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[实用新型]一种锗硅肖特基二极管-CN200520013604.6无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;唐九耀;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及锗硅肖特基二极管，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极这种结构的锗硅肖特基二极管由于其锗硅层只存在于氮化硅光刻窗口处，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。
一种锗硅肖特基二极管

[发明专利]硅基锗激光器及其制备方法-CN201310342715.0有效
发明人：刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。
硅基锗激光器及其制备方法

[发明专利]锗硅HBT器件及其制造方法-CN201110317251.9有效
发明人：刘冬华;胡君;段文婷;石晶;钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT器件，包括有锗硅基区外延层，所述锗硅基区外延层包括自上而下的覆盖层、锗硅层和缓冲层；所述覆盖层为n型掺杂的硅材料；所述锗硅层为锗硅材料，自上而下又分为三个部分，分别是第一n型掺杂部分、p型掺杂部分、第二n型掺杂部分；所述第一n型掺杂部分和p型掺杂部分之间的分界线作为EB结；所述p型掺杂部分和第二n型掺杂部分之间的分界线作为CB结；所述缓冲层为n型掺杂的硅材料。本发明还公开了制造所述锗硅HBT器件的方法。本发明能增加器件和工艺稳定性，改善面内的均匀性，减少原本为控制EB结位置的热过程(退火温度、时间)，可以精确控制锗硅HBT的EB结、CB结位置及两者的反向耐压。
锗硅 hbt 器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710800190.9在审
发明人：中山知士 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：沟槽提供在从锗生长保护膜的顶表面起但没有到达半导体衬底的主表面的锗生长保护膜、p型硅层和第一绝缘膜上。i型锗层和n型锗层被嵌入在沟槽中，籽晶层介于该层和沟槽之间，籽晶层由非晶硅、多晶硅或硅锗制成。i型锗层和n型锗层都没有从锗生长保护膜的顶表面突出，从而在n型锗层和锗生长保护膜上形成了具有基本均匀厚度的平坦的第二绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种锗硅电吸收调制器及其制作方法-CN202111517323.4在审
发明人：孙嘉良;刘雨菲;蔡艳;余明斌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗硅电吸收调制器及其制作方法，其中，锗硅电吸收调制器包括多晶硅层和硅衬底；N掺杂区，所述N掺杂区设置于所述多晶硅层中；P掺杂区，所述P掺杂区设置于所述硅衬底中，其中，所述硅衬底内部设置有第一二氧化硅层，所述P掺杂区位于第一二氧化硅层上表面；锗硅光子晶体波导，所述锗硅光子晶体波导垂直设置于N掺杂区和P掺杂区之间，所述锗硅光子晶体波导周围填充有第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层的下表面与硅衬底相连、上表面与多晶硅层相连本发明通过锗硅光子晶体波导的慢光效应增强材料对于光的吸收，从而提升器件性能。
一种锗硅电吸收调制器及其制作方法

[发明专利]检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法-CN201510456590.3在审
发明人：张红伟;周海峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，包括：步骤1，采用多晶硅氧化后锗硅外延法或者第二氮化硅间隔区后锗硅外延法在半导体硅衬底上生长锗硅外延层；步骤2，使用缺陷腐蚀剂腐蚀所述锗硅外延层，缺失缺陷部位的半导体硅衬底上会形成孔洞；步骤3，扫描所述锗硅外延层，评估锗硅外延层的生长质量并确定缺失缺陷部位的存在；步骤4，制备含有缺失缺陷部位的样品并通过透射电镜精确检测样品中缺失缺陷部位的位置。本发明可以在嵌入式锗硅外延开发和生产过程中及时发现工艺产生的缺陷，并进行具体有效的观察，有效解决现有技术中因半导体器件中存在缺失缺陷部位而导致器件良率下降的问题。
检测嵌入式外延缺失缺陷方法

[发明专利]具应变通道层的晶圆的制作方法-CN02147385.4有效
发明人：黄健朝;杨育佳;杨国男;林俊杰;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-10-21 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭露一种具应变通道层的晶圆的制作方法。首先，提供一具有一多孔硅层的第一基材，进行第一热处理以在多孔硅层表面形成一第一硅表面层。接着，磊晶成长一松弛的硅锗层于第一硅表面层上，在松弛的硅锗层上形成一接合层，再将接合层与一第二基材接合。移除多孔硅层及第一基材，并将接合层及松弛的硅锗层保留于第二基材上。进行第二热处理以在松弛的硅锗层表面上形成一第二硅表面层。最后，磊晶成长一磊晶硅层于第二硅表面层上。成长于松弛的硅锗层上的磊晶硅层将具有张力应变。
应变通道制作方法

[发明专利]锗硅肖特基二极管及其制作方法-CN200510050892.7无效
发明人：叶志镇;吴贵斌;赵星;刘国军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-07-28 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的二氧化硅层，在二氧化硅层窗口内有锗硅外延层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅外延层的上面，在二氧化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极制作步骤如下：先在硅衬底上热氧化二氧化硅层，并且光刻出窗口，然后采用超高真空化学气相沉积设备在窗口处生长锗硅外延层，再利用蒸发设备在锗硅外延层蒸镀金属镍，退火形成镍硅化合物层，并蒸镀铝电极和欧姆接触电极本发明的锗硅肖特基二极管由于其锗硅外延层只在二氧化硅光刻窗口处生长，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。
锗硅肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法-CN200910076424.5有效
发明人：郭磊;王敬;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2009-01-07 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫薄SiGe虚拟衬底的制备方法，所述方法包括以下步骤：准备硅衬底；利用低温减压外延在所述硅衬底上制备高锗含量、低表面粗糙度的未完全弛豫的薄锗硅层；用LPCVD或PECVD低温淀积一层二氧化硅覆盖在所述薄锗硅层上；进行高温快速热退火，使所述薄锗硅层完全弛豫；去掉氧化层，得到薄的表面粗糙度低的高质量高锗含量的弛豫锗硅材料层。本发明在半导体硅衬底上通过综合采用低温减压外延，低温淀积氧化层，快速热退火等工艺方法制备出一层高质量高锗含量表面粗糙度低的弛豫薄锗硅(SiGe)虚拟衬底，应用于未来CMOS工艺中各种沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上
一种弛豫薄 sige 虚拟衬底制备方法

[发明专利]热调整半导体器件中的应力-CN201310452511.2有效
发明人：让-皮埃尔·科林格;江国诚;张广兴;吴志强;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种热调整半导体器件中的应力的方法，其包括进行第一外延以在半导体衬底上生长硅锗层；进行第二外延以在硅锗层上生长硅层；以及进行第一氧化以氧化硅锗层，其中生成第一硅锗氧化区。执行应力释放操作以释放由第一硅锗氧化区引起的应力。在硅层的顶面和侧壁上形成栅极介电质。栅电极形成于栅极介电质上方。
调整半导体器件中的应力

[发明专利]一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法-CN201310630293.7在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种避免嵌入式锗硅顶部帽层受到蚀刻污染的方法，包括：提供形成有栅极结构的半导体衬底，在栅极结构的两侧形成有侧壁体，在侧壁体之间的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；对帽层进行氧化处理，在帽层的顶部形成氧化层；蚀刻去除侧壁体。根据本发明，形成嵌入式锗硅层及其顶部的帽层之后，蚀刻去除侧壁体的过程中，可以避免蚀刻产生的颗粒残留物对嵌入式锗硅层的危害以及蚀刻腐蚀液对嵌入式锗硅层及其顶部的帽层的损伤。
一种避免嵌入式顶部受到蚀刻污染方法

[发明专利]FD-SOI衬底结构及器件结构-CN202010404711.0在审
发明人：徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种FD‑SOI衬底结构及器件结构，FD‑SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及硅材料层。本发明的衬底结构采用顶锗硅层及硅材料层的堆栈结构，作为器件的沟道，该沟道不需要进行掺杂且厚度较薄，可以大幅降低源漏极之间的泄漏电流，另一方面，顶锗硅层可大幅提高空穴迁移率，进而提高器件性能。本发明的顶锗硅层上覆盖硅材料层，可以有效防止锗硅沟道表面形成溶于水的GeO2或易挥发的GeO，提高器件的稳定性。
fd soi 衬底结构器件

[发明专利]一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法-CN201010211457.9无效
发明人：魏星;王湘;杨建;张苗;王曦;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种绝缘体上锗硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于，采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底，在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中，该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层，从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本
一种绝缘体上锗硅应变材料制备方法

[发明专利]一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法-CN202310769779.2在审
发明人：王俊;许伊曼;刘瀚宇;李文浩;李翰林 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计
一种集成微波光子探测器及其探测方法

[发明专利]具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄SGOI晶片的制作方法-CN200480040518.2有效
发明人：陈华杰;斯蒂芬·W.·贝戴尔;德温得拉·K.·萨达纳;丹·M.·莫库塔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-01-16 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种形成绝缘体上硅锗(SGOI)结构的方法。硅锗层(104)被淀积(300)在SOI晶片(102，100)上。执行硅锗层和硅层的热混合(302)，以便形成具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的厚SGOI(106)。然后将硅锗层(110)减薄(306)到所希望的最终厚度。锗浓度、弛豫量、以及堆垛层错缺陷密度不被此减薄工艺改变。从而得到具有高弛豫和低堆垛层错缺陷密度的薄的SGOI膜。然后，硅层(112)被淀积在此薄的SGOI晶片上。用修整CMP、原位氢烘焙、以及应变硅淀积过程中的硅锗缓冲层、或利用氯化氢、DCS、以及锗烷的气体混合物在氢环境中对晶片进行加热，来整平HIPOX或蒸汽氧化减薄所引起的粗糙硅锗表面。
具有高弛豫堆垛缺陷密度 sgoi 晶片制作方法

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