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[发明专利]一种梯度硅铝-碳化硅铝电子封装复合材料及其制备方法-CN201910704060.4有效
发明人：周莹桥;邢大伟 -专利权人：哈尔滨铸鼎工大新材料科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：一种梯度硅铝‑碳化硅铝电子封装复合材料及其制备方法，属于电子信息工业用的电子封装材料技术领域。所述复合材料具有层状结构，依次由硅铝层、碳化硅/硅铝层、碳化硅铝层组成；所述硅铝层中，硅的体积分数为15％～35％，铝的体积分数为65％～85％；所述碳化硅/硅铝层中，碳化硅的体积分数为15％～35％，硅的体积分数为15％～35％，铝的体积分数为30％～70％；所述碳化硅铝层中，碳化硅的体积分数为45％～65％，铝的体积分数为35％～55％。本发明将将硅铝合金和碳化硅铝两种电子封装材料结合在一起，能够发挥各自优势：发挥了硅铝合金可焊性极好的优势和高体积分数碳化硅铝合金高弹性模量、高热导率、低热膨胀系数的优势。
一种梯度碳化硅电子封装复合材料及其制备方法

[发明专利]一种金刚石铝-铝硅梯度材料及其制备方法-CN202310345485.7在审
发明人：王长瑞;郑玮巍;陈阳 -专利权人：南京瑞为新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石铝‑铝硅梯度材料及其制备方法，属于热管理材料技术领域。本发明中金刚石铝‑铝硅梯度材料由至少一层金刚石铝复合材料层及两层铝硅合金层复合而成；制备方法包括以下步骤：将金刚石粉末、铝粉进行机械混合并得到混合粉末；将两种不同铝硅壳体装配于模具中，在所述铝硅壳体与模具的配合面上设置浇口；取所述混合粉末使其从浇口处装入铝硅壳体与模具之间的型腔，并对载有混合粉末及铝硅壳体的模具进行振动；对载有混合粉末及铝硅壳体的模具放至扩散焊烧结炉进行烧结；烧结完毕后，得到金刚石铝‑铝硅梯度材料；本发明实现金刚石颗粒/金刚石铝基复合材料成形的同时，也实现金刚石/铝复合材料与铝硅材料扩散焊接。
一种金刚石梯度材料及其制备方法

[发明专利]一种[碳纤维网-富硅/贫硅]层状铝基复合相变储能材料及其制备装置和方法-CN201910601038.7有效
发明人：邹清川;安希忠;付海涛;张浩;杨晓红 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C22C47/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种[碳纤维网‑富硅/贫硅]层状铝基复合相变储能材料及其制备装置和方法。其材料的外层是以碳纤维网增强高硅铝合金作为支撑外壳和内层是铝硅共晶合金的作为相变储能材料，其中外层碳纤维网增强高硅铝合金中硅的质量分数为80％～90％，铝的质量分数为20％～10％；内层铝硅共晶合金中硅的质量分数为12.6％，铝的质量分数为87.4％。本发明所制备的[碳纤维网‑富硅/贫硅]层状铝基复合相变储能材料表现出优异的热循环结构稳定性，从根本上解决储能材料与盛装容器的腐蚀性问题。在热循环相变储能过程中，外层的碳纤维网‑富硅层可作为外壳来支撑内部共晶铝硅相变储能合金，从而省略了铁基封装容器直接用于中高温相变蓄热装置。
一种碳纤维贫硅层状复合相变材料及其制备装置方法

[发明专利]一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法-CN201110451756.4有效
发明人：谭毅;李亚琼;李佳艳;李超超;武深瑞;刘瑶 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C25C3/06 文献下载
摘要：本发明属于硅和铝提纯的技术领域。一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法，具体步骤如下:(1)合金精炼提纯：采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼，去除冶金硅中的杂质硼，从而得到铝硅合金；(2)电解分离：铝硅合金作为阳极，不锈钢作为阴极，低温熔盐作为电解液，进行恒电流电解，阳极富集的阳极泥为多晶硅，阴极富集铝；（3）后处理：将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥，获得低硼的多晶硅，将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。本发明有效去除冶金硅中的杂质硼，其提纯效果好，环保效益高。铝的回收利用率达到93%以上，纯度达到99.999%以上。
一种高纯电化学精炼提纯方法

[发明专利]一种高活性无定形硅铝、以其为载体的加氢裂化催化剂以及它们的制备方法-CN201611156531.5有效
发明人：樊莲莲;陶智超;杨勇;李永旺 -专利权人：中科合成油技术有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B01J21/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高活性无定形硅铝、以其为载体的加氢裂化催化剂以及它们的制备方法。无定形硅铝载体的制备方法包括如下步骤：配制硅源和铝源的混合水溶液，将混合水溶液与沉淀剂的溶液混合进行并流共沉淀得到沉淀浆料，并转移至密闭容器中进行老化，经成型后进行焙烧即得。本发明还提供了以无定型硅铝作为载体的加氢裂化催化剂的制备方法，是在本发明无定形硅铝载体的制备方法中，在步骤(1)中配制硅源和铝源的混合水溶液中加入镍盐或镍盐和金属助剂M的盐，其余步骤与无定型硅铝作为载体的制备方法相同本发明在制备过程中采用共沉淀法，所用硅源铝源最终以无定形硅铝的形式存在于催化剂中，但催化剂的活性却远远高于一般无定形硅铝催化剂。
一种活性无定形以其载体加氢裂化催化剂以及它们制备方法

[发明专利]一种实现超级铁素体不锈钢纯净化及晶粒细化的冶炼方法-CN202210584012.8有效
发明人：杨光;贾吉祥;彭春霖;朱晓雷;刘志明;杨骥;范思鹏;魏崇一 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C22C33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种实现超级铁素体不锈钢纯净化及晶粒细化的冶炼方法，包括以下步骤：(1)将工业纯铁、纯铬、纯钼、纯镍置于反应容器中，将硅钡合金、纯铌、纯钛、稀土硅锰合金依次置于料仓中；(2)抽真空至10～15Pa并升温，待炉料熔清后保温1～3min，按0.35～0.4kg/t添加硅钡合金，保持0.5～2.5min，按1～12kg/t添加纯铌、1～12kg/t添加纯钛，保温5～6min；(3)加压至1.5～1.6MPa，按0.05～0.1kg/t添加硅钡合金，保温0.25～0.5min，继续加压至1.95～2.05MPa，按0.5～10kg/添加稀土硅锰合金，保温1.5～2.0min后浇注到铸锭模内；(4)浇铸结束后保压钢中S≤0.0004％、O≤0.0003％。
一种实现超级铁素体不锈钢净化晶粒细化冶炼方法

[发明专利]铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途-CN201310724477.X无效
发明人：王俊;吕新雨;疏达;高海燕;韩延峰;祝国梁;董安平;张佼 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C22B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝/铝合金高效除硅熔剂及其制备方法、用途；所述除硅熔剂包括NaCl、KCl、LiCl，所述NaCl、KCl、LiCl的摩尔分数分别为0.13～0.17，0.35～0.4，0.43～0.48本发明还涉及前述的除硅熔剂的制备方法，将除硅熔剂中各组分按配比取料，加热，烘干，混合均匀，研磨，干燥，密封保存，即可得铝/铝合金高效除硅熔剂。本发明还涉及前述除硅熔剂的用途，所述除硅熔剂用于铝或铝合金材料中硅的去除。本发明铝/铝合金高效除硅熔剂中铝的熔点低、电导率高，本发明方法制得的除硅熔剂除硅效率高，成本低，工艺简单，易于操作，用途广泛等优点，有用于铝的工业化生产前景。
铝合金高效熔剂及其制备方法用途

[发明专利]一种炼钢精炼脱氧工艺-CN201110393249.X无效
发明人：李峰;金文俊 -专利权人：内蒙古包钢钢联股份有限公司
申请日： 2011-11-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：一种炼钢精炼脱氧工艺，其特征是：针对钢水中全氧的重量含量要求小于等于35×10-6，钢水中硫的重量百分含量要求小于等于0.020％的钢种，采用一种硅钙钡镁合金脱氧，该合金的化学成分要求硅的重量百分含量在50％-60％之间，钙的重量百分含量在12％-15％之间，钡的重量百分含量在14％-20％之间，镁的重量百分含量在1.5％-5％之间，钙钡镁元素的重量百分含量之和在30％-40％之间，其余为铁元素及不可避免的杂质其采用硅钙钡镁合金取代硅铁增硅及铝线脱氧，降低了生产成本，增加了炼钢产能。
一种炼钢精炼脱氧工艺

[发明专利]一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法-CN201710384575.1有效
发明人：伍继君;杨鼎;马文会;魏奎先;雷云;谢克强;秦博;李绍元;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用铝和氧气去除工业硅中杂质硼的方法，属于工业硅技术领域。首先将工业硅块进行破碎，并球磨至硅粉粒度为150～200目；将硅粉中添加金属铝颗粒混合均匀得到混合物料；将得到的混合物料加热到1300～1400℃，从顶部吹入流速为500mL/min的高纯Ar，硅铝熔液合金化20～30min；经硅铝熔液合金化后，保持温度不变，从顶部吹入氩气和氧气的混合气体精炼2～4h后停止通气，完成吹气精炼过程；吹气精炼过程完成后，停止加热，由底部通入1000mL/min的Ar保护气体，待炉内降至室温后取出坩埚，将样品表面的渣层分离后得到硅块；将得到的硅块进行破碎用盐酸清洗硅中的残铝，最后得到精炼后的硅粉。本发明向工业硅中添加铝，通过吹氧精炼，高效去除工业硅中硼杂质。
一种利用氧气去除工业杂质方法

[发明专利]一种钢水中铝含量的控制方法-CN202211111191.X在审
发明人：曾四宝;梁绪昌;张利武;杨凯峰;付胜群;楚士进;盛国艳;尹勇;杨俊超 -专利权人：石横特钢集团有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C21C7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种钢水中铝含量的控制方法，通过对含铝钢种的脱氧方式和增铝时机进行了改进，在转炉出钢过程中使用硅钙钡和预熔型精炼渣进行预脱氧，在炉外精炼炉中使用碳化硅、硅铁粉或电石进行脱氧操作，待钢水自由氧含量降至15ppm以内时，再使用铝线或铝块进行增铝操作，此时钢水氧含量较低，铝元素的回收率较高且很稳定，铝的回收率按70%计算进行增铝操作，保证了钢水中酸溶铝和全铝的比值稳定在85%以上，将铝含量控制在0.015%‑0.025%范围内，将铝含量的控制精度控制在0.010%范围内，实现了铝含量的精准控制，且有利于车间成本的进一步降低。
一种钢水含量控制方法

[发明专利]利用金属铝回收晶体硅切割废料制备高硅铝硅合金的方法-CN201910554254.0在审
发明人：伍继君;张雪峰;马文会;陈正杰;魏奎先;颜恒维;雷云;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用金属铝回收晶体硅切割废料生产高硅铝硅合金的方法，将金属铝粒、晶体硅切割废料和助熔剂按一定比例混合，装入石墨坩埚并置于感应炉中进行高温熔炼，保温一段时间后以一定的冷却速度冷却至室温，将样品表面的渣从凝固后的合金样品中分离后，即可得到高硅铝硅合金，由于使用的原料是晶体硅切割废料和金属铝粒，制备的高硅铝硅合金中Fe、Cu、Mn、Ni等杂质含量远远低于硅铝合金杂质标准要求；本发明方法不仅成本低廉、高效且环境友好，解决了当前硅废料的综合回收难题，也能够利用硅废物直接生产高硅铝硅合金产品，为含硅废料的经济利用提供新途径。
高硅铝硅合金晶体硅切割废料金属铝回收金属铝粒硅废料制备高温熔炼硅铝合金合金样品环境友好经济利用石墨坩埚速度冷却样品表面杂质标准综合回收感应炉新途径助熔剂装入保温废物冷却凝固生产

[发明专利]采用铝硅共晶薄膜辅助干法刻蚀制备黑硅层的方法-CN201710216551.5有效
发明人：黄建;姜华男;杨修伟;廖乃镘;袁安波 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用铝硅共晶薄膜辅助干法刻蚀制备黑硅层的方法，所述方法的步骤为：1）提供硅片；对硅片表面进行清洗；2）硅片上用于制作黑硅层的区域记为操作区；采用电子束蒸发镀膜工艺或磁控溅射镀膜工艺，在操作区表面生长铝硅共晶薄膜；3）采用等离子刻蚀工艺对铝硅共晶薄膜中的硅进行选择性刻蚀，将铝硅共晶薄膜中的硅刻蚀掉；4）利用铝硅共晶薄膜中残留的铝作为掩膜，采用等离子刻蚀工艺对操作区上的硅进行选择性刻蚀，从而在操作区上形成黑硅层；5）采用等离子刻蚀工艺对所述掩膜进行选择性刻蚀，将掩膜刻蚀掉，然后对黑硅层进行清洗。本发明的有益技术效果是：能制作出形貌优良的黑硅层。
采用铝硅共晶薄膜辅助刻蚀制备黑硅层方法

[发明专利]一种过共晶铝硅合金中初生硅的分离方法-CN201911299779.0在审
发明人：金青林;王顺金;王栋栋;刘恩典 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种过共晶铝硅合金中初生硅的分离方法，其采用感应加热区域熔炼工艺，对铝硅合金进行熔化和凝固，实现初生硅在试样底部的富集，达到高效分离的目的；具体为采用工业硅和工业铝为原料，制备铝硅合金铸锭，区熔结束后取出试样，截取试样底部的初生硅富集部分进行酸洗便可回收高纯硅。本方法解决了合金凝固精炼过程中初生硅从熔体中分离难、分离效率不高的问题，能实现铝硅合金中初生硅的高效分离，试样的直径和长度可随实际情况扩大或延长，适用于规模化生产。
一种共晶铝硅合金初生分离方法

[发明专利]一种含硅废水的处理方法-CN202011407676.4有效
发明人：金志娜;陈宝生;肖东;赵京京;夏子辉 -专利权人：北京京润环保科技股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种含硅废水的处理方法，所述处理方法包括：混合钠源和铝源，得到混合溶液，进行反应，得到含偏铝酸钠的溶液；混合所述含偏铝酸钠的溶液和含硅废水，进行除硅反应，得到除硅后水。含偏铝酸钠的溶液作为除硅剂采用边生产边投加的方式，实时将除硅剂与含硅废水混合，保证了除硅剂中活性组分偏铝酸钠的反应活性，大幅提高了除硅效率。
一种废水处理方法

[发明专利]一种铝合金熔体中铝晶粒异质形核强化剂及其制备方法和应用-CN201410625330.X在审
发明人：田学雷;张勇;郑洪亮;刘悦;石磊;于文慧 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝合金熔体中铝晶粒异质形核强化剂及其制备方法和应用，该强化剂的元素组成为以下组分中的一种或两种以上组合：铝和铁，铝和铬，铝和镍，铝和锰，铝和钒，铝和铜，铝和铈，铝和镧，铁和硅，铬和硅，镍和硅，锰和硅，铜和硅。该强化剂可以大幅度提高铝熔体中存在的异质形核核心的形核能力，从而大幅度提高铝熔体中铝晶粒的形核率，改善凝固组织。
一种铝合金熔体中铝晶粒异质形核强化及其制备方法应用