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[实用新型]一种节能的硅钡合金生产造球装置-CN201922228260.5有效
发明人：贾新;侯全强;田丰林 -专利权人：阿拉善盟星大铁合金有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅钡合金生产技术领域，公开了一种节能的硅钡合金生产造球装置，所述固定支架的一侧设置有圆盘体，所述圆盘体的一侧连接有收料组件，所述固定支架的一侧固定连接有输送架，所述输送架的侧表面固定安装有出料板，通过收料组件的使用，能够较为稳定、快速的将球状物料导入到输送带上，提高了工作效率，节省了大量的时间，为之后硅钡合金的生产带来了便捷性，通过回收组件的使用，当球状物料落入到筛板上时，在震动弹簧和震动连杆的作用下，能够使筛板频繁震动，从而有效的去除硅钡合金球状表面的粉尘杂质，之后粉尘箱能够进行收集，不仅能够回收利用，节约资源，而且还能够提高硅钡合金的生产质量，提高了工作人员的工作效率。
一种节能合金生产装置

[发明专利]冶炼煤矿用硅锰钢的新工艺-CN200910064377.2无效
发明人：李静敏 -专利权人：河南凤宝钢铁有限公司
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：一种冶炼煤矿用硅锰钢的新工艺发明属冶金行业中的炼钢技术领域。本发明适用于冶炼煤矿支架的液压缸和煤矿支柱用的钢管。本发明主要技术是：对加入转炉里的铁水和废钢中的铅、锡、砷、锑、铋含量加以限定；在电极加热的精炼炉中加入铝线、硅钙钡铝、碳化硅脱氧。
冶炼煤矿锰钢新工艺

[发明专利]硅锭铸造用层压坩埚及其制造方法-CN201180013797.3无效
发明人：胁田三郎;续桥浩司;池田洋;金井昌弘 -专利权人：三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：提供能够抑制氧向硅锭中溶解的硅锭铸造用层压坩埚及其制造方法。选择硅锭铸造用层压坩埚（1），该层压坩埚是用于熔解硅原料并进行铸造硅锭的硅锭铸造用层压坩埚，其特征在于，具备：设置在铸模（2）的内侧的二氧化硅层（3），和设置在二氧化硅层（3）的表面的钡涂布层（4）。
铸造层压坩埚及其制造方法

[发明专利]一种新型薄膜晶体管的制备方法-CN201811276567.6在审
发明人：杜文汉;杨景景;姚茵;白建会;郑敏;卞维柏;张信华 -专利权人：常州工学院
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型薄膜晶体管的制备方法，首先在单晶硅衬底上利用磁控溅射技术制备一层绝缘状态的锡酸钡薄膜作为栅极氧化物，然后再在绝缘锡酸钡薄膜上制备一层半导体特性的锡酸钡薄膜，最后再使用磁控溅射技术制备ITO透明导电电极以作为晶体管的源极和漏极，硅衬底作为栅极。通过控制锡酸钡的导电特性，分别利用绝缘性的锡酸钡作为栅极氧化层，利用半导体性的锡酸钡作为半导体激活层，成功避免了锡酸钡和硅晶格参数不匹配的问题，从而使用易于产业化的磁控溅射技术制备出锡酸钡薄膜晶体管。
锡酸钡制备磁控溅射技术晶体管薄膜新型薄膜透明导电电极单晶硅半导体特性薄膜晶体管栅极氧化层栅极氧化物半导体性导电特性层绝缘产业化硅衬底硅晶格激活层绝缘性再使用衬底漏极源极绝缘半导体匹配成功

[发明专利]p型多晶硅薄膜制备方法及其在钝化接触太阳电池中的应用-CN202010200814.5有效
发明人：廖明墩;叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;黄丹丹;卢琳娜;郑晶茗 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了p型多晶硅薄膜制备方法，主要是在硅片上依次制备氧化硅层‑非晶硅或多晶硅层‑金属铝层，形成多叠层结构薄膜，然后对根据工艺需要进行400‑1100℃高温退火，使铝在硅薄膜层中形成激活的杂质。本发明首先利用金属铝作为插入层，将其沉积于硼掺杂非晶硅或本征多晶硅表面，然后利用退火处理使铝在沉积层中扩散，特别是当形成多层叠层结构时，铝处于非晶硅或多晶硅夹层中，能够使扩散更加均匀，形成较好的掺杂，提供空穴，可以显著增加薄膜的载流子浓度，减低薄膜方阻，降低钝化介质/多晶硅与硅片之间的接触电阻率；此外，部分铝还可以扩散进入硅片，从而增强硅衬底的电阻率。由于铝的激活温度低、扩散速率高，可以减低处理温度和处理时间，显著降低工艺时间，节省成本。
多晶薄膜制备方法及其钝化接触太阳电池中的应用

[发明专利]用于合成己二胺关键中间体的硅铝磷分子筛催化剂的制备方法及该催化剂的应用-CN202010525822.7有效
发明人：王根林;许越;丁克鸿;徐林;王刚;王铖;陈耀坤;汪洋 -专利权人：江苏扬农化工集团有限公司;江苏瑞祥化工有限公司;宁夏瑞泰科技股份有限公司;江苏瑞恒新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B01J29/85 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于合成己二胺关键中间体的硅铝磷分子筛催化剂的制备方法及该催化剂的应用。该制备方法包括步骤S1，提供硅铝磷分子筛，硅铝磷分子筛中硅、铝和磷的摩尔比为1:0.01～1:0.1～2；步骤S2，将硅铝磷分子筛与粘结剂、水、胶溶剂进行混合成型、第二次干燥、第二次焙烧，得到用于合成己二胺关键中间体的硅铝磷分子筛催化剂上述采用具有特定硅铝磷摩尔比的硅铝磷分子筛和对硅铝磷分子筛的成型处理，使得用于合成己二胺关键中间体的硅铝磷分子筛催化剂具有高活性和稳定性。
用于合成己二胺关键中间体硅铝磷分子筛催化剂制备方法应用

[发明专利]一种微孔铝/铝硅合金板的制备方法-CN200910094397.4无效
发明人：左孝青;陆建生;周芸 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C22C1/08 文献下载
摘要：一种微孔铝/铝硅合金板的制备方法，属于多孔金属材料领域。本发明的工艺方法是，(1)铝/铝硅合金-铅液相混合，(2)铝/铝硅合金-铅混合液浇铸成锭坯，(3)铝/铝硅合金-铅锭坯轧制成板材，(4)铅熔除。本发明针对目前微孔铝/铝硅合金板制备中存在的制备困难、成本高、不能规模化生产的不足，采用铝-铅液相均匀混合-轧制-熔除铅的方法，获得结构可控的微孔铝/铝硅合金板，具有工艺简单、低成本、可实现工业化生产的特点
一种微孔合金制备方法

[发明专利]一种铝酸钠溶液脱硅的方法-CN201210483783.4有效
发明人：李旺兴;尹中林;杨志民 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C01F7/47 文献下载
摘要：一种铝酸钠溶液脱硅的方法，涉及一种综合利用粉煤灰进行铝酸钠溶液脱硅的方法。其特征在于采用粉煤灰作为脱硅晶种，加入铝酸钠溶液进行常压或中压脱硅，脱硅后的浆液经过固液分离；溶液进入下一步进行深度脱硅，深度脱硅分离出来的粉煤灰作为原料进行配料生产氧化铝。本发明的一种铝酸钠溶液的脱硅方法，不仅能有效地脱除铝酸钠溶液中的SiO2，而且氧化铝损失小，脱硅后的粉煤灰可直接返回作为生产氧化铝的原料。
一种铝酸钠溶液方法

[发明专利]一种疏水铝硅气凝胶隔热材料的制备方法-CN201910959352.2在审
发明人：王立东;桑希军;葛光员;沈亚东;路爱梅;吴华利;付忠奎 -专利权人：湖北三江航天红阳机电有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C04B30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水铝硅气凝胶隔热材料的制备方法，包括，将铝源和第一醇水溶液混合，搅拌，获得铝溶胶；将铝溶胶浸渍纤维针刺毡，搅拌的同时加入环氧丙烷，凝胶，获得铝凝胶体；将铝凝胶体在第一醇溶剂中陈化、超临界干燥、热处理，获得纤维铝气凝胶复合材料；将硅源和第二醇水溶液混合，加入催化剂，搅拌均匀，获得硅溶胶；将硅溶胶饱和浸渍纤维铝气凝胶复合材料，密封、凝胶，获得铝硅凝胶体复合材料；将铝硅凝胶体复合材料在第二醇溶剂中密封老化和溶质置换后，进行表面改性处理；将表面改性处理的铝硅凝胶体复合材料干燥，获得铝硅气凝胶隔热材料。采用本发明所制备的铝硅气凝胶隔热材料具有良好的疏水性能，扩大了铝硅气凝胶隔热材料的应用范围。
铝硅凝胶体气凝胶隔热材料复合材料气凝胶复合材料表面改性处理醇水溶液醇溶剂硅溶胶铝溶胶凝胶制备纤维浸渍超临界干燥纤维针刺毡热处理饱和浸渍环氧丙烷疏水性能中密封陈化硅源铝源溶质疏水催化剂密封置换老化应用

[发明专利]一种含硅铝物料的脱硅方法-CN201811124679.X在审
发明人：李小斌;周秋生;王洪阳;彭志宏;刘桂华;齐天贵 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C01F7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种含硅铝物料的脱硅方法，包括如下步骤：取铁氧化物、含硅铝物料和碳粉进行配矿、研磨后混合均匀，得到生料；其中，氧化铁、含硅铝物料中氧化铝、碳的摩尔比为2～2.4:4:1～1.2；将所得生料在1050～1200℃下焙烧30‑60min，得到熟料；将所得熟料研磨处理后加入氢氧化钠溶液中碱浸；将碱浸所得矿浆进行固液分离，得到含硅碱液和脱硅渣。本发明可使含硅铝物料中铝、硅实现高效分离，氧化硅脱除率高。工艺流程简单，成本低廉，不仅可实现高岭土、伊利石、页腊石等铝硅酸盐矿物的脱硅，还可使含硅铝物料选矿尾矿、煤矸石、粉煤灰以及高铁含硅铝物料等难处理的高硅含铝矿物脱硅，具有广阔的应用前景和良好的经济效益。
硅铝脱硅熟料碱浸生料高硅含铝矿物铝硅酸盐矿物氢氧化钠溶液焙烧高岭土高效分离固液分离含硅碱液铁氧化物选矿尾矿研磨处理粉煤灰煤矸石研磨工艺流程摩尔比脱除率脱硅渣氧化硅氧化铁伊利石氧化铝高铁矿浆腊石配矿碳粉应用

[发明专利]一种去除冶金级硅中硼的方法-CN201510282531.9有效
发明人：雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;李绍元;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除冶金级硅中硼的方法，属于电磁冶金技术领域。首先将含硼多晶硅和铝混合均匀得到混合物料，然后添加锆物料，进行定向凝固，定向凝固过程中析出的硅晶体富集相被电磁力富集到铝硅熔体的顶部或底部，相对应的反向为共晶铝硅合金；将得到的硅晶体富集相与共晶铝硅合金沿分界面切割分离，将硅晶体富集相磨成细粉，用混酸浸出去除硼和锆后获得高纯硅；将得到的共晶铝硅合金在氩气气氛下、温度为873K~1500K下保持1~100h，切除合金底部1~40mm那部分，剩余部分重新返回作为原始物料。该方法通过添加少量的锆以达到深度去除硅中硼的目的。
一种去除冶金级硅中硼方法

[发明专利]一种一次沉淀测定硅钙钡中钡含量的方法-CN201410750853.7无效
发明人：戴文杰;刘建华;常欢 -专利权人：内蒙古包钢钢联股份有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G01N5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种一次沉淀测定硅钙钡中钡含量的方法，其特征是：取硅钙钡合金试样，用硝酸、氢氟酸溶样，加入高氯酸加热至冒烟尽干，用盐酸溶解盐类，残渣处理后，加入硫酸进行一次沉淀，沉淀经过滤洗涤，灰化、灼烧后称量，计算出钡的含量。
一种一次沉淀测定硅钙钡中钡含量方法

[实用新型]一种大感量功率电感器-CN202221807022.5有效
发明人：马坤林;罗辉;兰英娘 -专利权人：厦门伊科电子有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01F17/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大感量功率电感器，包括PCB电路板，PCB电路板上固定有铁硅铝磁环组，铁硅铝磁环组对称设置于PCB电路板顶部端面的两侧，每组铁硅铝磁环组包括过个铁硅铝磁环，一组铁硅铝磁环组中的多个铁硅铝磁环相互贴合、且同轴设置，对称设置的两组铁硅铝磁环组缠绕设置有铜线，铜线依次、循环缠绕两组铁硅铝磁环组内侧多圈，本实用新型用多个磁环叠绕制作的电感器感量翻倍，可以达到更大的电感，铁硅铝磁环两两重合中间绕线铜线可以有效降低成品与体积
一种大感量功率电感器

[发明专利]一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法-CN201510812388.X有效
发明人：华鹏;周伟;昝祥;吴玉程 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法，具体步骤包括(1)采用铸造或者粉末冶金方法制备出铝硅材料，经搅拌摩擦加工处理获得硅颗粒细化、分布均匀的致密铝硅合金；(2)在铝硅合金上开钻均匀分布的盲孔，将硅粉末均匀填入孔中并压实，经过搅拌摩擦加工获得一定厚度的铝硅复合材料层；(3)重复步骤(2)，通过控制搅拌针尺寸、盲孔尺寸及间距，获得硅的质量百分比呈梯度分布的梯度铝硅合金。本发明通过搅拌摩擦加工的方法，获得成分呈现连续性梯度分布的铝硅合金，以使得铝硅合金在不同的位置具有不同的热导性、不同的热膨胀系数和不同的机械性能，以满足作为封装材料的需求。
一种梯度电子封装材料制备方法

[发明专利]一种合金化分凝提纯工业硅的方法-CN201110249734.X无效
发明人：谭毅;李亚琼;李佳艳;武深瑞 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本发明属于冶金法提纯工业硅的技术领域。一种合金化分凝提纯工业硅的方法，具体步骤如下:(1)酸洗除杂：采用无机酸溶液对工业硅粉进行酸洗除杂，清洗、过滤、干燥；(2)合金化熔炼：以酸洗后的硅粉和金属铝为原料，在一定温度下进行合金化熔炼，缓慢冷却到550℃，自然冷却到室温，破碎，得到铝硅合金粉；（3）分离硅：采用锌液溶解铝硅合金中的铝，分离得到铝锌熔体和固体硅粉；（4）锌铝分离：进行铝锌熔体的真空蒸馏分离，气相冷凝得到金属锌，铝液冷却得到铝锭；（5）硅提纯：固体硅粉采用无机酸溶液进行酸洗提纯后得到高纯硅。
一种合金化分提纯工业方法