专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种荧光稀土配合物改性纳米-乳液的制备方法-CN201310690028.8有效
  • 郭艳宏;邹明强;房世宇;张帆 - 哈尔滨工程大学
  • 2013-12-17 - 2014-03-19 - C09K11/02
  • 本发明提供的是一种荧光稀土配合物改性纳米-乳液的制备方法。1)改性纳米-乳液:①将正硅酸乙酯与改性剂、溶剂、催化剂超声混合均,滴加超水水制备改性部分水解纳米乳液;②将计算量的异丙醇溶于异丙醇滴加到计算量的水、催化剂、改性剂、溶剂经超声充分混合的溶液,得到改性纳米Al2O3乳液;③将步骤②所制改性纳米Al2O3乳液加入步骤①,蒸馏除去溶剂得到改性纳米-乳液;2)改性纳米-乳液表面修饰:用有机偶联剂修饰改性纳米-;3)荧光稀土配合物纳米-乳液的制备。制备过程简单,易操作,制备的荧光稀土配合物改性纳米-乳液,激发光波长330nm,发光波长612nm,发光强度98a.u.。
  • 一种荧光稀土配合改性纳米乳液制备方法
  • [发明专利]低温制造齐纳二极管工艺-CN201210034595.3有效
  • 何志;周炳;季安;刘晓萌 - 张家港意发功率半导体有限公司
  • 2012-02-16 - 2012-07-04 - H01L21/329
  • 本发明公开了一种低温制造齐纳二极管工艺,包括以下步骤:在N型重掺杂N+晶片的上面生长或沉积一层氧化硅;通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口,并刻蚀出和N+区的厚度一样的槽,清洗该槽上的光刻胶;在上述氧化硅层上面镀一层薄膜,并在该薄膜上生长一层非晶薄膜,其中在上述形成薄膜和非晶薄膜的复合层;在低温条件下退火条件下,使上述的非晶薄膜的Si原子扩散到上述薄膜,在上述的硅片表面上形成掺杂的P+单晶;清洗去除氧化硅层,残余的薄膜和非晶膜。
  • 低温制造齐纳二极管工艺

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