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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SiO2‑TiO2系玻璃的制造方法和由该玻璃构成的光掩模基板的制造方法-CN201380048244.0有效
发明人：吉成俊雄 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C03B8/04 文献下载
摘要：一种SiO2‑TiO2系玻璃的制造方法，其通过直接法在靶上制造SiO2‑TiO2系玻璃，其中，该制造方法包括坯锭成长工序，即将硅化合物和钛化合物供给至氢氧火焰中进行火焰水解，由此在靶上成长出规定长度的SiO2‑TiO2系玻璃坯锭，该坯锭成长工序具有第1工序，其中，随着SiO2‑TiO2系玻璃坯锭的成长而缓慢地增加钛化合物的供给量相对于硅化合物的供给量的比率直到达到规定的值；和第2工序，其中，在第1工序中比率达到规定的值后，在将比率保持在恒定的情况下使SiO2‑TiO2系玻璃坯锭成长。
sio2 tio2 玻璃制造方法构成光掩模基板

[发明专利]半导体晶体的制造方法和半导体发光元件-CN02804691.9有效
发明人：永井诚二;冨田一义;山崎史郎;手钱雄太;平松敏夫 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2002-02-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。
半导体晶体制造方法发光元件

[实用新型]具有多上炉室的晶柱成长装置-CN201020250277.7无效
发明人：王克尧;赖宏能;陆苏龙;林延璋;姜智元;颜宪瑞;周汉章;薄瑞斯 -专利权人：均豪精密工业股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种具有多上炉室的晶柱成长装置，该装置其包括：一底座、一下炉室、一升降回旋装置、及至少二上炉室。该上炉室是具有一拉晶机可执行晶柱成长工艺，且，当该上炉室完成晶柱成长工艺并等待晶柱冷却的同时，可使用另一上炉室以继续下一段晶柱成长工艺，是能够有效地利用等待晶柱冷却的时间，而提升晶柱成长装置的生产效率与能源使用效率
具有多上炉室成长装置

[发明专利]一种晶圆生产工艺-CN201410550980.2在审
发明人：华源兴 -专利权人：江苏凯旋涂装自动化工程有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆生产工艺，包括如下步骤：晶棒成长工序；晶棒裁切与检测；外径研磨；切片；圆边；研磨；蚀刻；去疵；抛光；清洗。本发明工艺过程简单，生产出的晶圆质量高，同时降低了生产成本，提高了产品良率。
一种生产工艺

[发明专利]硅锗外延层的制造方法-CN200610132096.2无效
发明人：江日舜;施泓林;唐力原;蒋天福;范铭棋;廖晋毅;简金城 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-10-24 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：此方法包括：先于第一条件下进行第一选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的1％～20％。然后，于第二条件下进行一第二选择性外延成长工艺，其进行时间占硅锗外延层总工艺时间的99％～80％。其中，第一条件与第二条件包括温度条件或压力条件，且第一选择性外延成长工艺与第二选择性成长工艺各自所使用的反应气体至少包括含硅气体与含锗气体。
外延制造方法

[发明专利]一种形成硅锗外延层的方法-CN202310178711.7在审
发明人：李东明 -专利权人：河北百展科技发展有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种形成硅锗外延层的方法，包括以下步骤：S1、将衬底清洗，吹干后，溅射过渡层，得到覆有过渡层衬底；S2、将所述过渡层衬底首先在700～800℃下进行第一选择性外延成长工艺，在450～500℃下进行第二选择性外延成长工艺，最后在150～200℃下进行第三选择性外延成长工艺；所述S1中过渡层的材料由石墨和/或碳纳米管组成。
一种形成外延方法

[发明专利]制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备-CN201410051132.7无效
发明人：韩尚宪;金南星;金东俊;司空坦;申东益;李焘英;李庭旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。
制造半导体发光器件方法以及化学沉积设备

[发明专利]p型SiC单晶的制造方法-CN201580048515.1在审
发明人：楠一彦;龟井一人;关和明;岸田豊;森口晃治;海藤宏志 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实施方式的制造方法具备生成工序(S1)、第1生长工序(S2)、恢复工序(S3)和第2生长工序(S4)。生成工序(S1)中，在坩埚内生成含有Si、Al和C的Si‑C溶液。第1生长工序(S2)中，将籽晶轴下降，使安装于籽晶轴的下端的SiC晶种与Si‑C溶液接触后，使Al掺杂的p型SiC单晶在SiC晶种上生长。恢复工序(S3)中，在第1生长工序(S2)后，提高Si‑C溶液的Al浓度。第2生长工序(S4)中，在恢复工序(S3)后，使Al掺杂的p型SiC单晶继续生长。
sic 制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201810104283.2有效
发明人：山下智也 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：[解决手段]一种氮化物半导体发光元件的制造方法，其包括在使发光层生长之前先使具有InGaN层和GaN层的n侧超晶格层生长的n侧超晶格层生长工序，n侧超晶格层生长工序包括：将包含使1个InGaN层生长的InGaN层生长工序和使1个GaN层生长的GaN层生长工序的工序反复进行n个循环，在n侧超晶格层生长工序中，使用包含N2气体且不含H2气体的载气进行第1个循环～第m个循环中的GaN层生长工序，并使用包含H2气体的气体作为载气来进行第(m+1)个循环～第n个循环中的GaN层生长工序。
氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]长工件的表面加工方法及其装置-CN01812590.5无效
发明人：梅村贡;仲田贵行 -专利权人：新东工业株式会社
申请日： 2001-07-09 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： B24B31/03 文献下载
摘要：提供一种不会引起环境问题，而且不会使长工件的机械性质降低的可对应直列化的长工件的表面加工方法。本发明是对长工件W进行表面加工的方法，其特征在于，包含：将长工件W通过2个以上的弹性循环皮带1用所需大小的力进行夹持的工序，和在使长工件W移动的同时，使弹性循环皮带1的转动速度比长工件的移动速度更快或者更慢，使弹性循环皮带1向与长工件的移动方向的相同方向或相反方向转动的工序，及在弹性循环皮带1之间投入粉粒体状的磨削材料S的工序，据此，使磨削材料S相对于上述长工件W进行相对的移动，摩擦长工件W，从而进行对长工件
工件表面加工方法及其装置

[发明专利]半导体生长-退火循环-CN202180031260.3在审
发明人：米泽田;D·拉勒延;王平 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括提供衬底，实施生长工序以形成由衬底支撑的半导体层，进行半导体层的退火，其中在比生长工序更高的温度下执行退火，和重复生长工序和退火。
半导体生长退火循环

[发明专利]光掩模坯料的制造方法-CN201810284727.5在审
发明人：木下隆裕 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料的制造方法，其能够减少由于清洗工序等而发生的硬掩模膜上的穿透型针孔缺陷的发生风险。本发明是一种光掩模坯料的制造方法，所述方法先在对曝光光线具有透明性的基板上形成图案形成膜，并在图案形成膜上形成膜厚T的硬掩模膜，所述方法的特征在于：在形成硬掩模膜时，利用重复2次以上的薄膜成长工序与通过清洗来去除薄膜上的异物的工序来形成膜厚
硬掩模膜膜厚光掩模坯料薄膜图案形成制造成长工序曝光光线清洗工序针孔缺陷穿透型异物基板去除清洗重复

[发明专利]碳化硅单晶锭的制造方法-CN201811514867.3有效
发明人：藤川阳平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止，在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序，在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加，使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高
碳化硅单晶锭制造方法

[发明专利]碳纳米管集合体的制造方法和制造装置-CN202280015370.5在审
发明人：涩谷明庆;川田敬一 -专利权人：日本瑞翁株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明的碳纳米管集合体的制造方法包含生长工序，在该生长工序中使碳纳米管集合体在表面具有催化剂的基材上生长，在所述生长工序中将以下工序中的至少一部分重叠地实施：原料气体供给工序，将所述基材层叠在用于进行生长工序的生长炉的下部来形成基材层，从排列在所述生长炉的下部的多个气体喷射口向所述基材层供给原料气体；以及生长炉内搅拌运送工序，对所述基材层机械地进行搅拌和/或运送。
纳米集合体制造方法装置

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680027058.2有效
发明人：关和明;龟井一人;楠一彦;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。
sic 制造方法

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