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[发明专利]沟槽栅MOSFET的制造方法-CN201310297866.9有效
发明人：丛茂杰;陈正嵘;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法，在对硬掩膜进行硬掩膜沟槽光刻、刻蚀时，形成的栅区硬掩膜沟槽的宽度大于源区硬掩膜沟槽的宽度的1.5倍，淀积的金属下介质膜的膜厚小于栅区硬掩膜沟槽的宽度的一半并且大于源区硬掩膜沟槽的宽度的一半本发明的沟槽栅MOSFET制造方法，通过使栅区硬掩膜沟槽的宽度同金属下介质膜的膜厚相匹配，在对多晶硅进行全面刻蚀后，在栅区沟槽中的多晶硅的上方自然形成适当宽度的栅极接触孔，使栅极接触孔刻蚀实现自对准，省掉了多晶硅光刻
沟槽 mosfet 制造方法

[发明专利]磁传感器的形成方法-CN201410006628.2有效
发明人：熊磊;奚裴;张振兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种磁传感器的形成方法，在氮化钽薄膜表面形成硬掩膜薄膜，在所述硬掩膜薄膜表面形成图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，在所述沟槽的侧壁对应位置形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜由于对硬掩膜薄膜进行各向同性的干法刻蚀，能够有效地去除未形成磁传感器的沟槽另一侧侧壁的硬掩膜薄膜；同时由于各向同性的干法刻蚀不会导致阴影效应，因此最终形成的氮化钽层和磁阻层的尺寸容易控制，使得形成的磁传感器的尺寸容易控制
传感器形成方法

[发明专利]一种双大马士革结构的制备方法-CN201210337282.5有效
发明人：王新鹏;胡敏达;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种双大马士革结构的制备方法，包括提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成蚀刻停止层，介电层、硬掩膜叠层、金属硬掩膜层；蚀刻所述金属硬掩膜层、所述硬掩膜叠层形成锥形开口；在所述金属掩膜层上形成图案化的通孔掩膜层本发明中为了在填充通孔时获得更好的效果，首先在金属硬掩膜以及氧化物硬掩膜层、低K材料硬掩膜层上形成锥形的开口，以获得顶部较大的开口，利用所述锥形开口填充通孔，能获得更好的填充效果，克服了现有技术中容易出现空洞和空隙的问题
一种大马士革结构制备方法

[发明专利]硬涂膜及具有硬涂膜的柔性显示器-CN201710358996.7有效
发明人：李升佑 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硬涂膜及具有该硬涂膜的柔性显示器，该硬涂膜包括基底、形成在基底的一个表面上的第一硬涂层、和形成在基底的另一表面上的第二硬涂层，其中第一硬涂层包含伸长率为50至350％的低聚物的交联聚合物，第二硬涂层包含伸长率为0.1至50％的低聚物的交联聚合物，第一硬涂层的交联密度小于第二硬涂层的交联密度。本发明的硬涂膜具有优异的耐冲击性和卷曲性，并且还具有优异的耐弯曲性。
硬涂膜具有柔性显示器

[实用新型]简易硬脊膜牵开器-CN202020631222.4有效
发明人：苏新文 -专利权人：苏新文
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： A61B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了简易硬脊膜牵开器，包括U形弹性钢丝，所述U形弹性钢丝的两端均设置有硬膜固定夹。本方案采用U形弹性钢丝以及安装的硬膜固定夹实现硬膜的固定和牵拉，使用时操作简单快速，同时可消毒后重复使用。
简易硬脊膜牵开器

[发明专利]硬涂膜及具有该硬涂膜的图像显示装置-CN201710777063.1在审
发明人：李升祐;姜敏憼;金东辉 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硬涂膜，其中在衬底膜的一侧层叠第一硬涂层和第二硬涂层，其中，当所述第一硬涂层和所述第二硬涂层的卷曲值分别为A和B时AB<0。根据本发明的硬涂膜能够使卷曲的发生最小化，同时具有优异的耐弯曲性和耐擦伤性。
硬涂膜具有图像显示装置

[发明专利]复合型硬脑(脊)膜植入物及其制备方法和用途-CN201610884151.7有效
发明人：聂洪涛;张凯 -专利权人：北京邦塞科技有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： A61L27/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于植入硬脑(脊)膜缺损部位修复和再生硬脑(脊)膜组织的复合型硬脑(脊)膜植入物及其制备方法，该植入物第一多孔层作为骨传导支架促进骨组织形成，第二多孔层作为再生胶原的细胞支架促进硬脑(脊)膜的修复与再生，中间层防止脑脊液外溢。本发明的复合型硬脑(脊)膜植入物能有效促进硬脑(脊)膜的再生以及与骨的结合。
复合型植入及其制备方法用途

[发明专利]集成电路的制造方法-CN200910246511.0有效
发明人：蔡方文;叶明熙;王明俊;林舜武;陈启群;魏正泉;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成此硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程处理硬掩膜层的未被保护的部分，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。
集成电路制造方法

[发明专利]缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法、终端和存储介质-CN202011415076.2有效
发明人：徐然;熊伟;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11536 文献下载
摘要：本发明公开了一种缩小嵌入式闪存控制栅多晶硅刻蚀关键尺寸的方法，包括：在控制栅多晶硅上沉积硬掩膜；在硬掩膜上旋涂光刻胶，通过第一光罩曝光形成第一光刻图形，将第一光刻图形转移到硬掩膜,并去除光刻胶；在硬掩膜上旋涂光刻胶，使光刻胶和硬掩膜在Z字形控制栅多晶硅直边两侧竖直方向形成不同的错层结构，通过第二光罩曝光形成第二光刻图形，将第二光刻图形与硬掩膜交叠图形转移到控制栅多晶硅；去除光刻胶及硬掩膜，获得控制栅多晶硅刻蚀图形
缩小嵌入式闪存控制多晶刻蚀关键尺寸方法终端存储介质

[发明专利]光掩模坯料的制造方法-CN201810284727.5在审
发明人：木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料的制造方法，其能够减少由于清洗工序等而发生的硬掩模膜上的穿透型针孔缺陷的发生风险。本发明是一种光掩模坯料的制造方法，所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜，并在图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：在形成硬掩模膜时，利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除薄膜上的异物的工序来形成膜厚T的硬掩模膜，所述薄膜具有比前述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。
硬掩模膜膜厚光掩模坯料薄膜图案形成制造成长工序曝光光线清洗工序针孔缺陷穿透型异物基板去除清洗重复

[发明专利]硬涂组合物和使用了该硬涂组合物的硬涂膜-CN201610556668.3在审
发明人：李昇祐;金恩瑛;洪承模 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C09D4/06 文献下载
摘要：本发明涉及硬涂组合物和使用了该硬涂组合物的硬涂膜，提供了一种包含苯并三唑系共聚物、具有环己基的多官能氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、具有乙二醇基的多官能(甲基)丙烯酸酯、光引发剂和溶剂的硬涂组合物；使用该硬涂组合物形成的硬涂膜；和具备上述硬涂膜的图像显示装置。本发明的硬涂膜显示出紫外线屏蔽效果，并且硬度高、耐擦伤性优异，同时密合性、卷曲和裂纹特性优异。
组合使用硬涂膜

[发明专利]选择性电镀三维表面以产生装饰性和功能性效果-CN201980072892.7有效
发明人： P·A·布雷;M·V·赫伯特;K·P·帕森斯;P·A·沃里克 -专利权人：麦克德米德乐思公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：a)提供在其第一表面上具有硬涂覆层的未固化聚碳酸酯膜的膜；b)通过将催化剂以期望的图案沉积在聚碳酸酯膜的第一表面上来选择性催化该聚碳酸酯膜；c)热成形聚碳酸酯膜以形成三维聚碳酸酯膜；d)通过用紫外线照射硬涂覆聚碳酸酯膜来对该膜进行紫外线固化；e)模制硬涂覆聚碳酸酯膜以制备包括该硬涂覆聚碳酸酯膜的三维模制部件；f)活化该选择性催化的硬涂覆聚碳酸酯膜；以及g)在硬涂覆聚碳酸酯膜的催化部分上电镀金属层，其中电镀金属仅沉积在该硬涂覆聚碳酸酯膜的催化部分上。
选择性电镀三维表面产生装饰性功能效果

[实用新型]剥离子-CN202222736555.5有效
发明人：郭鹏;汪阳;郭志利;王春光 -专利权人：首都医科大学附属北京朝阳医院
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： A61B17/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种剥离子，包括相连接的手持部和剥离部，所述剥离部在其厚度方向上具有相对设置的一支撑面和一接触面，所述支撑面用于撑起已剥离的硬脑膜或硬脊膜，所述接触面用于与内部组织接触，所述支撑面上开设有凹槽本实用新型能在剥离部将脑硬膜与脑组织或将硬脊膜与脊髓剥离后，通过支撑面将硬脑膜或硬脊膜撑起，便能通过尖刀沿着凹槽将硬脑膜或硬脊膜切开，该操作过程中，不仅能使硬脑膜和硬脊膜更易切割，且尖刀不会接触到接触面所接触的脑组织或脊髓等内部组织
离子

[发明专利]一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡（ITO）膜的方法-CN202210661337.1在审
发明人：郑小睿;尚鸿鹏;郭一君;顾洪成;顾忠泽 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用金属硬掩膜的刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，包括以下步骤：在ITO玻璃的ITO膜上形成图案化金属硬掩膜层；对ITO膜进行干法刻蚀；去除金属硬掩膜层。本发明的使用金属硬掩膜的干法刻蚀氧化铟锡(ITO)膜的方法，能够改善刻蚀的精度并明显改善ITO边缘高精度的刻蚀效果，满足后续光刻工艺中套刻对准的要求。
一种使用金属硬掩膜刻蚀氧化 ito 方法

[发明专利]增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法-CN201910794589.X在审
发明人：张彦伟 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本申请公开了一种增大多晶硅栅极硬掩膜去除工艺窗口的方法，包括：提供一半导体衬底，通过预定工艺形成MOSFET器件结构；进行PMOS侧墙形成、P型注入和热退火工艺；沉积锗硅硬掩膜层；利用锗硅光罩通过光刻曝光，打开生长锗硅硬掩膜层的PMOS区域和多晶硅栅极顶部区域；蚀刻锗硅硬掩膜层，在PMOS源漏区域形成U型沟槽，同时刻蚀掉多晶硅栅极顶部的部分锗硅硬掩膜层；将U型沟槽蚀刻成Sigma型沟槽；沉积锗硅；去除多晶硅栅极顶部和侧壁的栅极硬掩膜层通过打开多晶硅顶部，增大锗硅工艺中硬掩膜层去除工艺窗口，避免多晶硅栅极顶部硬掩膜层残留的缺陷。
硬掩膜层多晶硅栅极锗硅去除蚀刻工艺窗口侧墙沉积顶部区域光刻曝光生长锗硅源漏区域锗硅工艺多晶硅热退火硬掩膜侧壁衬底光罩半导体残留生长申请