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[发明专利]一种原位包覆锆酸铝锂的单晶NCM三元材料-CN202110778487.6有效
发明人：陈来;张其雨;苏岳锋;卢赟;李宁;包丽颖;聂启军;丁瑞;黄擎;曹端云;陈实;吴锋 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位包覆锆酸铝锂的单晶NCM三元材料，属于化学储能电池领域。首先通过共沉淀法合成单晶NCM三元材料的前驱体，随后将其与锂盐按照一定比例混合，并干混入同时作为助熔剂和包覆原料的铝和锆的无机盐，在高温下进行煅烧，最终制备得到原位包覆锆酸铝锂的单晶NCM三元材料。所述单晶NCM三元材料表面包覆的锆酸铝锂能够隔绝电解液与单晶NCM三元材料的直接接触，从而降低界面副反应，提高单晶NCM材料的化学稳定性和结构稳定性；同时锆酸铝锂具有快离子导体特性，能够加快锂离子的输运
一种原位包覆锆酸铝锂 ncm 三元材料

[其他]钽铌器件熔盐电解法制膜及产品-CN85101505无效
发明人：刘寓中 -专利权人：华北光电技术研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1988-03-30 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及在钽铌器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融锂盐电化学反应在钽或铌或钽铌合金器件表面生成一层含有钽或铌的含氧化合物的薄膜(如钽酸锂或锂的铌酸盐等)，可改进器件的许多性能，膜的击穿电压达1500伏以上，表面硬度最高可达Hv700左右。可以改善钽或铌或钽铌合金器件的使用效果，扩大钽和铌的应用范围。用于钽喷丝板，减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的钽制器件，薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
器件电解法制产品

[其他]钽铌器件熔盐电解法制膜及产品-CN101985000001505在审
发明人：刘寓中 -专利权人：华北光电技术研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1988-03-30 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明涉及在钽铌器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融锂盐电化学反应在钽或铌或钽铌合金器件表面生成一层含有钽或铌的含氧化合物的薄膜（如钽酸锂或锂的铌酸盐等），可改进器件的许多性能，膜的击穿电压达１５００伏以上，表面硬度最高可达Ｈｖ７００左右。可以改善钽或铌或钽铌合金器件的使用效果，扩大钽和铌的应用范围。用于钽喷丝板，减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的钽制器件，薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
器件电解法制产品

[发明专利]微富锂小单晶无钴镍酸锂正极材料及其制备方法和应用-CN202310295600.4在审
发明人：程方益;丁国彧;刘奎明;黄新辉;章炜;李海霞;陈军 -专利权人：南开大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明属于电化学储能电池领域，具体公开了一种微富锂小单晶无钴镍酸锂正极材料及其制备方法和应用。本发明通过熔盐法合成表面存在岩盐相的小单晶无钴镍酸锂正极材料，再通过二次锂化法，促进材料岩盐相到层状相的转变，实现晶格修复，并在层状结构中的镍层引入略微过量锂离子，获得微富锂小单晶无钴镍酸锂正极材料。本发明制得的微富锂小单晶无钴镍酸锂正极材料有望推进无钴镍酸锂正极材料的产业化应用。
微富锂小单晶无钴镍酸锂正极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种镍钴锰酸锂单晶三元材料的制备方法-CN202010824532.2在审
发明人：梅京;孙杰;许中柱;何雅;熊奇;郝长旺;周宇 -专利权人：湖北融通高科先进材料有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及镍钴锰酸锂单晶三元材料制备技术领域，公开了一种镍钴锰酸锂单晶三元材料的制备方法。该方法包括：(1)将前驱体、锂源和金属氧化物添加剂按照比例进行配比，得到固体混合料；(2)向固体混合料中加水，搅拌后转入砂磨机中进行砂磨混料，得到均匀的浆料；(3)对浆料进行喷雾干燥，得到干燥物料；(4)将步骤(3)中得到的干燥物料置于烧结炉中在空气气氛下进行烧结；(5)烧结结束后出料，气流粉碎、过筛后得到镍钴锰酸锂单晶三元材料。该方法采用湿法砂磨混料，使物料混合更均匀，同时采用喷雾干燥造粒，有利于锂源扩散和单晶颗粒生长，能够减少单晶合成中形成的硬团聚，进而提高制备的镍钴锰酸锂单晶三元材料的电化学性能。
一种镍钴锰酸锂单晶三元材料制备方法

[发明专利]用于表面波装置的同组分铌酸锂单晶及其制造方法-CN89103833.7无效
发明人：埃伯哈德·波恩;克里斯塔·格拉迈耶;克劳斯·霍夫曼;伊夫林·韦里巴尔德-里哈 -专利权人：西门子公司
申请日： 1989-05-31 - 公布日： 1989-12-20 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：用于表面波装置的同组分铌酸锂单晶及其制造方法。一种rot-y晶向的同组分铌酸锂单晶含有48.25±0.1mol％Li。
用于表面波装置组分铌酸锂单晶及其制造方法

[发明专利]一种多轴一体化光纤陀螺仪用混合集成光学器件-CN202210930027.5有效
发明人：段启航;徐金涛;刘尚波;范建强;李楼;王嘉;杨一凤;王辉 -专利权人：西安中科华芯测控有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：包括壳体，壳体内设置有硅基光波导芯片，硅基光波导芯片上设置有若干平行的U形波导，且若干U形波导的输入端通过分束器连接有公共输入保偏光纤；硅基光波导芯片的输出端连接有铌酸锂芯片；铌酸锂芯片上设置有与U形波导数量对应的若干本发明通过硅基光波导芯片、铌酸锂芯片以及信号转接板等光学器件封装在一个壳体内，将光纤陀螺仪的光学器件整合，有效减少体积和重量，从而满足小型化、轻量化系统的使用需求。
一种一体化光纤陀螺仪混合集成光学器件

[发明专利]一种含双乙二酸硼酸锂的硅或硅合金复合锂离子电池负极材料及其制备方法和应用-CN201710025284.3在审
发明人：潘洪革;吴相欣;高明霞;刘永锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于能源材料及能源转换技术领域，尤其涉及一种硅基锂离子电池复合负极材料、使用该材料的负极和锂离子电池。一种含双乙二酸硼酸锂的硅或硅合金复合锂离子电池负极材料，该负极材料按质量百分比含有1%~20%双乙二酸硼酸锂（LiBOB）。采用本发明的负极材料通过在硅或硅合金‑碳复合锂离子电池负极材料中添加双乙二酸硼酸锂获得，或在制备该电池负极材料过程中同时引入双乙二酸硼酸锂获得。
一种含双乙二酸硼酸合金复合锂离子电池负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硅通孔阻挡层碱性抛光液-CN202111219053.9有效
发明人：姜鉴哲;王晗笑;宋英英;张琳 -专利权人：博力思（天津）电子科技有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明为一种硅通孔阻挡层碱性抛光液，包括甘氨酸、精氨酸和唑类化合物，所述精氨酸的加入质量至少为甘氨酸加入质量的1倍，精氨酸含有胍基，精氨酸里的胍基与唑类化合物联合使用时，调配钽和铜的去除速率比。精氨酸分子结构既包含氨基、羟基提供螯合作用，同时精氨酸自带包含胍基，且为碱性氨基酸，作为钽的速率提升剂加速去除钽，通过调整精氨酸中的胍基含量调节金属钽和铜的去除速率选择比，唑类化合物既与氨基、羟基作用，
一种硅通孔阻挡碱性抛光

[发明专利]厚度方向激励剪切模式的声学谐振器-CN202110276005.7在审
发明人：龚颂斌;吕若辰 -专利权人：偲百创（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种厚度方向激励剪切模式的声学谐振器，包括：声学镜，包括至少一第一声反射层和至少一第二声反射层，各所述第一声反射层的声阻抗小于各所述第二声反射层的声阻抗；底电极层，位于所述声学镜上；压电层，设于所述底电极层上，所述压电层包括单晶材料的铌酸锂和/或单晶材料的钽酸锂；电极单元，设于所述压电层上；横向反射器，设于所述压电层上，包括位于所述电极单元的第一侧的第一反射器和位于所述电极单元的第二侧的第二反射器，所述横向反射器用于对声波进行横向反射；其中
厚度方向激励剪切模式声学谐振器

[发明专利]大尺寸单晶金刚石生长方法及生长用复合基底-CN202010216555.5在审
发明人：刘胜;汪启军;甘志银;吴改;冯淦;郝跃 -专利权人：武汉大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸单晶金刚石生长方法及生长用复合基底，能够生长得到高质量、大尺寸的单晶金刚石。本发明所提供的生长方法，包括：步骤1.采用钽酸钾单晶材料作为衬底；步骤2.将钽酸钾衬底放入MPCVD进行等离子体刻蚀；步骤3.放入磁控溅射设备中，高温下在钽酸钾衬底的上表面进行铱金属缓冲层的生长；步骤4MPCVD内通入甲烷和氢气，在偏压条件下，生长形核层；步骤6.关掉偏压，生长金刚石外延层；步骤7.对金刚石外延层的上表面进行图形化处理，得到生长用复合基底；步骤8.将生长用复合基底放入MPCVD进行异质外延单晶金刚石生长
尺寸金刚石生长方法复合基底

[发明专利]一种动态调控离子液体浸润性的新方法-CN202010943176.6有效
发明人：刘晓燕;刘洪亮;张亚文;陈勇 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态调控离子液体浸润性的新方法，首先沿垂直于c轴晶轴切割铁电铌酸锂单晶，得到暴露+Z面和/或‑Z面的铌酸锂单晶薄片，并对其进行清洁；将离子液体滴在所述铁电铌酸锂单晶薄片的+Z面或‑Z面；最后改变所述铁电铌酸锂单晶薄片的温度从而调控所述离子液体的浸润性。采用本发明方案的显著效果是通过对铁电铌酸锂单晶薄片实施升、降温操作来调控离子液体的浸润性，由于离子液体具有不挥发性及很高的热稳定性，升温降温对离子液体性能的影响可忽略，为离子液体浸润性的动态调控提供了一种具有实际应用潜力的新方法
一种动态调控离子液体浸润新方法

[发明专利]一种铌酸锂和SU-8混合集成空芯光子晶体光纤陀螺-CN202010961700.2有效
发明人：佘玄;范文;张彩妮;陈侃;毕然;舒晓武 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01C19/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂和SU‑8混合集成空芯光子晶体光纤陀螺。本发明包括第一芯片和第二芯片，第一芯片的一侧和第二芯片一侧拼接形成光纤陀螺；第一芯片包括从下到上依次层叠布置的硅衬底、二氧化硅缓冲层和铌酸锂单晶薄膜，所述铌酸锂单晶薄膜上集成布置光传输系统；第二芯片包括从下到上依次层叠布置的光刻胶涂层和第二硅衬底
一种铌酸锂 su 混合集成光子晶体光纤陀螺

[发明专利]铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法-CN201310177527.7在审
发明人：刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸钾钠锂基无铅压电单晶及其生长方法，其为钙钛矿结构，化学式为(KxNa1-x)1-yLiy(Nb1-zMz)O3，其中M表示过渡金属元素，0<x<1，0<y<1称取原料粉末和助熔剂并混合；将起始料放入坩埚中；在500～1100℃保温3～20h，升温至1000～1300℃，保温2～20h使起始料熔化，然后坩埚以0.1～1.2mm/h的速度下降结晶，完毕冷却到室温得到铌酸钾钠锂基无铅压电单晶本发明首次采用添加助熔剂的坩埚下降法实现了过渡金属掺杂的铌酸钾钠锂基无铅压电晶体的生长，且所得晶体为纯的钙钛矿结构，无其他杂相，并具有很好的压电和铁电性能。另本发明的工艺简单，具有烧结温度较低的优点。
铌酸钾钠锂基无铅压电及其生长方法

[发明专利]一种钽酸钠单晶薄膜的制备方法-CN201910234848.3在审
发明人：韩高荣;李玮;任召辉;王飞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开一种钽酸钠(NTO)单晶薄膜的制备方法。本发明采用水热法在钛酸锶(STO)单晶基板上首次制得了NTO单晶薄膜。该方法以五氧化二钽作为主要原料，氢氧化钠作为矿化剂，商用的二维STO单晶衬底作为基板。首先，将五氧化二钽、氢氧化钠混合溶液在室温下强力搅拌，然后放入STO单晶基板，将其在高温下进行水热处理，得到NTO单晶薄膜。
单晶薄膜五氧化二钽单晶基板氢氧化钠钽酸制备钙钛矿氧化物规模化生产自旋电子学存储器工艺过程混合溶液强力搅拌水热处理矿化剂水热法异质结钛酸锶传感器衬底单晶二维放入基板商用应用研究