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[发明专利]具有多孔膜的骨骼植入物及其制备方法-CN202180007239.X有效
发明人：刘寓中 -专利权人：北京华宇创新科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： A61L27/06 文献下载
摘要：所述骨骼植入物包括：基体；和位于基体上的多孔膜，其中所述基体选自钽基体、铌基体、钽铌合金基体和钛基体，和其中所述多孔膜选自多孔钽酸锂膜、多孔铌酸锂膜、多孔钽酸锂和铌酸锂的混合物膜和多孔钛氧化物膜。
具有多孔骨骼植入及其制备方法

[发明专利]用于制备复合晶圆的方法-CN201780021504.3在审
发明人：秋山昌次;丹野雅行;加藤公二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-04-04 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子
复合晶制备热膨胀系数晶圆衬底支撑钽酸锂薄膜粘合表面钽酸锂粘合入射信号注入离子接合结晶度堆叠杂散反射

[实用新型]一种声表面波器件用压电晶片-CN201821959762.4有效
发明人：温旭杰;宋伟;宋松;崔建钢;陈培杕;施旭霞 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种压电晶片，其表层为具有近化学计量比结构的富锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米，第二层为热释电效应弱的还原层，第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构，本实用新型提供了一种通过气相平衡运输方式（VTE）对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片（还原片）进行富锂化的方法，使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本实用新型还提供了一种通过优化丝网印刷碳酸锂粉工艺，对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。
本实用新型压电晶片铌酸锂热释电效应钽酸锂晶片多层结构还原处理还原层晶片锂化近化学计量比声表面波器件晶格缺陷气相平衡声表面波丝网印刷运输方式第三层粉工艺基底层碳酸锂钽酸锂锂空位锂离子锂层制备还原占据优化

[发明专利]一种伟晶岩型锂多金属矿的选矿方法-CN202110343710.4有效
发明人：汪泰;胡真;王成行;李汉文;邹坚坚;李沛伦;姚艳清;杨凯志;李强;付华 -专利权人：广东省科学院资源综合利用研究所
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B03B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种伟晶岩型锂多金属矿的选矿方法。该选矿方法包括一段磨矿‑筛分、重选‑磁选分离、二段磨矿‑调浆、浮选含铷云母、浮选锂辉石等步骤。本发明采用“重‑磁‑浮”联合工艺，分别获得钽铌精矿、锡精矿、云母精矿、锂辉石精矿和硅砂混合料，依次实现了钽、铌、锡、铷、锂、硅、铝等元素的综合回收，具有分离工艺简便，分选效果好，资源利用率高等特点。
一种伟晶岩型锂多金属选矿方法

[发明专利]尖晶石型锰酸锂及其制备方法和锂离子电池-CN202310485070.X在审
发明人：胡进;归伊娜;李娟;龙博;王柯 -专利权人：巴斯夫杉杉电池材料有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01G45/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种尖晶石型锰酸锂，其为球形形貌单晶颗粒，设定该单晶颗粒的等效圆直径偏离参数为A，满足0.75≤A≤1；等效圆直径偏离参数A为单晶颗粒的等效面积圆直径DA/单晶颗粒的最大直径DB；其制备包括：先称取原料进行球磨混合，将混合物粉末进行一次烧结，将获得的锰酸锂中间产物通过破碎、解离成分散的锰酸锂一次粉末；再加入含锂化合物后进行补锂二次烧结，获得尖晶石型锰酸锂。本发明锰酸锂的单晶具有更小的(111)晶面的面积，从而抑制Mn(Ⅲ)的歧化反应发生，获得高温存储和循环性能更好的电池。
尖晶石型锰酸锂及其制备方法锂离子电池

[发明专利]一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法-CN200810047179.0无效
发明人：姜胜林;张海波;钟南海;曾亦可;张光祖 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合热释电材料及其制备方法与制备硅基厚膜的方法，材料为聚偏二氟乙烯与Pb_1+x(Sc_0.5Ta_0.5)O_{3硅基厚膜的方法包括：①配制钪钽酸铅先驱体溶胶，并利用溶胶制备钪钽酸铅纳米粉；②体制备PVDF溶液并制备钪钽酸铅PVDF复合浆料；③硅基片预处理后沉积隔热层和底电极；④旋涂沉积复合热释电厚膜}
一种复合热释电材料及其制备方法硅基厚膜

[发明专利]一种钽基表面涂层、制备方法和高温抗氧化材料-CN202310255754.0在审
发明人：蔡圳阳;肖来荣;赵小军;刘赛男;肖宇翔;刘冠群;罗逸豪;林文涛;张亚芳;徐嘉维;邓冠志;查怡涛 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明属于难熔金属钽基体表面高温抗氧化涂层制备技术领域，具体是涉及一种钽基表面涂层、制备方法和高温抗氧化材料，钽基表面涂层包括依次设置在钽基表面的硅化钽层和硅化钨层，本发明有效提高其高温抗氧化性能和使用寿命
一种表面涂层制备方法高温氧化材料

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、二次电池-CN202110631884.0在审
发明人：廖华平;余刚 -专利权人：恒大新能源技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种硅基负极材料及其制备方法，以及一种二次电池。其中，硅基负极材料为核壳结构，包括硅基内核和原位包覆在所述硅基内核外表面的弹性壳层；所述弹性壳层包括由丙烯酸单体、丙烯酸锂和丙烯酸酯类单体交联形成的网状聚合物。本发明硅基负极材料中弹性壳层与内核负极材料亲和性好，结合稳定，可随着硅基材料在脱嵌锂过程中膨胀而膨胀，收缩而收缩，弹性壳层不易破裂，能有效隔离硅基材料与电解液接触反应，有利于提高电芯的循环寿命和安全性。
负极材料及其制备方法二次电池

[发明专利]一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法-CN202210363840.9在审
发明人：吴剑波;吴冰;张虞;倪荣萍;李胜雨 -专利权人：苏州南智芯材科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，通过将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，构成层叠结构，在特定的退火炉工艺条件下，对晶片进行还原黑化处理，通过调节纯棉纸张或纤维布厚度与晶片厚度比值，能够可控制备还原程度不同的铌酸锂或钽酸锂黄黑片/灰片，有效解决了晶片黑化速度过快，晶片还原程度难以控制以及晶片完全黑化等问题，同时有效降低晶片电阻率及光穿透率，提升晶片性能，提高晶片质量并降低生产成本
一种降低铌酸锂钽酸锂晶片透明度电阻率方法

[发明专利]一种单晶电池材料的制备方法-CN201910180654.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州拉瓦锂能源科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶电池材料的制备方法，所述的单晶电池材料包括镍钴锰酸锂和镍钴铝酸锂，所述的镍钴锰酸锂的化学式为Li_aNi_xCo_yMn_zO₂；所述的镍钴铝酸锂的化学式Li_bNi_uCo_vAl_wO₂，所述的单晶电池材料的制备方法采用多段变温技术，将镍钴锰酸锂或镍钴铝酸锂的前驱体与无机熔盐混合煅烧得到单晶型镍钴锰酸锂正极材料。通过上述，本发明提供的单晶电池材料的制备方法，采用多段变温技术，制备大尺寸的镍钴锰酸锂材料，增加了单晶电池材料的压实密度，更高的压实密度具有更高的体积能量密度，循环性能更稳定，所制备的电池纽扣具有良好电化学性能
单晶电池材料镍钴锰酸锂制备镍钴铝酸锂变温多段压实电化学性能体积能量无机熔盐循环性能正极材料前驱体纽扣煅烧电池

[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体-CN201880088584.9有效
发明人：多井知义;服部良祐 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中，使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备：支撑基板4；压电性材料基板1、1A，它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层5，其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度，且为20～65原子％。
压电材料支撑接合

[发明专利]一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法-CN201210485470.2无效
发明人：张德银;李坤;彭卫东;钱伟;包勇;王宇;张熙;高峰;赵国柱 -专利权人：中国民用航空飞行学院
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公布了一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法，涉及功能材料薄膜的制备技术。该工艺方法选用以高纯度醋酸锂与五氧化二钽经过压制烧结而成溅射靶，用高纯Ar气产生的氩离子束对靶材进行轰击，在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上溅射沉积均匀、致密、与衬底粘附良好、与CMOS工艺兼容、低介电损耗、低漏电、高剩余极化强度的钽酸锂薄膜。所制备的钽酸锂薄膜，结晶择优取向为<012>、<104>；剩余极化强度在10-20μC/cm2之间；在测试电场400kV/cm作用下漏电流为4.76×10-8A/cm2；介电损耗为0.045。
一种钽酸锂薄膜离子束增强沉积制备工艺方法

[发明专利]铌酸锂单晶薄膜及其制作方法-CN202011250278.6在审
发明人：周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明提供铌酸锂单晶薄膜及其制作方法，制作方法包括：在原料铌酸锂晶圆的光学级表面上制备介质层；穿过介质层朝向光学级表面注入离子，离子穿透光学级表面后形成离子层，在离子层和介质层之间形成单晶铌酸锂薄层；将载体晶圆与介质层键合；加热至第一预设温度，使单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离并存留在介质层上；加热至第二预设温度，第二预设温度大于第一预设温度。通过单晶铌酸锂薄层与原料铌酸锂晶圆分离，并牢固地位于介质层上，以可实现稳定的光波导。
铌酸锂单晶薄膜及其制作方法

[发明专利]钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法-CN201110058798.1无效
发明人：周忠祥;李磊;封雷;宫德维 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法，它涉及铌酸钾锂单晶及其制备方法。本发明要解决目前尚没有以铌酸钾锂为基质的频率上转换性能的材料的技术问题。本发明的钬镱双掺铌酸钾锂单晶是由氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾制成；方法：称取氧化镱、氧化钬、氧化铌、碳酸锂和碳酸钾并混合均匀，再研磨后放在坩埚中，在晶体生长炉内先烧结得到铌酸钾锂多晶，采用逐步降温法，即得钬镱双掺铌酸钾锂单晶。本发明的单晶在975nm激光的激发下产生545nm绿光和650nm红光，可用于频率上转换短波长全固态激光器领域及太阳能电池、彩色显示和生物识别等领域。
钬镱双掺铌酸钾锂单晶及其制备方法

[发明专利]接合体以及弹性波元件-CN201880047171.6有效
发明人：后藤万佐司;多井知义;箕浦舞 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：提供一种能够将由铌酸锂和/或钽酸锂构成的压电性材料层牢固地接合于由莫来石构成的支撑基板上的微结构。作为解决方案，提供一种具备支撑基板(3)以及压电性材料层(2)的接合体(1)。支撑基板(3)由莫来石构成，压电性材料层(2)的材质为LiAO3，其中，A为选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素。界面层(4)以及支撑基板侧中间层(5)分别以选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素、氧、铝和硅作为主成分。
接合以及弹性元件