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[发明专利]一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片-CN201611219563.5有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;李淼峰;杨奇;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成锗电阻温度传感器的硅基光子芯片，所述硅基光子芯片集成的锗电阻温度传感器制作在SOI晶圆上，所述硅基光子芯片上的锗电阻温度传感器设置在靠近待测硅基光波导的一侧，所述锗电阻温度传感器的电阻随着所述待测硅基光波导的温度变化而变化本发明利用锗材料，在硅基光子芯片中集成锗电阻温度传感器，该锗电阻温度传感器能够通过硅基光子芯片常规工艺实现，与硅基光子芯片的制作工艺兼容，能够大规模生产，大大降低了成本。
一种集成电阻温度传感器光子芯片

[发明专利]半导体红外探测器及其制备方法-CN202211314512.6在审
发明人：郑军;刘智;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体红外探测器，应用于半导体技术领域，包括：硅基衬底，硅基衬底上依次外延有p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层，该p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层在该硅基衬底上形成台面结构，该p型锗锡接触层和该硅基衬底上均设置有金属电极。
半导体红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

[发明专利]一种FDSOI的锗硅层的制作方法-CN202111053103.0在审
发明人：陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法，方法包括：提供SOI基片；在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层；形成覆盖锗硅层的硅盖帽层；在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物，以形成氧化物材料层；在锗硅层表面热氧化形成氧化层，锗硅层的厚度同时被减小，利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化，且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚；进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层；刻蚀去除氧化物材料层和氧化层本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升，还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算，同时还保证锗硅层的工艺质量，使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作，使半导体器件的性能得到改善。
一种 fdsoi 锗硅层制作方法

[发明专利]一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法-CN201611076208.7在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其步骤如下在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构；在硅槽中制作SiNx侧墙结构；在硅槽中制作SiO2侧墙结构；在硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长硅锗缓冲层；在硅锗缓冲层上生长高质量锗沟道层；在锗沟道层上制作栅介质与栅金属结构。
一种硅基锗沟道 mos 器件制作方法

[发明专利]硅基锗激光器及其制备方法-CN201310342715.0有效
发明人：刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。
硅基锗激光器及其制备方法

[发明专利]波导型锗基光电探测器及其制备方法-CN201910677507.3在审
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器及其制备方法，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端与传统波导型探测器相比，本发明通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备
波导型锗基光电探测器及其制备方法

[实用新型]波导型锗基光电探测器-CN201921180948.4有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端与传统波导型探测器相比，本实用新型通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备
光电探测器锗基分布式布拉格反射镜硅波导本实用新型波导型波导型探测器光吸收效率硅波导结构暗电流低电容第一端高响应探测器反射减小制备引入

[发明专利]实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法-CN201210115455.9有效
发明人：黎明;李敏;黄如;安霞;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。
实现 mos 器件有源之间隔离方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201610886290.3在审
发明人：王启光;赵金柱;翟立君;冯永波;肖志强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硅基鳍片；去除所述硅基鳍片用于形成源漏区的部分，保留用作沟道的部分；在去除用于形成源漏区的部分而露出的所述硅基鳍片的侧面上形成硅锗层；执行第一热处理工艺，以使所述硅锗层中的锗扩散进入所述硅基鳍片用作沟道的部分，从而形成硅锗基沟道。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池及其制备方法-CN200910244846.9无效
发明人：张建军;张丽平;倪牮;曹宇;王先宝;赵颖;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种本征层为微晶硅锗薄膜的硅基薄膜太阳电池，包括透明衬底、透明导电薄膜、P型窗口层、本征层I、N+层、背反射电极和金属电极，本征层I为微晶硅锗薄膜；该微晶硅锗薄膜的制备方法包括下述步骤：1)将带有透明导电膜的玻璃衬底放在真空室内，本底真空高于2×10-4Pa；2)在向反应室通入反应气体硅烷、锗烷、氟化锗和氢气的条件下，沉积微晶硅锗薄膜。本发明的有益效果是：该硅基薄膜电池结构新颖；制备的微晶硅锗薄膜材料具有窄带隙、低缺陷、高光敏性的优点且制备工艺简单、容易操作、制造成本低；采用该材料的硅基薄膜电池可提高光谱响应范围、稳定性和转化效率。
微晶硅锗薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法-CN200610119192.3有效
发明人：沈今楷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法，包括步骤：制备二氧化硅过饱和磷酸溶液；将硅衬底浸润到二氧化硅过饱和磷酸溶液中，二氧化硅在硅衬底表面析出形成二氧化硅颗粒；将硅离子或锗离子注入到二氧化硅颗粒中；退火形成硅/锗纳米晶粒。本发明的硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法，显著缩小了硅/锗纳米晶粒的尺寸，有效改善了纳米晶粒的尺寸均匀性，且提高了制备效率。
硅基硅纳米晶粒制备方法

[发明专利]一种硅基光收发器件及其制备方法-CN202011249399.9有效
发明人：冯大增;王奕琼;梁虹;武爱民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基光收发器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备锗调制器，包括：在所述SOI晶圆上定义调制器区域；在所述调制器区域形成第一锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成第一锗波导；对所述调制器区域进行掺杂处理；在所述调制器区域形成第一电极和第二电极；制备锗探测器和硅光波导；在所述锗调制器、所述锗探测器和所述硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基光收发器件及其制备方法，采用纯锗材料替代锗硅材料制作调制器，无需对锗硅材料中硅的成分严格控制，且只需要一步外延步骤，可以降低工艺成本。
一种硅基光收发器件及其制备方法

[发明专利]基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置-CN201510937427.9有效
发明人：王磊;肖希;陈代高;李淼峰;邱英 -专利权人：武汉邮电科学研究院
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置，涉及光通信器件领域。该装置包括绝缘衬底、光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器，光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器顺次相连，且均固定在绝缘衬底的硅晶圆上，入射的基模光信号通过单模光纤传输至光耦合器，经光耦合器耦合后的基模光信号进入片上模式变换器，片上模式变换器将基模光信号转换为多模光场，多模光场进入多模硅锗光电探测器，多模硅锗光电探测器将多模光场转化为电信号。本发明中的锗重掺区位于多模光场分布光强较弱的区域，锗重掺区和锗通孔对光场的吸收损耗明显降低，能够有效提高硅锗光电探测装置的响应度。
基于模式变换器光电探测装置

[发明专利]一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用-CN201810324711.2有效
发明人：张建军;王霆;张结印 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：本发明提供一种锗‑硅基砷化镓材料及其制备方法和应用，所述锗‑硅基砷化镓材料包括表面具有周期性凹槽结构的硅衬底、附着在所述硅衬底表面的锗中间层、以及附着在所述锗中间层表面的砷化镓层。本发明利用锗(113)晶面对砷化镓反相畴的抑制作用以及锗与砷化镓晶格匹配的特点消除硅与砷化镓由于晶格失配所产生的应力，从而在III‑V族分子束外延设备上实现高质量单晶且超薄的砷化镓在硅(100)衬底上的外延生长
一种硅基砷化镓材料及其制备方法应用

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