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[发明专利]一种掺砷碲化镉的制备方法-CN202110445496.3有效
发明人：文崇斌;余芳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺砷碲化镉的制备方法。本发明掺砷碲化镉的制备方法包括以下步骤：将除氧后的碲化镉粉末和除氧后的砷化镉粉末混合均匀，在650～850℃下热压烧结，得到掺砷碲化镉，其中热压烧结在真空或保护气保护下进行。本发明采用碲化镉和砷化镉而非相应单质作为原料，并在较低温度下进行热压烧结，使原料全程为固态，避免出现偏析，确保所得掺砷碲化镉材料具有良好的均匀性；同时，采用除氧后的碲化镉粉末和砷化镉粉末作为原料，并在真空或保护气保护下进行热压烧结，确保所得掺砷碲化镉材料具有较低的氧含量和较高的纯度。
一种掺砷碲化镉制备方法

[发明专利]一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法-CN202010541022.4有效
发明人：高达;王丛;王经纬;刘铭;宁提 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，本发明在硅基碲化镉的最后阶段，即硅基碲化镉经过高温退火之后，增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层，且不经退火，实验证明，该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下，从而能够大大提高硅基碲化镉复合衬底的成品率，进而提高了硅基碲化镉的整体品质。
一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

[发明专利]一种提升碲化镉电池性能的方法-CN201910019474.3有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开一种提升碲化镉电池性能的方法，碲化镉电池包括由下至上依次设置的衬底层、光吸收层和背电极层，所述的光吸收层为碲化镉薄膜，所述的光吸收层镀膜完成后放入到包括氯化镉、氟化钠和稀盐酸的混合溶液中浸泡，本发明所述的提升碲化镉电池性能的方法能有效提高薄膜结构致密度，促进碲化镉晶粒生长，重结晶、提高光学性能、提高电导性能、钝化晶界，提升碲和镉在光吸收层中的组成比例，有效的改善硫化镉与碲化镉的界面，减少缺陷，从而使碲化镉电池的开路电压和填充因子高，电池初始性能和长期稳定性优异，提高碲化镉电池的光电转换效率。
一种提升碲化镉电池性能方法

[发明专利]一种碲锌镉衬底的重复利用方法-CN202211521174.3在审
发明人：王琰璋;侯晓敏;李轩;柏伟;徐晓婷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请的实施例揭示了一种碲锌镉衬底的重复利用方法，方法包括：对待重复利用碲锌镉衬底进行厚度检测，得到所述待重复利用碲锌镉衬底的厚度；将所述待重复利用碲锌镉衬底粘接到载片上；将粘接有所述待重复利用碲锌镉衬底的所述载片固定在金刚石砂轮减薄装置的载片台上，通过所述金刚石砂轮减薄装置根据所述待重复利用碲锌镉衬底的厚度对所述待重复利用碲锌镉衬底进行减薄加工；对加工完成的所述待重复利用碲锌镉衬底进行抛光，实现对所述待重复利用碲锌镉衬底的重复利用。本方法能够实现碲锌镉衬底的重复利用与再利用，提高碲锌镉衬底的利用率，提高重复利用效率及重复利用衬底质量控制一致性。在碲锌镉单晶生长难度大、加工难度大的情况下可以有效节约成本与资源。
一种碲锌镉衬底重复利用方法

[实用新型]一种碲化镉薄膜太阳能电池结构-CN201620438129.5有效
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池结构，所述的碲化镉薄膜太阳能电池包括：基板、透明导电层、窗口层、第一本征碲化镉膜层、第一掺杂的碲化镉膜层、第二本征碲化镉膜层、第二掺杂的碲化镉膜层、背接触层，所述第一掺杂的碲化镉膜层是掺杂有铷、硅等元素的碲化镉膜层，所述第二掺杂的碲化镉膜层是掺杂有铜等元素的碲化镉膜层。本实用新型的优点是在热处理过程中，第一掺杂碲化镉膜层中的一部分掺杂剂会扩散进入到窗口层中，从而使更多的入射光穿透窗口层进入到光吸收层中，同时窗口层又可以很好的覆盖在缓冲层表面；第二掺杂碲化镉膜层中的掺杂剂会使光吸收层与背接触层之间形成良好的欧姆接触
一种碲化镉薄膜太阳能电池结构

[发明专利]硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法-CN201110355965.9无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64)，用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如，可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物，并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如，硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上，以形成混合层(19)，并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。
硫化碲化镉混和溅射以及它们使用方法

[发明专利]碲锌镉探测器专用测试电路及方法-CN202111600957.6在审
发明人：屈春蕾 -专利权人：无锡通透光电科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本申请提供了一种碲锌镉探测器专用测试电路及方法。碲锌镉探测器专用测试电路包括：碲锌镉探测器接口模块，用于连接待检测的碲锌镉探测器；供电模块，用于向连接于碲锌镉探测器接口模块的碲锌镉探测器供电；信号输出模块，用于输出碲锌镉探测器的测试信号。本发明实现了一种碲锌镉探测器专用测试电路及方法，其使用的高压模块体积小，噪声低，配合微控单元能够实现基于软件的精确电压调节，可同时支持多个碲锌镉探测器工作。
碲锌镉探测器专用测试电路方法

[发明专利]碲锌镉探测器的封装结构-CN202110450271.7在审
发明人：胡天宇;赵崑;谢波;李汉平;曹亮 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种碲锌镉探测器的封装结构，该碲锌镉探测器的封装结构包括：第一外壳和第二外壳，其中，第一外壳和第二外壳可拆卸连接，从而使得碲锌镉探测器的封装结构能够重复使用，且方便碲锌镉晶体的更换。而且第二外壳还设置有引脚，引脚能够穿过第二外壳与碲锌镉探测器的电极连接，如此，方便用户通过固定引脚和焊接引脚使得碲锌镉探测器和电路板之间连接，提高了碲锌镉探测器的便捷性，且在固定引脚过程中和焊接引脚过程中不会破坏碲锌镉探测器的任何部件，降低了碲锌镉探测器的使用成本。
碲锌镉探测器封装结构

[发明专利]红外激励型高分辨率碲锌镉核辐射探测系统-CN202110544433.3有效
发明人：杨国强;王效春;谭艳;张辉 -专利权人：山西医科大学第一医院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明提供了红外激励型高分辨率碲锌镉核辐射探测系统，其通过红外照射的外在激励方式来改善碲锌镉晶体材料的载流子传输效率，这样能够在不需要对碲锌镉探测器进行晶体生长改善、脉冲信号修正处理和改善碲锌镉探测器的电极结构设计的情况，利用特定波长范围的亚禁带红外照射碲锌镉探测器中电场最弱的区域，能够激励碲锌镉探测器中载流子进行高效的传输，以此最大限度地提高碲锌镉探测器的检测灵敏度和能量分辨率，从而降低碲锌镉探测器的成本和提高碲锌镉探测器的能量分辨率
红外激励高分辨率碲锌镉核辐射探测系统

[发明专利]一种碲化镉薄膜电池的集成方法-CN201810812297.X在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;赵雷;李飏;王彦珏 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/0463 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜电池的集成方法，碲化镉薄膜太阳能电池自上而下的结构依次是：背电极层、窗口层和碲化镉光吸收层、透明导电层、玻璃基底，通过两步激光刻蚀，完成碲化镉薄膜电池的集成，该方法能够很好的控制刻线死区，提高碲化镉薄膜电池的短路电流、填充因子，从而提高碲化镉薄膜电池的转换效率。
碲化镉薄膜电池碲化镉薄膜太阳能电池透明导电层背电极层短路电流光吸收层激光刻蚀填充因子转换效率玻璃基窗口层碲化镉刻线死区

[发明专利]碲化镉粉末的制备方法-CN02114571.7无效
发明人：吴洪才 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉粉末的制备方法,首先将镉粉和碲粉按化学配比进行混合;将混合后的材料进行研磨、搅拌使镉粉和碲粉混合均匀;把均匀混合的镉粉和碲粉置于真空条件下的坩埚中,对坩埚进行加热,使坩埚中的镉粉和碲粉进行化合反应,形成碲化镉材料;将生成的碲化镉材料再次进行研磨,混合;对经过研磨后的碲化镉材料置于加热炉中进行退火处理即可。
碲化镉粉末制备方法

[实用新型]碲化镉发电玻璃连接节点-CN202320573018.5有效
发明人：郭小龙;顾家;孙开润;郑昶;谷峰 -专利权人：河南天元装备工程股份有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02S30/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及发电玻璃技术领域，具体为碲化镉发电玻璃连接节点，包括：第一碲化镉发电玻璃，第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆；螺杆，螺杆的表面设置有套环，套环的表面设置有升降板，升降板的表面设置有连接杆；及滑槽，设于第一碲化镉发电玻璃的表面；有益效果为：本实用提出的第一碲化镉发电玻璃的端部设置有插接杆，将插接杆插接在第二碲化镉发电玻璃端部的卡合块之间，通过伸缩块使得插接杆卡在卡合块之间，第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃起到预固定，然后旋拧螺杆，使得套环移动，套环带动固定杆移动，固定杆插接进卡合块的内部，将第一碲化镉发电玻璃和第二碲化镉发电玻璃固定在一起。
碲化镉发电玻璃连接节点

[发明专利]水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN200610148709.1无效
发明人：袁诗鑫 -专利权人：袁诗鑫
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括炉体、石英长晶管、区熔长晶舟和镉源舟：炉体包括镉源炉和由多个依次排列的小炉子组成的水平区熔长晶炉，炉体内放置有内设镉源舟和区熔长晶舟的石英长晶管，区熔长晶舟设有头部缩颈和尾部缩颈，水平区熔生长碲锌镉单晶的方法是先将碲、锌和籽晶放入区熔长晶舟内、镉放入镉源舟内，再将区熔长晶舟和镉源舟放入石英长晶管中封管后，置于水平区熔炉体中加热合成碲锌镉锭条，经区熔提纯的碲锌镉锭条纯度提高后再由籽晶引导生长出碲锌镉单晶采用本发明的装置和方法生产碲锌镉单晶成品率高、纯度高，生长出的碲锌镉单晶完全符合应用要求。
水平生长碲锌镉单晶装置方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺