冷型红外探测器自动化测试系统及方法-CN202211000078.4在审
发明人：陈天晴;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种制冷型红外探测器自动化测试系统及方法，所述制冷型红外探测器自动化测试系统包括黑体、黑体移位台、被测器件装配控制台、卡脖子转接板、制冷机驱动转接板、被测器件、通用转接板、供电和偏压控制电路、模拟信号处理电路、数据传输电路、时序控制电路、焦温采集和反馈电路、供电系统和计算机，所述计算机内安装有上位机控制和处理软件。本发明的整个测试过程中，被测器件只有在放置和取出装配控制台为人工操作，其它操作均由计算机控制完成，避免了人为操作导致的测试误差，实现计算机对测试系统的全自动控制，每一步操作结果都反馈到计算机，以便计算机对下一步操作的精准控制，节省了测试时间，提高了测试效率。
一种制冷红外探测器自动化测试系统方法

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