专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低电压双块晶体电光Q开关-CN202110783480.3有效
  • 商继芳;孙军;杨金凤;周娅玲;郝好山 - 河南工程学院
  • 2021-07-12 - 2023-01-24 - H01S3/115
  • 本发明提供了一种低电压双块晶体电光Q开关,属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由两块铌酸锂或者钽酸锂晶体按照特殊的设计切型和设计晶轴取向制成的一种电光Q开关器件,用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。通过优化设计开关构型,本发明解决了现有技术存在的半波电压高、消光比低、受两晶体温差及长度偏差影响大、对加工精度、温控精度、晶体质量要求苛刻等缺点,设计的双块晶体电光Q开关同时兼顾了半波电压低、温度范围宽、两晶体温差及长度偏差容许范围大、消光比更高等优点,更加有利于实际应用。
  • 一种电压晶体电光开关
  • [发明专利]一种低电压独立加压式电光Q开关-CN202110783349.7有效
  • 商继芳;孙军;杨金凤;周娅玲;郝好山 - 河南工程学院
  • 2021-07-12 - 2022-12-09 - H01S3/115
  • 本发明提供了一种低电压独立加压式电光Q开关,属于晶体材料在光电技术领域中的应用。本发明是由铌酸锂或者钽酸锂晶体按照一定的设计切型制成的一种电光Q开关器件,用于YAG激光器及其他激光器中作电光调Q使用。本发明的电光Q开关能够独立进行加压式电光调Q,既规避了传统加压式电光调Q需要额外使用偏振元件,进而导致的插入损耗大、激光器结构不够紧凑稳定的弊端,又保留了加压式工作对调Q驱动源要求低、Q开关寿命长等优点。同时,本发明的电光Q开关半波电压得到有效降低,器件更加容易制备。
  • 一种电压独立加压电光开关
  • [发明专利]一种MoS2-CN202110109811.5有效
  • 苏丽霞;陈家乐;郝好山;王远 - 河南工程学院
  • 2021-01-27 - 2022-09-23 - B01J27/24
  • 本发明提供了一种MoS2/ND/g‑C3N4复合材料及制备方法,步骤如下:(1)将纳米金刚石清洗干燥;(2)将三聚氰胺、硫脲、金属氯化物、纳米金刚石和钼酸铵融入无水乙醇中,50‑80℃下加热保温10‑24h,自然冷却至室温;(3)将步骤(2)得到的混合物研磨后装入管式炉中,煅烧后自然冷却至室温;(4)将步骤(3)产物溶于水中,磁力搅拌后过滤清洗,干燥得到MoS2/ND/g‑C3N4复合材料。本发明利用MoS2取代贵金属助催化剂,构筑MoS2/ND/g‑C3N4复合材料,在无贵金属做助催化剂时具有较好的光解水制氢活性。
  • 一种mosbasesub
  • [发明专利]一种杂化纳米金刚石的制备方法及其应用-CN202110109817.2有效
  • 苏丽霞;张鑫;许潇胤;郝好山;王振领 - 河南工程学院
  • 2021-01-27 - 2022-09-16 - B01J21/18
  • 本发明提供了一种杂化纳米金刚石的制备方法及其应用,步骤如下:(1)将纳米金刚石酸洗提纯;(2)将酸洗提纯后的纳米金刚石置于管式炉中,氩气气氛下加热煅烧,自然冷却至室温;(3)将步骤(2)管式炉气氛改为氢气,再次加热煅烧,自然冷却至室温得到杂化纳米金刚石。本发明通过结构优化,制备新颖高效的杂化纳米金刚石材料,使其具有较高的光催化活性,具有较大的研究意义。本发明制备的杂化纳米金刚石中的sp2碳的比例明显升高。与未处理的纳米金刚石相比,在模拟太阳光(AM1.5)辐照下,杂化纳米金刚石的光催化降解罗丹明B(RhB)活性明显提高。而且具有较好的循环稳定性。
  • 一种纳米金刚石制备方法及其应用
  • [发明专利]一种横向调制KDP型电光Q开关-CN202011598774.0有效
  • 商继芳;郝好山;杨金凤;陈铃;苏丽霞 - 河南工程学院
  • 2020-12-30 - 2022-03-18 - H01S3/115
  • 本发明提供了一种横向调制KDP型电光Q开关,其特征在于:将两块相同的KDP型晶体组合,所述KDP型晶体切型为,其中x、z代表KDP型晶体的各晶轴,l、b分别代表切割晶体的长度和宽度方向,角度θ的取值范围为,所述KDP型晶体的长度方向为通光方向、厚度方向为加电场方向。本发明电光Q开关的半波电压可调,开关形状和电极均易制备,电场更加均匀,因而消光比更高,并且本发明电光Q开关的自然双折射及其受温度的影响更小,对匹配用两晶体的长度偏差、温度偏差等要求更低,容许范围更大,更加实用。
  • 一种横向调制kdp电光开关
  • [发明专利]一种近零膨胀系数镁橄榄石-锂霞石复合陶瓷材料-CN201711266246.3有效
  • 赵利敏;郝好山;程永光;王娇;刘少辉 - 河南工程学院
  • 2017-12-05 - 2021-04-09 - C04B35/20
  • 本发明提供了一种近零膨胀系数镁橄榄石‑锂霞石复合陶瓷材料,在室温‑600oC范围内使用的零膨胀材料,以镁橄榄石、镁砂、二氧化硅,氧化铝和碳酸锂为原料,首先将镁橄榄石在烧结,得到镁橄榄石熟料,采用高温固态烧结法方法制备的锂霞石,混合二氧化硅、氧化铝和碳酸锂之后在预烧,得到锂霞石负膨胀材料;然后将合成的镁橄榄石、镁砂混合,将镁橄榄石、镁砂的混合粉体与和锂霞石粉料按比例进行配料,并将粉料倒入球磨罐中球磨,出料烘干后,进行造粒、排胶、烧结得到镁橄榄石‑锂霞石复合陶瓷材料。该方法制备的镁橄榄石‑锂霞石复合材料在室温‑600oC范围内材料膨胀系数为零,该方法过程简单,成本低廉,适合大规模生产。
  • 一种膨胀系数橄榄石霞石复合陶瓷材料
  • [发明专利]一种判别铌酸锂晶体X轴正负向的方法-CN202011602775.8在审
  • 商继芳;郝好山;杨金凤;陈铃;苏丽霞 - 河南工程学院
  • 2020-12-30 - 2021-04-06 - G01N21/45
  • 本发明提供了一种判别铌酸锂晶体X轴正负向的方法,步骤如下:(1)首先利用压电法标定出待测铌酸锂晶体Z轴的正负,然后对Z面进行粗略抛光;(2)将待测铌酸锂晶体置于锥光干涉光路中,待测铌酸锂晶体的X轴和Y轴分别沿水平和竖直方向,使激光沿晶体Z轴正向或负向入射;(3)在晶体X轴方向施加直流电压,沿着光的传播方向观察光屏上的锥光干涉图样,根据椭圆干涉环长轴所在象限判断X轴正负向。本发明基于晶体的电光效应,利用加电后的锥光干涉图样对铌酸锂晶体X轴正负向进行检测,测试过程不会损伤晶体,可以在器件制备完成后进一步应用前再进行检测,无需在加工过程中做标记,有利于提高加工效率。
  • 一种判别铌酸锂晶体正负方法

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