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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硬涂膜和使用该硬涂膜的包括触摸传感器的柔性显示窗-CN201710604185.0在审
发明人：林巨山;金圣敏;崔汉永 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C09D4/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硬涂膜和使用该硬涂膜的包括触摸传感器的柔性显示窗，其中硬涂膜用作包括触摸传感器的柔性显示窗的膜，特别地，本发明涉及一种表面电阻为5E+11Ω/sq至5E+13Ω/sq的硬涂膜。
硬涂膜使用包括触摸传感器柔性显示

[发明专利]硬涂层膜及其制造方法-CN201180011095.1无效
发明人：浅井真人;森本幸朗 -专利权人：帝人杜邦薄膜日本有限公司
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及硬涂层膜，所述硬涂层膜在基材膜的至少一个面上具有硬涂层，其特征在于：上述硬涂层的表面的水接触角为78-90°，正十二烷的接触角为22°以下。上述硬涂层膜在用于手指输入式触摸屏时，耐指纹性优异；在作为电容式触摸屏的保护膜使用时，密合性优异，同时没有会扰乱光学检查的缺陷点，并优选具有高度的膜厚均匀性。
涂层及其制造方法

[发明专利]附有硬涂膜的基材-CN03138555.9无效
发明人：松田政幸;平井俊晴;小松通郎 -专利权人：触媒化成工业株式会社
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： C09D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及有硬涂膜的涂膜基材，该硬涂膜与基材的粘附性好、耐擦伤性、膜硬度等均优，且生产性等也得到提高。附有硬涂膜的基材由基材和基材上形成的硬涂膜组成，它具有下述特征：含有母料成分和五氧化锑(Sb2O5)粒子，该五氧化锑粒子的平均粒径在2－100nm的范围，硬涂膜中的五氧化锑粒子的含量在5－95重量％的范围
附有硬涂膜基材

[发明专利]背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法-CN202111408999.X在审
发明人：程器;彭翔 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，包括：步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版
背照式图像传感器深沟隔离制备方法

[发明专利]改善关键尺寸负载效应的方法-CN201310221342.1有效
发明人：秦伟;高慧慧;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善关键尺寸负载效应的方法，应用于多晶硅的硬掩膜刻蚀工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一具有多晶硅层的衬底，且该多晶硅层的上表面覆盖有硬掩膜层；在所述硬掩膜层上表面形成光阻图案，以该光阻图案为掩膜对所述硬掩膜层进行干法刻蚀，形成具有孤立区域和密集区域的硬掩膜图案；灰化去除光阻图案；采用各向同性的等离子体对所述孤立区域和所述密集区域同时进行刻蚀速率不同的干法刻蚀，以形成新硬掩膜图案，该新硬掩膜图案的孤立区域和密集区域的关键尺寸趋于一致
改善关键尺寸负载效应方法

[发明专利]双重图形化方法-CN201010568205.1有效
发明人：李凡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种双重图形化方法，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底上形成有硬掩膜层，所述压印模具具有第一图形，所述硬掩膜的材料为金属或金属化合物；使用所述压印模具对所述硬掩膜层进行压印，将所述第一图形转移至所述硬掩膜层；形成光刻胶层，覆盖所述压印后的硬掩膜层；对所述光刻胶层进行图形化，定义出第二图形；以所述图形化后的光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行刻蚀，将所述第二图形转移至所述硬掩膜层。
双重图形方法

[发明专利]半导体器件的栅极形成方法-CN200710044340.4有效
发明人：毛刚;王家佳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光致抗蚀剂图形；以所述光致抗蚀剂图形为掩膜刻蚀所述硬掩膜层形成定义栅极位置的硬掩膜图形；移除所述光致抗蚀剂图形；湿法刻蚀削减所述硬掩膜图形的线宽；以削减后的硬掩膜图形刻蚀所述多晶硅层形成栅极；移除所述硬掩膜图形。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]防反射硬涂膜及其制备方法-CN201910777756.X有效
发明人：安钟南;张太硕;高秉瑄;朴尽秀;尹浩哲 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开高新信息电子材料株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C08J7/044 文献下载
摘要：本发明提供一种硬涂膜，所述硬涂膜的基材上层叠有硬涂层、导电层及低折射率层，所述硬涂层的水接触角为90°以下，因此所述硬涂膜具有优异的硬度、卷曲抑制特性、防反射性能、防污性能及抗静电性能。
反射硬涂膜及其制备方法

[发明专利]防反射硬涂膜及其制备方法-CN201910780425.1有效
发明人：安钟南;张太硕;高秉瑄;朴尽秀;尹浩哲 -专利权人： SK新技术株式会社;爱思开高新信息电子材料株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明提供一种硬涂膜，所述硬涂膜的基材上层叠有硬涂层、高折射率层及低折射率层，所述硬涂层的水接触角为90°以下，因此所述硬涂膜的卷曲得到抑制，并且具有优异的硬度及防反射性能。
反射硬涂膜及其制备方法

[发明专利]硬涂膜和包括该硬涂膜的图像显示装置-CN201880031232.X在审
发明人：林巨山;姜敏憼;金承熙 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B32B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及硬涂膜及包括该硬涂膜的图像显示装置，该硬涂膜具有在基于聚酰亚胺的基板的至少一个表面上形成的硬涂层，该硬涂层包含硬涂层组合物的固化产物，其中，该硬涂层组合物包含用于使基于聚酰亚胺的树脂溶胀的溶剂，并且该硬涂膜被配置为使得当在400nm至800nm的范围内测量其反射率时，反射率振荡的最大振幅差控制在小于或等于0.5％，因此可以防止干涉图案。
硬涂膜硬涂层组合物聚酰亚胺反射率硬涂层图像显示装置干涉图案固化产物树脂溶胀最大振幅溶剂振荡基板测量配置

[发明专利]硬涂膜-CN200880117639.0有效
发明人：石川健太郎;挂札郁夫;松村伸一 -专利权人：索尼化学&信息部件株式会社
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：本发明提供高硬度、卷曲小的硬涂膜以及用于形成这种硬涂膜的硬涂层的电离射线聚合性树脂组合物。本发明的硬涂膜10具有树脂膜11和配置在树脂膜11的表面上的硬涂层15。硬涂层15由含有丙烯酸类成分、多分支丙烯酸酯树脂、硅氧烷成分和二氧化硅粒子的光聚合性组合物通过电离射线照射而固化所形成的固化物构成。
硬涂膜

[发明专利]降低外延层高度的方法-CN202211165437.1在审
发明人：周言庆;王玉新;丁佳;孙超 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种降低外延层高度的方法，提供衬底，在衬底上形成硬掩膜层，通过光刻、刻蚀形成贯通硬掩膜层及其下方部分衬底的凹槽，在衬底上形成填充凹槽的外延层；研磨外延层至硬掩膜层裸露；刻蚀外延层至所需高度；刻蚀去除硬掩膜层本发明的方法使得外延层表面与硬掩膜层底部齐平，降低了悬梁高度，保证帽层外延层正常生长。
降低外延高度方法

[发明专利]粘合膜-CN201680015902.X有效
发明人：藤本淳;鹫尾望;桥本岳人 -专利权人：理研科技株式会社
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： B32B27/34 文献下载
摘要：本发明的一实施方式为粘合膜，其从表层侧依次具有第1硬涂层、第2硬涂层、透明树脂膜的层和粘合剂层，第1硬涂层由不含无机粒子的涂料形成；第2硬涂层由包含无机粒子的涂料形成；所述粘合膜满足(i)全光线透射率为85％以上；(vii)第1硬涂层表面的铅笔硬度为5H以上的必要条件。本发明的另一实施方式为粘合膜，其从表层侧依次具有第1硬涂层、第2硬涂层、透明树脂膜的层和粘合剂层，第1硬涂层由不含无机粒子的涂料形成；第2硬涂层由包含无机粒子的涂料形成；所述粘合膜满足(i)全光线透射率为85％以上；(iv)第1硬涂层表面的水接触角为100度以上；(v)第1硬涂层表面的往复2万次棉擦拭后的水接触角为100度以上的必要条件。
粘合

[发明专利]硬掩膜层的图形结构的形成方法-CN202110723742.7在审
发明人：刘少雄;陆连;李全波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬掩膜层的图形结构的形成方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成替换材料层，替换材料层的材料选择刻蚀后侧面垂直度优于硬掩膜层的侧面垂直度的材料；步骤二、对替换材料层进行图形化刻蚀形成替换材料层条形和替换材料层条形之间的间隔区；步骤三、在替换材料层条形之间的间隔区填充硬掩膜层并组成硬掩膜层条形；步骤四、去除替换材料层条形。本发明能降低侧面角度难控制的硬掩膜层材料形成硬掩膜层条形的工艺难度并从而保证硬掩膜层条形的侧面垂直并提高器件的整体性能。
硬掩膜层图形结构形成方法

[发明专利]回蚀硬掩膜的方法及互连层结构的制作方法-CN201510173521.1在审
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请提供了一种回蚀硬掩膜的方法及互连层结构的制作方法。回蚀硬掩膜的方法中，硬掩膜设置于介质层上，硬掩膜上具有第一通孔，介质层上具有与第一通孔相对应的第二通孔，该方法包括以下步骤：在第二通孔中形成光刻胶层；沿第一通孔内壁向外回蚀硬掩膜，以在硬掩膜中形成第三通孔该方法先在位于硬掩膜下方的介质层内的通孔中形成光刻胶层，然后再对硬掩膜进行刻蚀，利用所形成的光刻胶层对通孔进行保护，从而避免了刻蚀液对硬掩膜底部的器件造成损伤，提高了芯片的稳定性。
回蚀硬掩膜方法互连结构制作方法

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