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[发明专利]一种制备碲化银锑热电材料的方法-CN201510266185.5有效
发明人：杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于包括如下步骤1)配料以碲化银、碲化锑为主要原料，微量单质碲为热电性能调节成分，按照摩尔比(0.9‑1.1)(0.9‑1.1)x称取碲化银、碲化锑和单质碲作为反应原料，其中x为0～0.04；2)高能球磨将步骤1)所述反应原料在惰性气体保护气氛下进行高能球磨，得单相碲化银锑粉体；3)放电等离子烧结将步骤2)所得单相碲化银锑粉末进行放电等离子烧结，即得致密碲化银锑热电材料本发明所用原料在空气中稳定，不易氧化，整体工艺简单可控、制备成本低，重复性好，且所制备的碲化银锑块体材料致密度高，物相纯，热电性能优异。
一种制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]制造多成分薄膜的方法-CN201110048467.X有效
发明人：萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：在一个实施方式中，本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
制造成分薄膜方法

[发明专利]一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法-CN201810369025.7有效
发明人：张伟;王疆靖;田琳 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化的方法，包括：选择能够进行微观结构表征、电学性能测试或原位性能测试的衬底制备锗锑碲非晶薄膜；对制备锗锑碲非晶薄膜的衬底进行电镜样品预处理；在电镜样品中寻找锗锑碲非晶薄膜表面干净平整的区域；通过在电镜中设置辐照范围、辐照电压、辐照强度和辐照时间；在电镜中实时观测电镜样品辐照区域的晶化过程，得到满足晶化范围、晶体结构、晶粒大小的锗锑碲晶体，即完成电子束辐照诱导锗锑碲材料晶化过程。本发明方法为相变材料晶化机理及相应结构性能的研究提供了实验依据。
锗锑碲辐照晶化电子束辐照电镜样品非晶薄膜诱导晶化过程衬底制备电学性能测试微观结构表征预处理晶粒辐照区域结构性能晶体结构实时观测相变材料性能测试平整研究

[发明专利]采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法-CN201110280192.2有效
发明人：邓元;谭明;王瑶;张志伟;梁立新 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用物理气相沉积制备多级次碲化锑纳米线束阵列的方法，该方法通过调节玻璃基板与钨舟的距离、交流电源输出电流的大小、蒸发源-碲化锑的沉积速率，从而在真空低温环境下在玻璃基板上沉积上具有多级次纳米线束阵列碲化锑由于是低温环境，能够将多级次纳米线束阵列碲化锑沉积在如CPU处理器上。本发明方法能够使物理气相沉积制得的碲化锑纳米线阵列结构均一，有效的保证了纳米相的均匀分布。
采用物理沉积制备多级次碲化锑纳米阵列方法

[发明专利]一种碲化锑纳米片及在水系锌离子电池中的应用-CN202110116559.0有效
发明人：田伟峰;朱琳;王超 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化锑纳米片及在水系锌离子电池中的应用，步骤如下：（1）将碲化锑纳米片、乙炔黑、粘结剂以一定的比例做成均一浆料，涂覆到柔性基底上，干燥得到碲化锑纳米片正极材料；（2）将碲化锑纳米片正极材料本发明采用水热法制备得到碲化锑纳米片，将其应用在水系锌离子电池，具有较高的质量比容量和优异的循环稳定性，以及相应的循环伏安特性。
一种碲化锑纳米水系离子电池中的应用

[发明专利]低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法-CN201510089732.7有效
发明人：杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温固相反应结合热压工艺制备碲化银锑热电材料的方法，包括如下步骤1)配料按照化学式AgSbTe2+x中各元素的化学计量比称量单质银、碲和锑作为原料，其中x为0～0.02；2)压块密封；3)固相反应将步骤2)所得真空密封后的块体升温至反应温度390～450℃保温6～12h，得单相碲化银锑锭体或者近单相碲化银锑锭体；4)热压将步骤3)所得锭体研磨后进行热压烧结，即得到高致密度碲化银锑热电材料该方法反应温度低，工艺简单可控、制备成本低，且所制备的碲化银锑块体材料致密度高，纯度高，重复性好，热电性能优异。
低温相反结合热压工艺制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用-CN202010806609.3在审
发明人：张伟;王疆靖;周宇星;王旭东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。
一种基于锗锑碲 iv 族碲化物交替堆垛多层相变薄膜及其应用

[发明专利]一种以二元碲化物为起始原料制备碲化银锑热电材料的方法-CN201510265983.6有效
发明人：杜保立;宿太超;胡保付;乔文涛;陈亮;蔡红新 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明涉及以二元碲化物为起始原料制备碲化银锑热电材料的方法，具体包括如下步骤：1)按照一定摩尔比称取碲化银和碲化锑作为起始原料；2)将步骤1)所述起始原料混合均匀，压制成块体后真空密封；3)将步骤2)所得真空密封后的块体升温至反应温度420～500℃反应3～12h，得单相或者近单相碲化银锑腚体；4)将步骤3)所得锭体研磨后进行放电等离子烧结，即得致密碲化银锑热电材料。该方法所用原料在空气中稳定，不易氧化，易于大规模、低成本生产，原料保存和混合过程无需保护气氛，反应温度低，工艺简单可控、制备成本低，重复性好，且所制备的碲化银锑块体材料致密度高，热电性能优异。
一种二元碲化物起始原料制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法-CN201410443345.4有效
发明人：苗蕾;杨恒全;刘呈燕;周建华 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高热电性能碲化锑微纳米晶及其块体材料的方法，将锑前驱物溶于多元醇中，然后将前述溶液跟碲前驱物和络合剂混合，于140～180℃下加热搅拌后，冷却至100～120℃后加入还原剂，在120～180℃下反应6～48h得到沉淀，然后用无水乙醇清洗直至清洗液呈中性，清洗后的沉淀物真空干燥得到碲化锑微纳米晶，得到的碲化锑微纳米晶经冷压成片状后在Ar和H₂的体积比为92％﹕8％的混合气体中300～400℃退火2～24h得到碲化锑块体材料，所得的碲化锑微纳米晶及其块体材料具有纯度高、热电性能好等特点，且制备方法简单、成本低、易重复、适用于批量化生产，很有商业化前景。
一种制备热电性能碲化锑微纳米及其块体材料方法

[发明专利]一种耐高温碱土板栅合金及其制备工艺-CN202211076442.5在审
发明人：庞明朵;赵阳阳;马尾乐;王泽科;李钦如;程兵 -专利权人：天能集团（河南）能源科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C22C11/00 文献下载
摘要：一种耐高温碱土板栅合金，由如下组分构成：锡、碲化锑、钡、锶、铋、银、铝、铅。碲化锑组分的加入发挥了锑元素和碲元素的作用，但又抑制或避免了锑单质在板栅中的不利作用，同时也避免了碲单质在板栅中的不利作用。碲化锑能够促进氧气和氢气的复合，降低电极液中水的损失，抑制PbO层的厚度，提高了电池的循环寿命。
一种耐高温碱土合金及其制备工艺

[发明专利]一种碲化锑块体热电材料的制备方法-CN202010405443.4在审
发明人：杜永;朱其旗;孟秋风 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化锑块体热电材料的制备方法，其特征在于，将SbCl3、TeO2、表面活性剂和KOH加入到去离子水中制备前驱体溶液，搅拌溶解后加入硼氢化钾，继续搅拌，将溶液转移至反应釜反应，然后用去离子水和无水乙醇洗涤多次后，真空干燥得到碲化锑粉末；将碲化锑粉末装入不锈钢模具中，室温下冷压成块体；将块体放入管式炉中，通入保护气体，升温后保温进行退火处理，随后冷却至室温即得碲化锑块体热电材料。本发明通过冷压结合退火方法制备了碲化锑块体热电材料，制备的p型碲化锑块体材料具有较好的热电性能，同时制备工艺简单易操作、成本低、容易实现大规模生产，在热电发电和制冷器件领域具有广泛的应用前景。
一种碲化锑块体热电材料制备方法

[发明专利]一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法-CN201710935893.2有效
发明人：牛金钟;徐巍巍;马晓华;田贵敏;康秀宝;郝好山 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属碲化物花状微纳结构的制备方法，本制备方法属于半导体材料制备技术领域。本方法是用乙二醇溶解亚碲酸钠，聚乙烯吡咯烷酮，乙酸钠，乙二胺和乙酰丙酮锌，并在惰性环境下排除溶液中的氧气，升温得到前驱体。然后分别加入乙酰丙酮铜，乙酰丙酮铋，乙酰丙酮镉，乙酰丙酮铅和乙酰丙酮锑，就可以成功制备出碲化铜,碲化铋，碲化镉，碲化铅和碲化锑的花状微纳结构。制备的碲化铜,碲化铋，碲化镉，碲化铅和碲化锑花状微纳结构的直径为8‑10微米。本方法的优点是合成过程简单，重复性好，安全环保，可节约成本。
一种金属碲化物花状微纳结构制备方法

[发明专利]光刻用硫化物半导体掩膜-CN200410093319.X无效
发明人：张锋;徐文东;王阳;干福熹;杨金涛;高秀敏;周飞 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-12-21 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种光刻用硫化物半导体掩膜，其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗，锗锑碲，银铟锑碲，碲化锑或锑。
光刻硫化物半导体

[发明专利]一种双波段适用的硒掺杂碲化锑光电异质结器件的制备方法-CN202310975253.X在审
发明人：周泓希;徐瑶;罗富文;魏于超;刘贤超;彭思露;韩兴伟;陈超;王军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种双波段适用的硒掺杂碲化锑光电异质结器件的制备方法，包括以下步骤：以硒颗粒为原料，在衬底上生长硒薄膜；生长硒掺杂的碲化锑纳米片；得到层状硒化钨；将硒掺杂的碲化锑纳米片从衬底上转移至PDMS‑1上，将层状硒化钨从胶带上转移至PDMS‑2上；在柔性PI衬底上利用金制备反射层，在反射层上生长氧化铝层；在氧化铝层上制备图形化金电极；亲水性处理；将PDMS‑1上的硒掺杂的碲化锑纳米片与PDMS‑2上的层状硒化钨依次转移至柔性PI衬底上，得到柔性碲化锑光电异质结器件。
一种波段适用掺杂碲化锑光电异质结器件制备方法

[发明专利]一种多孔碳包覆碲化锑纳米片的制备方法及其作为金属离子电池负极材料的应用-CN201811567929.7有效
发明人：张朝峰;张无迪;张大伟;邱立峰;饶娟;丘德立;陈东 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔碳包覆碲化锑纳米片的制备方法及其作为金属离子电池负极材料的应用，其特点在于：首先通过水热法获得碲化锑纳米片，然后采用液相反应技术在碲化锑纳米片外包裹间苯二酚‑甲醛树脂，最后通过高温碳化使间苯二酚‑甲醛树脂转化为多孔碳，即获得多孔碳包覆碲化锑纳米片。
一种多孔碳包覆碲化锑纳米制备方法及其作为金属离子电池负极材料应用

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