[发明专利]光掩模坯料的制造方法在审

申请号：	201810284727.5	申请日：	2018-04-02
公开（公告）号：	CN108693699A	公开（公告）日：	2018-10-23
发明（设计）人：	木下隆裕	申请（专利权）人：	信越化学工业株式会社
主分类号：	G03F1/76	分类号：	G03F1/76;G03F1/72;G03F1/80
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	李英艳;张永康
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种光掩模坯料的制造方法，其能够减少由于清洗工序等而发生的硬掩模膜上的穿透型针孔缺陷的发生风险。本发明是一种光掩模坯料的制造方法，所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜，并在图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：在形成硬掩模膜时，利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除薄膜上的异物的工序来形成膜厚T的硬掩模膜，所述薄膜具有比前述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。
搜索关键词：	硬掩模膜膜厚光掩模坯料薄膜图案形成制造成长工序曝光光线清洗工序针孔缺陷穿透型异物基板去除清洗重复
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【主权项】：

1.一种光掩模坯料的制造方法，所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜，并在所述图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：在形成所述硬掩模膜时，利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除所述薄膜上的异物的工序来形成所述膜厚T的硬掩模膜，所述薄膜具有比所述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。

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摘要：一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。

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摘要：本发明公开一种掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。所述掩膜板包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。本发明提供的掩膜板用于制作膜层。

光掩模坯料的制造方法-201810284727.5
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申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/76
摘要：本发明提供一种光掩模坯料的制造方法，其能够减少由于清洗工序等而发生的硬掩模膜上的穿透型针孔缺陷的发生风险。本发明是一种光掩模坯料的制造方法，所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜，并在图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：在形成硬掩模膜时，利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除薄膜上的异物的工序来形成膜厚T的硬掩模膜，所述薄膜具有比前述硬掩模膜的膜厚T更小的膜厚。

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摘要：本实用新型提供了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括若干主掩膜图形和若干辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形设置在相邻的主掩膜图形之间。采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。

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摘要：本公开涉及一种掩模。该掩模经设计用于图案化一表面上的有机发光材料。该掩模包含一基板，该基板具有一第一表面与一第二表面，该第一表面与该第二表面相对。该掩模另包含多个孔洞延伸穿过该基板，具有不大于150um的一间隔，并且每一孔洞于该第一表面具有一第一出口以及于该第二表面具有一第二出口。其中该多个孔洞至少其中之一具有一最小尺寸，该最小尺寸不大于约15um。

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摘要：本发明提供一种掩膜板及彩色滤光片的制作方法。本发明的掩膜板用于制作彩色滤光片，具有图案区域，所述图案区域为半透光区域，且所述图案区域的透光率由掩膜板的四周边界处向中心处递减，从而使通过掩膜板的照射能量由四周边界处向中心处递减，使用该掩膜板制作彩色滤光片，能够有效改善现有技术中因掩膜板自重向下弯曲而造成其图形拉伸不均一进而导致彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题，得到线宽均匀的图案。本发明的彩色滤光片的制作方法采用上述的掩膜板，能够得到线宽均匀的图案，有效改善大尺寸显示产品中彩色滤光片上图形尺寸大小不均一的问题。 1

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摘要：本发明实施例提供一种薄膜图案化的方法，涉及显示技术领域，能够解决制作线宽较小的薄膜层图案时，由于掩膜版开口区域较小，使得曝光不足，而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜层和光刻胶；通过掩膜版对光刻胶进行第一次曝光，形成第一半固化区，第一半固化区光刻胶的曝光的能量小于光刻胶的感光阈值；通过掩膜版对光刻胶进行第二次曝光，在第一半固化区上形成固化区；其中，固化区的宽度小于第一半固化区的宽度，固化区光刻胶的曝光的能量大于等于光刻胶的感光阈值；将光刻胶进行显影；对未被光刻胶覆盖的薄膜层刻蚀；将固化区的光刻胶剥离。 1

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摘要：本发明公开了一种掩模板制作的优化设计方法，适用于掩模板曝光工序，曝光设备根据数据图形、光束数量及光束扫描宽度进行X/Y方向划分，计算出相应的曝光条数，获取相邻曝光条数重叠区域的位置以及重叠区域所对应的数据图形；根据重叠区域所对应的数据图形再次设计增加数据图案，以再次设计增加的数据图案消弱或反补重叠区域的二次曝光能量。本发明针对重叠区域的数据图形再次设计数据图案，该数据图案可以消弱或反补二次曝光对重叠区域的数据图形造成的能量损失，从而可以提高重叠区域线条精度。

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摘要：本发明提供一种光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及装置。在光掩模的制造方法中，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据的转印用图案，所述光掩模的制造方法包括以下工序将在第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；描画工序，对光掩模基板进行描画；以及使用将抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案对薄膜进行图案形成，在描画工序中，准备表示描画装置对光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据、和表示光掩模基板的第2主面形状的背面数据，将起因于描画装置固有数据及背面数据的坐标偏差合成量反映在设计描画数据中，在光掩模基板上描画转印用图案。

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摘要：本发明公开了一种阵列基板、掩膜板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术，该掩膜板包括网格图案以及设置在所述网格图案上的透过窗图案，网格图案的网格间掩膜框架的宽度与透过窗图案的厚度，允许阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，这样，在进行阴极沉积时，阴极材料蒸汽在透过窗图案以外的区域实现沉积，即可实现阴极图案的制造，简化了阵列基板中阴极图案的制造工艺，同时，可以使用铝、镁、银等传统的阴极材料制作阴极。

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摘要：一种柔性版计算机直接制版用的烧蚀黑膜及其制备方法。其特点是烧蚀黑膜含有至少一种纳米炭黑颗粒、一种红外激光烧蚀染料、两种聚合物粘合剂，第一种聚合物粘合剂聚酰胺和第二种聚合物粘合剂单异腈酸酯改性的聚醚型聚氨酯化合物、一种结构式为R1—X—(CH2CH2O)p-(CHCH3CH2O)q-R2的超级分散剂。由此制得的激光烧蚀黑膜层感度高，成膜性好，不易褶皱。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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