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[发明专利]一种光学镜片超硬膜层结构及摄像头-CN202210339909.4在审
发明人：沈福根;杜青 -专利权人：深圳市锐欧光学股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明提出了一种光学镜片超硬膜层结构及摄像头，一种光学镜片超硬膜层结构包括基材、防眩层、增透膜层和抗反射膜层，所述防眩层设置在所述基材上；所述增透膜层包括依次层叠交替设置在所述防眩层表面的低折射率膜层和加硬膜层，所述加硬膜层的折射率高于所述低折射率膜层，所述增透膜层与所述防眩层贴合的膜层为低折射率膜层；所述抗反射膜层设置在所述增透膜层上，所述抗反射膜层远离所述增透膜层的一面设置有多个凸起，多个所述凸起沿所述抗反射膜层的延伸方向上以预设距离间隔设置本发明的光学镜片超硬膜层结构针对现有的减反射膜表面硬度难以满足高端产品的需求的问题，提供一种光学镜片超硬膜层结构。
一种光学镜片超硬膜层结构摄像头

[发明专利]硬涂膜及其制造方法、以及图像显示装置-CN202180072077.8在审
发明人：小川纮平;片山敬介;后裕之;石黑文康;杉山智史 -专利权人：株式会社钟化
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B32B27/34 文献下载
摘要：硬涂膜(10)在基材薄膜(1)的至少一个面具备硬涂层(2)。基材薄膜为包含聚酰亚胺树脂的聚酰亚胺薄膜，硬涂层由光固性树脂组合物的固化物形成。硬涂层及聚酰亚胺薄膜各自含有紫外线吸收剂，由此硬涂膜的硬度高并且耐光性优异。硬涂膜可以应用于配置于图像显示面板的视觉辨识侧表面的表面保护材料等。
硬涂膜及其制造方法以及图像显示装置

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法-CN201710443581.X在审
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极通孔电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极通孔，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极通孔。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极通孔多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底制作

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法-CN201710447873.0在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻;张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极沟槽，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极线条。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底通孔制作线条

[发明专利]一种小尺寸磁性随机存储器的制作方法-CN201711404429.7在审
发明人：刘少鹏 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种小尺寸磁性随机存储器的制作方法，先在衬底上依次沉积MTJ堆栈、金属硬掩膜层和牺牲层；然后在牺牲层上刻蚀由上而下逐渐向内倾斜的开口，开口从牺牲层的顶部直到金属掩膜层，底部的宽度为预设要制作的MTJ单元的特征尺寸，在开口中填充第二硬掩膜层，并通过化学机械抛光第二硬掩膜层和牺牲层到预定的高度，对第二硬掩膜层和牺牲层进行刻蚀，同时做角圆滑处理，刻蚀出第二硬掩膜层圆柱体，并移除牺牲层，做出点阵图形；最后以第二硬掩膜层作为掩膜对金属掩膜层进行刻蚀，然后以金属硬掩膜层作为上电极，对MTJ进行刻蚀，完成制作。
牺牲层硬掩膜层刻蚀制作磁性随机存储器金属硬掩膜层金属掩膜层开口化学机械抛光尺寸点阵点阵图形圆滑处理光刻机电极衬底堆栈向内掩膜移除预设沉积填充生产成本

[发明专利]双沟槽隔离结构的形成方法-CN201110142058.6有效
发明人：高超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种双沟槽隔离结构的形成方法包括：提供包括衬底硅，掩埋绝缘层和顶层硅的SOI，在顶层硅上形成衬垫层，硬掩膜层和第一掩模层；以图案化第一掩膜层为掩模，刻蚀硬掩模层，衬垫层和顶层硅至暴露出掩埋绝缘层，形成第一开口；去除第一掩模层，在所述硬掩膜层上以及第一开口内形成牺牲层；去除部分牺牲层至暴露出硬掩膜层；在所述硬掩膜层以及牺牲层上形成图案化的第二掩膜层，以图案化的第二掩膜层为掩膜，刻蚀硬掩膜层至暴露出衬垫层形成第二开口，第二开口区域与第一开口区域部分重叠；刻蚀衬垫层以及部分顶层硅达到第二沟槽设定深度；去除所述第一掩模层，硬掩膜层以及牺牲层。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]光学膜和图像显示装置-CN201880062604.5有效
发明人：松下广树;小川善正;高坂洋介;佐藤纯;戎圭祐 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：根据本发明的一个方式，提供光学膜(10)，其是依次具备透光性基材(11)、硬涂层(12)和无机层(13)的光学膜(10)，其中，硬涂层(12)与无机层(13)接触，硬涂层(12)包含粘结剂树脂(12A)和无机颗粒(12B)，硬涂层(12)的膜厚为1μm以上，硬涂层(12)的压痕硬度为200MPa以上。
光学图像显示装置

[发明专利]提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法-CN201010518386.7有效
发明人：刘宪周;克里丝;张怡;彭树根 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，包括：提供半导体衬底；硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化硅膜；沟槽的制备，利用上述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；栅氧的制备与多晶硅填充；平坦化处理，通过化学抛光工艺去除硬掩膜及多晶硅本发明通过采用具有硬质氮化硅膜的硬掩膜作为沟槽的硬掩膜，并在源极离子注入后采用在氧气氛围下进行高温退火处理，同时在半导体衬底上采用低压淀积氧化硅工艺淀积介电层，不仅改善了栅氧的生长速度和形成厚度，同时提升了栅氧的可靠性
提高沟槽顶角可靠性方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010086807.7有效
发明人：林宗玮;吴昆哲;吴俊昇 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述制造方法包括在待蚀刻层的基底上形成至少一硬掩膜层与光刻胶，再利用一光掩膜进行曝光与显影，以使经图案化的光刻胶具有多个第一沟槽并露出硬掩膜层，其中每个第一沟槽的末端具有往端点逐渐缩小的宽度。以经图案化的所述光刻胶为蚀刻掩膜，去除露出的硬掩膜层，以使第一沟槽的图案转移至硬掩膜层，经图案化的硬掩膜层具有多个第二沟槽，且每个第二沟槽的末端也具有往端点逐渐缩小的宽度。然后在第二沟槽的内壁形成间隔物，移除硬掩膜层，并露出待蚀刻层。以所述间隔物为蚀刻掩膜，去除露出的待蚀刻层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、鳍式场效应管的形成方法-CN201210093167.8有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了半导体器件、鳍式场效应管的形成方法，其中一种半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底；形成覆盖所述半导体衬底表面的硬掩膜薄膜；形成位于所述硬掩膜薄膜表面的凸起的支撑部；形成位于所述支撑部侧壁的侧墙；去除所述支撑部，并以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜薄膜形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部。
半导体器件场效应形成方法

[发明专利]硬涂膜及透明导电性膜-CN201480064570.5有效
发明人：前田清成 -专利权人：东丽薄膜先端加工股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B32B27/20 文献下载
摘要：本发明要解决的课题是提供一种透明性高、且耐粘连性良好的硬涂膜。并且，上述课题的解决手段是一种硬涂膜，其是在基材膜的至少一面上具备第一硬涂层的硬涂膜，其特征在于，第一硬涂层含有多个粒子聚集而成的粒子聚集体，所述粒子的平均粒径(r：μm)小于0.5μm、且相对于第一硬涂层的厚度(d：μm)为0.5倍以下，由所述粒子聚集体形成的突出部以在每4μm见方的第一硬涂层表面内为1个以上的密度存在于第一硬涂层表面。
硬涂膜透明导电性

[发明专利]单体、包含所述单体的硬掩膜组成物、以及使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法-CN201380056460.X有效
发明人：朴惟廷;金惠廷;朴曜徹;尹龙云;李圣宰;李哲虎;赵娟振 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C07C49/792 文献下载
摘要：本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。由所述硬掩膜组成物形成的薄层具有对抗蚀刻气体的充分的耐蚀刻性且因而具有更低的蚀刻速率。
单体包含硬掩膜组成以及使用述硬掩膜形成图案方法

[发明专利]层状硬膜和介电材料及其方法-CN02814275.6无效
发明人： L·福雷斯特 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种镶嵌结构包括以液相形式涂布在线路介电层上的硬膜层。预期的硬膜层包含Si－N键并被致密化使得该镶嵌结构中的硬膜层的耐蚀性大于线路介电层的耐蚀性和通孔介电层的耐蚀性。特别优选的硬膜层包含聚全氢硅氮烷。
层状材料及其方法

[发明专利]硅通孔互连结构形成方法-CN200910198111.7有效
发明人：刘钊;朱虹;高关且;奚民伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种硅通孔互连结构形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层直至暴露出衬底；以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀设备刻蚀第一厚度的所述衬底；以刻蚀后的硬掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀设备刻蚀第二厚度的所述衬底，形成通孔；所述第一刻蚀设备与第二刻蚀设备在衬底边缘区域与衬底中心区域的均一性为互补关系。
硅通孔互连结构形成方法

[发明专利]硬涂剂和层叠膜-CN202110806095.6在审
发明人：七岛祐;泉达矢;樫尾干广 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及能够以良好的效率形成硬度高、耐擦伤性和耐弯曲性优异的硬涂层的硬涂剂、和具有使用该硬涂剂形成的硬涂层的层叠膜。一种具有基材层和硬涂层的层叠膜，其中，所述硬涂层是使用下述的硬涂剂而形成的，该层叠膜在按照JIS K5600‑5‑1进行芯轴弯曲试验时，为4mmΦ以下，（硬涂剂）：所述硬涂剂含有下述(A)成分、(B)成分和根据本发明，提供能够以良好的效率形成硬度高、且耐擦伤性和耐弯曲性优异的硬涂层的硬涂剂、和具有使用该硬涂剂形成的硬涂层的层叠膜。
硬涂剂层叠